「Hard Mask」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A hard mask is formed, by shaping the hard mask structure by using the resist mask.例文帳に追加

レジストマスクを用いてハードマスク構造を成形することによってハードマスクが形成される。 - 特許庁

FORMING METHOD OF CARBON-BASED HARD MASK例文帳に追加

炭素系ハードマスクの形成方法 - 特許庁

ALUMINIUM HARD MASK FOR DIELECTRIC ETCHING例文帳に追加

誘電体エッチング用アルミニウムハードマスク - 特許庁

This is transferred as a mask on the hard mask layer to form a parallel hard mask line (first etching).例文帳に追加

これをマスクとしてハードマスク層に転写し、平行ハードマスクラインを形成する（第１エッチング）。 - 特許庁

HARD MASK COMPOSITION FOR LITHOGRAPHY PROCESS例文帳に追加

リソグラフィ工程のハードマスク用組成物 - 特許庁

Thereafter, the first hard mask layer 5 is removed by using at least the second hard mask layer 6 as a mask.例文帳に追加

次に、少なくとも第２のハードマスク層６をマスクとして用いて、第１のハードマスク層５を除去する。 - 特許庁

A lower hard mask 109 is etched using the first and second etching mask patterns to form a hard mask pattern.例文帳に追加

第１及び第２のエッチングマスクパターンで下部のハードマスク１０９をエッチングし、ハードマスクパターンを形成する。 - 特許庁

A hard mask structure is formed on the phase-change layer and a resist mask is formed on the hard mask structure.例文帳に追加

ハードマスク構造が相変化層上に形成され、レジストマスクがハードマスク構造上に形成される。 - 特許庁

Leave the mask behind. thanks for the hard work.例文帳に追加

お面は置いといて。 お疲れさまでした。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

It's hard to wear a mask in hot weather.例文帳に追加

暑い中マスクをつけるのは大変です。 - 時事英語例文集

Then, the first hard mask 60 is etched by use of the second hard mask 70 as a mask, and only the second hard mask 70 in which ions are not implanted is removed by etching.例文帳に追加

次に、第２ハードマスク７０をマスクとして第１ハードマスク６０をエッチングし、イオン注入されていない第２ハードマスク７０のみエッチング除去する。 - 特許庁

Ion implantation of boron is executed on one desired part of the second hard mask 40, and the first hard mask 30 is etched using the second hard mask 40 as a mask.例文帳に追加

第２ハードマスク４０の所望の一部にボロン等のイオン注入を行った後、第２ハードマスク４０をマスクとして第１ハードマスク３０をエッチングする。 - 特許庁

With the top surface of the second hard mask layer 40 as an etching mask, the second and first hard mask layers 40 and 20 are etched to form a hard mask pattern 60.例文帳に追加

第２ハードマスク層４０の上部をエッチングマスクとして第２及び第１ハードマスク層４０及び２０をエッチングしハードマスクパターン６０を形成する。 - 特許庁

The sensor may be formed using a mask including a carbon hard mask.例文帳に追加

センサは、炭素ハードマスクを含むマスクを使用して形成されうる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING HARD MASK OF METAL OXIDE例文帳に追加

金属酸化物のハードマスクの形成方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING HARD MASK PATTERN OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体素子のハードマスクパターン形成方法 - 特許庁

The etching object film is etched using the hard mask film as an etching mask.例文帳に追加

ハードマスク膜をエッチングマスクとして、エッチング対象膜をエッチングする。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND HARD MASK例文帳に追加

半導体装置の製造方法およびハードマスク - 特許庁

A first hard mask layer is formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に第１ハードマスク層を形成する。 - 特許庁

The hard mask layer is etched by using the first photoresist pattern to form a first hard mask layer pattern.例文帳に追加

第１フォトレジストパターンを用いて、ハードマスク層をエッチングして第１ハードマスク層パターンを形成する。 - 特許庁

After that, the thinned hard mask film HM2 is removed and a trench is formed using the exposed hard mask film HM1 as a mask.例文帳に追加

その後、膜減りしたハードマスク膜ＨＭ２を除去し、露出したハードマスク膜ＨＭ１をマスクにしてトレンチを加工する。 - 特許庁

The hard mask pattern is formed using the left first mask pattern and second mask pattern as an etching mask.例文帳に追加

残留する第１のマスクパターン及び第２のマスクパターンをエッチングマスクとして用い、ハードマスクパターンを形成する。 - 特許庁

The phase-change layer is shaped using the hard mask.例文帳に追加

ハードマスクを用いて相変化層が成形される。 - 特許庁

Then, a sidewall film 80 is formed on the first hard mask 60, and the first hard mask 60, which is not covered with the second hard mask 70, is removed by etching.例文帳に追加

次に、第１ハードマスク６０に側壁膜８０を形成し、第２ハードマスク７０に覆われていない第１ハードマスク６０をエッチング除去する。 - 特許庁

METHOD, ALIGNMENT MARK AND USAGE OF HARD MASK MATERIAL例文帳に追加

方法、アライメントマークおよびハードマスク材料の使用 - 特許庁

A resist mask is formed on the hard masks 7 to 9.例文帳に追加

ハードマスク７〜９上にレジストマスクを形成する。 - 特許庁

The RCHX layer is useful as a hard mask layer, an antireflection layer and a hard mask/antireflection layer.例文帳に追加

ＲＣＨＸ層は、ハードマスク層、反射防止層、およびハードマスク／反射防止層として有用である。 - 特許庁

The pattern forming method is characterized by forming a hard mask layer, providing the step in the hard mask layer and performing anisotropic etching on a substrate using the hard mask layer as an etching mask.例文帳に追加

本発明のパターン形成方法は、ハードマスク層を形成し、該ハードマスク層に段差を設け、該ハードマスク層をエッチングマスクとして基板に異方性エッチングを行うことを特徴とする。 - 特許庁

On the parallel hard mask line and the hard mask spacer layer, a second parallel line pattern (second photoresist film) is formed which intersects with the parallel hard mask line and has a second size width for transcription on the hard mask layer (second etching).例文帳に追加

平行ハードマスクラインおよびハードマスクスペーサ層上に、平行ハードマスクラインと交差し、かつ第２サイズの幅を有する第２平行ラインパターン（第２フォトレジスト膜）を形成し、これをハードマスク層に転写する（第２エッチング）。 - 特許庁

A hard mask is formed overlying a transparent material.例文帳に追加

ハードマスクが、透過材料をオーバーレイして形成される。 - 特許庁

The hard mask is removed with a dissolving solution after the processing.例文帳に追加

加工後のハードマスクは溶解液により除去する。 - 特許庁

The hard mask is etched using the resist pattern and the antireflection film as a mask.例文帳に追加

このレジストパターン及び反射防止膜をマスクとして、ハードマスク膜をエッチングする。 - 特許庁

A metal film 108 is patterned by using a hard mask 109 as a mask ((e) in Fig.).例文帳に追加

ハードマスク１０９をマスクとして、金属膜１０８をパターニングする（図２（ｅ））。 - 特許庁

A hard mask 108 is formed on the organic insulating film, and a second resist pattern 109 having an opening is formed on the hard mask, thereby forming a hard mask pattern 108a.例文帳に追加

有機系絶縁膜上にハードマスク１０８を形成し、ハードマスク上に開口部を有する第２レジストパターン１０９を形成してハードマスクパターン１０８ａを形成する。 - 特許庁

Due to the time setting type over etching of the hard mask layer 16, the hard mask CD and the CD of the photoresist 18 on the hard mask CD are contracted to a desired feature size.例文帳に追加

ハードマスク層１６の時間設定型オーバーエッチングにより、ハードマスクＣＤ及びその上にあるフォトレジスト１８のＣＤが、所望のフィーチャー・サイズまで縮小される。 - 特許庁

After forming an upper electrode layer on the ferroelectric layer, a hard mask structure, equipped with a first hard mask and a second hard mask, is formed on the upper electrode layer.例文帳に追加

強誘電体層上に上部電極層を形成した後、上部電極層上に第１ハードマスク及び第２ハードマスクを具備するハードマスク構造物を形成する。 - 特許庁

A hard mask spacer layer and a hard mask layer are formed on an MTJ element, and a first parallel line pattern (first photoresist film) of a first size width is formed on the hard mask layer.例文帳に追加

ＭＴＪ素子上に、ハードマスクスペーサ層およびハードマスク層を形成し、ハードマスク層上に第１サイズの幅の第１平行ラインパターン（第１フォトレジスト膜）を形成する。 - 特許庁

HARD MASK PATTERN OF SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加

半導体素子のハードマスクパターン及びその形成方法 - 特許庁

SILICON-CONTAINING COMPOSITION FOR SPIN-ON ANTIREFLECTION COATING (ARC)/HARD MASK例文帳に追加

スピンオンＡＲＣ／ハードマスク用のシリコン含有組成物 - 特許庁

METHOD FOR FORMING METALLIC PATTERN USING SACRIFICE HARD MASK例文帳に追加

犠牲ハードマスクを用いて金属パターンを形成する方法 - 特許庁

DOUBLE HARD MASK METHOD FOR FORMING COPPER/LOW-k WIRING例文帳に追加

銅／低ｋ配線を形成するための二重ハードマスク法 - 特許庁

A metal hard mask 8 and an image material 9 are deposited thereon, and a trench pattern is formed on the metal hard mask.例文帳に追加

この上に金属ハードマスク８と結像材料９を堆積し、トレンチパターンを金属ハードマスクに形成する。 - 特許庁

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION AND HARD MASK FORMING MATERIAL例文帳に追加

感放射線性組成物およびハードマスク形成材料 - 特許庁

A hard mask is manufactured for forming the contact hole.例文帳に追加

コンタクトホールを形成するためにハードマスクを作製する。 - 特許庁

The first hard mask layer pattern is etched by using the second photoresist pattern, to form a second hard mask layer pattern.例文帳に追加

第２フォトレジストパターンを用いて、第１ハードマスク層パターンをエッチングして、第２ハードマスク層パターンを形成する。 - 特許庁