「P=type」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD OF FABRICATING P-TYPE NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM例文帳に追加

ｐ型窒化物系化合物半導体膜の作製方法 - 特許庁

The surface of each p-type clad layer 5 is formed flat.例文帳に追加

ｐ型クラッド層５の表面を平坦に形成する。 - 特許庁

A p-type anode layer is formed away from the p-type base layer, and an n-type resistance layer and an n-type drain layer are formed between the p-type anode layer and the p-type base layer.例文帳に追加

そのｐ型ベース層とは離れてｐ型アノード層が形成され、ｐ型アノード層とｐ型ベース層間にｎ型の抵抗層とｎ型ドレイン層が形成される。 - 特許庁

OHMIC CONTACT STRUCTURE ON P-TYPE GaN例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ上のオーム接触構造 - 特許庁

METHOD FOR FORMING HOLE OR GROOVE ON p-TYPE SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

ｐ型シリコン基板への穴溝形成方法 - 特許庁

Thereby, p-type ZnO film is obtained.例文帳に追加

この結果、ｐ型ＺｎＯ膜を得ることができた。 - 特許庁

The p type frame part 30 and the p type electrode 32 are insulated across a groove part 600 and the p type electrode 32 is electrically connected with the p+ type electric circuit 36.例文帳に追加

ｐ型の枠部３０とｐ型の電極３２とは溝部６００を隔てて絶縁されており、ｐ型の電極３２はｐ^+型の電路３６とのみ電気的に接続されている。 - 特許庁

Then, the first trench is filled with a p-type semiconductor 27.例文帳に追加

次いで、第１のトレンチをｐ型半導体２７で埋める。 - 特許庁

p-TYPE THERMOELECTRIC MATERIAL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐ型熱電材料及びその製造方法 - 特許庁

P-TYPE THERMOELECTRIC MATERIAL, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐ型の熱電材料及びその製造方法 - 特許庁

P-TYPE CONTACT ELECTRODE DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

ｐ型コンタクト電極装置および発光装置 - 特許庁

By disposing the P type buried diffusion layer 9 between the P type buried diffusion layer 8 and the P type diffusion layer 10, a lateral diffusion width W1 of the P type buried diffusion layer 8 is reduced.例文帳に追加

そして、Ｐ型の埋込拡散層８とＰ型の拡散層１０との間にＰ型の埋込拡散層９が配置されることで、Ｐ型の埋込拡散層８の横方向拡散幅Ｗ１が狭められる。 - 特許庁

The p-type ohmic electrode 105 is made of Ni.例文帳に追加

ｐ型オーミック電極１０５はＮｉからなっている。 - 特許庁

A P-type impurity is doped on the polysilicon film.例文帳に追加

前記ポリシリコン膜にＰ型不純物をドーピングする。 - 特許庁

Magnesium is added to the p-type GaN-based semiconductor layer 17 as a p-type dopant, and the p-type GaN-based semiconductor layer 17 contains carbon as a p-type dopant.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系半導体層１７にはｐ型ドーパントしてマグネシウムが添加されており、ｐ型ＧａＮ系半導体層１７はｐ型ドーパントとして炭素を含む。 - 特許庁

Next, a type P- type epitaxial layer 3 is formed at the type P- type semiconductor substrate 1 and a type P+ type embedded contact layer 5 is formed in the type P- type epitaxial layer 3.例文帳に追加

次にＰ−型半導体基板１上にＰ−型エピタキシャル層３を形成し、該Ｐ−型エピタキシャル層３内にＰ＋型埋め込みコンタクト層５を形成する。 - 特許庁

In the p-type clad layer 25 or p-type buried region 13, the concentration of the p-type dopant of the second part is lower than the concentration of the p-type dopant of the first part.例文帳に追加

ｐ型クラッド層２５及びｐ型埋め込み領域１３の一方において、第２部分のｐ型ドーパントの濃度が第１部分のｐ型ドーパントの濃度より低い。 - 特許庁

Next, a type P+ type up-diffusing layer 2b that is coupled with the type P+ type embedded contact layer 5 in the P- type epitaxial layer 3 from the P+ type embedded layer 2 is formed.例文帳に追加

次にＰ＋型埋め込み層２からＰ−型エピタキシャル層３内のＰ＋型埋め込みコンタクト層５に連結するＰ＋型這い上がり層２ｂを形成する。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type first clad layer, an active layer, a p-type first second clad layer, a p-type etch stop layer, a p-type second second clad layer, and a p-type contact layer are laminated on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。 - 特許庁

The p-type silicon layer 132 is left therein as it is.例文帳に追加

なお、ｐ型シリコン層１３２は、このまま残るようにする。 - 特許庁

The p-type conductive layer is formed on the active layer, and the transparent conductive layer is formed on the p-type conductive layer, and the non-p-type ohmic contact layer is disposed between the p-type conductive layer and the transparent conductive layer.例文帳に追加

ｐ型導電層は活性層上に形成し、透明導電層はｐ型導電層上に形成し、非ｐ型オーミック接触層はｐ型導電層と透明導電層の間に位置する。 - 特許庁

Thereafter, p-type impurities are ion-implanted with the oxidized film 12 as a mask, a p+-type contact region 8 is formed on the surface layer part of a p-type channel region 6, and a p+-type region 16a is formed on the Poly-Si layer 16.例文帳に追加

この後、酸化膜１２をマスクとしてｐ型不純物をイオン注入し、ｐ型チャネル領域６の表層部にｐ^+型コンタクト領域８を形成すると共に、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１６にｐ^+型領域１６ａを形成する。 - 特許庁

p-TYPE ZINC OXIDE THIN FILM AND METHOD FOR FORMING THE SAME例文帳に追加

ｐ型酸化亜鉛薄膜及びその作製方法 - 特許庁

In an epitaxial layer 12, a p-type embedded layer 13 A of the bottom is embeddedly formed and further a p-type connection layer 13B which connects the p-type embedded layer 13 and a p-type base layer 14 is embeddedly formed.例文帳に追加

エピタキシャル層１２には、底部のｐ型埋め込み層１３Ａが埋め込み形成され、更にｐ型埋め込み層１３とｐ型ベース層１４とを接続するｐ−型接続層１３Ｂが埋め込み形成されている。 - 特許庁

P-TYPE THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ｐ型熱電変換材料およびその製造方法 - 特許庁

In the p-type cladding layer 34, C is doped.例文帳に追加

ｐ型クラッド層３４には、Ｃがドーピングされている。 - 特許庁

The impurity concentration of the p+-type impurity region 33 is higher than the impurity concentration of the p-type well 29, and the p+-type impurity region 33 is formed shallower than that in the p-type well 29.例文帳に追加

ｐ^+型不純物領域３３の不純物濃度はｐ型ウェル２９の不純物濃度よりも高く、また、ｐ^+型不純物領域３３はｐ型ウェル２９よりも浅く形成されている。 - 特許庁

The conductivity type of pixel transistors is a P type.例文帳に追加

画素トランジスタの導電型をＰ型にした。 - 特許庁

P-TYPE SILICON WAFER AND METHOD FOR HEAT-TREATMENT THEREOF例文帳に追加

Ｐ型シリコンウェーハおよびその熱処理方法 - 特許庁

The silicon substrate 40 has a first conductive type (p-type).例文帳に追加

シリコン基板４０は、第１導電型（ｐ型）を有する。 - 特許庁

Then, an N-type epitaxial growth layer 15 is formed on the surface of the P-type substrate, and a P-type diffusion layer 16 is diffused and formed on the P-type first embedded diffusion layer and the P-type second embedded diffusion layer.例文帳に追加

次に、Ｐ型基板の表面上にＮ型エピタキシャル成長層１５を形成し、Ｐ型第一埋込み拡散層とＰ型第二埋込み拡散層との上にＰ型拡散層１６を拡散形成する。 - 特許庁

An NMOS region is formed in the P-type well.例文帳に追加

Ｐ型ウェル内にはＮＭＯＳ領域が形成されている。 - 特許庁

The LED is configured in such a manner that the p-type bonding electrode and the p-type GaN-based semiconductor layer do not form an ohmic contact, and the p-type ohmic electrode is not formed substantially under the p-type bonding electrode.例文帳に追加

ｐ型ボンディング電極とｐ型ＧａＮ系半導体層がオーミック接合しないようにするとともに、ｐ型ボンディング電極の下にはｐ型オーミック電極を実質的に形成しないことを特徴とする。 - 特許庁

The p+ type impurity region 33 has a higher impurity concentration than the p-type well 29 and the p+ type impurity region 33 is formed shallower than the p-type well 29.例文帳に追加

ｐ^+型不純物領域３３の不純物濃度はｐ型ウェル２９の不純物濃度よりも高く、また、ｐ^+型不純物領域３３はｐ型ウェル２９よりも浅く形成されている。 - 特許庁

P-type buried layers 35 are formed on the bottom of the conduits.例文帳に追加

溝の底部には、ｐ埋め込み層35が形成されている。 - 特許庁

The distance from the primary surface to the bottom of a p-type impurity region PR of an I/O p-type transistor is longer than that from the primary surface to the bottom of the p-type impurity region PR of a core p-type transistor.例文帳に追加

主表面からＩ／Ｏｐ型トランジスタのｐ型不純物領域ＰＲの最下部までの距離は、主表面からコアｐ型トランジスタのｐ型不純物領域の最下部までの距離より長い。 - 特許庁

A p-type well 22 is arranged on an n-type substrate 21.例文帳に追加

Ｎ型基板２１上に、Ｐ型ウエル２２が配置される。 - 特許庁

Thus, a p-type region 15 is formed (figure 1d).例文帳に追加

したがって、ｐ型領域１５が形成される（図１ｄ）。 - 特許庁

P-TYPE FIRE ALARM FACILITY, AND ITS FIRE DETECTOR例文帳に追加

Ｐ型火災報知設備およびその火災感知器 - 特許庁

In response to a gate electrode 15, a p-type layer 26a made of p-type AlGaAs is buried in the first barrier layer 24, and a p-type contact layer 26b made of p-type GaAs is buried in the surface layer 25.例文帳に追加

ゲート電極１５に対応してＡｐ型ｌＧａＡｓよりなるｐ型層２６ａを第１の障壁層２４に埋め込んで形成し、ｐ型ＧａＡｓよりなるｐ型コンタクト層２６ｂを表面層２５に埋め込んで形成する。 - 特許庁

The first p-type region 5 is connected to the electrode 10.例文帳に追加

第１のｐ型領域５は、電極１０と接続される。 - 特許庁

FIRE RECEIVER IN P TYPE FIRE ALARM EQUIPMENT例文帳に追加

Ｐ型火災報知設備における火災受信機 - 特許庁

A P-type second clad layer 20 whose thickness is almost 0.4 μm and which is composed of P-type Al0.07Ga0.93N, and a P-type contact layer 21 whose thickness is almost 0.1 μm and which is composed of P-type GaN, are grown on the etching stop layer 19A.例文帳に追加

続いて、エッチング停止層１９Ａの上に、厚さが約０．４μｍのｐ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎからなるｐ型第２クラッド層２０と、厚さが約０．１μｍのｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層２１を成長する。 - 特許庁

Thereafter, a p-type impurity is activated by heat-treatment.例文帳に追加

その後、熱処理により、ｐ型不純物を活性化させる。 - 特許庁

Since the second P-type high concentration impurity region 6 is brought into contact with the P-type semiconductor substrate 1, the concentration of P-type impurity in the P-type semiconductor substrate 1 is increased, and thereby, the holding voltage of the electrostatic protection element is increased.例文帳に追加

すなわち、第２のＰ型高濃度不純物領域６がＰ型半導体基板１と接触するため、Ｐ型半導体基板１におけるＰ型不純物の濃度が高くなり、従って静電気保護素子の保持電圧が高くなる。 - 特許庁