「HTo」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Then, an HTO film 111 is formed at least on a side surface of the bit line insulating film 110.例文帳に追加

次に、少なくともビット線上絶縁膜１１０の側面上に、ＨＴＯ膜１１１を形成する。 - 特許庁

An HTO film is formed on the overall surface to form a deposited insulating film 8.例文帳に追加

そして、全面にＨＴＯ膜を成膜して堆積絶縁膜８を形成する。 - 特許庁

Consequently, the short circuit between electrodes caused by the emergence of a thin film on an HTO film 118 is suppressed.例文帳に追加

これにより、ＨＴＯ膜１１８に薄膜部が発生することによる電極間の短絡を抑制する。 - 特許庁

After a first HTO film 2a is formed on the upper surface of a silicon substrate 1 by a thermal CVD method, a silicon-rich HTO film 2b having a deep trap level is formed by the thermal CVD method under the condition of decelerating the flow rate of an N_2O of process gas for forming this first HTO film 2a.例文帳に追加

シリコン基板１の上面に、熱ＣＶＤ法によって第一のＨＴＯ膜２ａを成膜した後、この第一のＨＴＯ膜２ａを成膜するプロセスガスのうちＮ２ Ｏの流量を削減した条件で熱ＣＶＤ法によって、深いトラップ準位を有するシリコンリッチＨＴＯ膜２ｂを成膜する。 - 特許庁

An HT(Header Translator) 2 has a VPI(Virtual Path Identifier) and a VCI(Virtual Channel Identifier) and has an HTi 21 (header translator having transmission information) and a plurality of HTo (header translators having reception information).例文帳に追加

ＨＴ２は１つのＶＰＩ及びＶＣＩを有し、１つのＨＴｉ２１と複数のＨＴｏ２２，２３を有している。 - 特許庁

An HT 4 has a VPI and a VCI and has an HTi 41 and a plurality of HTo 42, 43.例文帳に追加

ＨＴ４は１つのＶＰＩ及びＶＣＩを有し、１つのＨＴｉ４１と複数のＨＴｏ４２，４３を有している。 - 特許庁

An HT 3 has a VPI and a VCI and has an HTi 31 and a plurality of HTo 32, 33.例文帳に追加

ＨＴ３は１つのＶＰＩ及びＶＣＩを有し、１つのＨＴｉ３１と複数のＨＴｏ３２，３３を有している。 - 特許庁

The third insulating film (150) is formed to be used as a top oxide film of a dielectric film between the floating gate and the control gate of a NAND flash device, and in a production process of a capacitor, as an interlayer insulating film between the lower electrode of the capacitor and the upper electrode of the capacitor, preferably formed of an HTO oxide layer.例文帳に追加

第3の絶縁膜(150)は、NANDフラッシュ素子のフローティングゲートとコントロールゲートとの間の誘電体膜の上部酸化膜、キャパシタ製造工程ではキャパシタの下部電極とキャパシタの上部電極との間の層間絶縁膜として用いるために形成され、望ましくはHTO酸化膜で形成する。 - 特許庁

The dielectric film of the capacity element 53 includes the silicon oxide film 25 (thermal oxide film), the silicon oxide film 37 (HTO film) and the silicon oxide film 31 (thermal oxide film).例文帳に追加

容量素子５３の誘電体膜は、シリコン酸化膜２５（熱酸化膜）、シリコン酸化膜３７（ＨＴＯ膜）およびシリコン酸化膜３１（熱酸化膜）を含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for forming a tunnel oxide film with less electric leakage by sufficiently reforming an HTO film with an oxygen annealing treatment without oxidizing a polysilicon film of a lower layer.例文帳に追加

下層のポリシリコン膜を酸化させることなく、酸素アニールによりＨＴＯ膜を十分に改質させ、電気的にリークが少ないトンネル酸化膜を形成する半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The dielectric film of the capacity element 55 includes the silicon oxide film 25 (thermal oxide film), the silicon oxide film 37 (HTO film), a silicon nitride film 29b and the silicon oxide film 31 (thermal oxide film).例文帳に追加

容量素子５５の誘電体膜は、シリコン酸化膜２５（熱酸化膜）、シリコン酸化膜３７（ＨＴＯ膜）、シリコン窒化膜２９ｂおよびシリコン酸化膜３１（熱酸化膜）を含む。 - 特許庁

The intermediate insulation film of the split gate type memory transistor 51 includes a silicon oxide film 25 (thermal oxide film), a silicon oxide film 37 (HTO film), a side part insulation film 29a and a silicon oxide film 31 (thermal oxide film).例文帳に追加

スプリットゲート型メモリトランジスタ５１の中間絶縁膜は、シリコン酸化膜２５（熱酸化膜）、シリコン酸化膜３７（ＨＴＯ膜）、側部絶縁膜２９ａおよびシリコン酸化膜３１（熱酸化膜）を含む。 - 特許庁

Thereafter, the residual half of the HTO film 109 is subjected to wet etching for seven minutes and 40 seconds using a BHF 63U kept at 23°C to have a taper angle of 26° in a second etching process.例文帳に追加

その後、残り半分のＨＴＯ膜１０９を、テーパー角度が２６°となる２３℃のＢＨＦ６３Ｕで７分４０秒ウエットエッチングする第２のエッチング工程を実施する。 - 特許庁

The slot 8 is buried by, for example, an NSG film 10 of a CVD method, and a trench 12 constituting a separation region is buried by, for example, an HTO film 13 and polycrystal silicon film 14 of a CVD method.例文帳に追加

更に、溝部８を、例えば、ＣＶＤ法によるＮＳＧ膜１０で埋設し、分離領域を構成するトレンチ１２は、例えば、ＣＶＤ法によるＨＴＯ膜１３及び多結晶シリコン膜１４で埋設する。 - 特許庁

It is hereby possible to set the oxide film 14 such as an HTO film on the nitride film 13 into a predetermined film thickness, and to increase the thickness of the oxide film 14 formed as a result.例文帳に追加

これにより、窒化膜１３上にＨＴＯ膜のような酸化膜１４を所定の膜厚に設定することができ、この結果形成される酸化膜１４の膜厚を厚くすることができる。 - 特許庁

On the side face of a gate electrode, a laminated film side wall including a first oxide film such as an NSG film, a TEOS film and an HTO film and a second oxide film such as a BPSG film and a PSG film is formed.例文帳に追加

ゲート電極の側面上に、ＮＳＧ膜，ＴＥＯＳ膜，ＨＴＯ膜などの第１酸化膜と、ＢＰＳＧ膜，ＰＳＧ膜などの第２酸化膜とを含む積層膜サイドウォールを形成する。 - 特許庁

On the entire structure including the trench 105, a liner insulation film 107 comprising DCS-HTO having an etching rate in the level similar to that of a polysilazane (PSZ) film is formed, and the trench 105 is gap filled with the polysilazane film 108 thereon to perform a planarization process.例文帳に追加

トレンチ１０５を含む全体構造上にポリシラザン（ＰＳＺ）膜と類似した水準のエッチング率を有するＤＣＳ−ＨＴＯからなるライナ絶縁膜１０７を形成し、その上にポリシラザン膜１０８でトレンチ１０５を埋め込み平坦化工程を実施する。 - 特許庁

The angle of inclination of an element isolation trench provided to a semiconductor substrate such as an SOI substrate or the like is set at an angle of 88 degrees or 89 degrees, and an insulating material where NSG(non- doped silicate glass) or HTO(high-temperature oxide film) and NSG are laminated is grown and buried in the trench.例文帳に追加

ＳＯＩ基板等の半導体基板に形成する素子間分離用のトレンチの傾斜角度を８８度、あるいは８９度に形成し、かつ減圧ＣＶＤ法によりＮＳＧまたはＨＴＯとＮＳＧとが積層された絶縁材料を成長してトレンチ内に埋設する。 - 特許庁