「P=type」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Using a photo resist 5 as the mask, P-type dopants are implanted into a P-type implantation region of the polysilicon film 3 (Fig. 1 (b)).例文帳に追加

フォトレジスト５をマスクとしてポリシリコン膜３のＰ型注入領域にＰ型不純物を注入する（図１（ｂ））。 - 特許庁

A P-type isolation region 2 is formed in part by the diffusion of the P-type impurity in the upper face of the N^- type silicon substrate 1.例文帳に追加

また、Ｎ^-型シリコン基板１の上面内には、Ｐ型不純物の拡散によって、Ｐ型分離領域２が部分的に形成されている。 - 特許庁

The graded composition superlattice layer 20 is formed by laminating p-type ZnTe layers 20a, 20c, 20e, 20g, 20i and p-type ZnSe layers 20b, 20d, 20f, 20h, 20j alternately.例文帳に追加

組成傾斜超格子層２０はｐ型ＺｎＴｅ層２０ａ，２０ｃ，２０ｅ，２０ｇ，２０ｉとｐ型ＺｎＳｅ層２０ｂ，２０ｄ，２０ｆ，２０ｈ，２０ｊとを交互に積層して形成する。 - 特許庁

A p-type cladding layer 6 with the film thickness of about 50 nm made of an Mg doped p-type Al_0.15Ga_0.85N is formed on this active layer 5.例文帳に追加

この活性層５の上には、Ｍｇドープのｐ型Ａｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎから成る膜厚約５０ｎｍのｐ型クラッド層６が形成されている。 - 特許庁

The thickness of a P-type silicon layer 21a is made as thick as a depletion layer on the side of the P-type silicon layer 21.例文帳に追加

また、Ｐ型シリコン層２１aの厚さをＰ型シリコン層２１側の空乏層の厚さと同等にする。 - 特許庁

The p-side electrode contacts a part of the p-type semiconductor layer on a first main surface of the p-type semiconductor layer, which is opposite to the light-emitting layer.例文帳に追加

ｐ側電極は、ｐ型半導体層の発光層とは反対側の第１主面でｐ型半導体層の一部に接する。 - 特許庁

The p-type thermoelectric conversion members 230A and 230B have strip-like electrodes 231A and 231B, and p-type thermoelectric conversion films 233A and 233B respectively.例文帳に追加

ｐ型熱電変換部材２３０Ａ、２３０Ｂは、帯状の電極部２３１Ａ、２３１Ｂとｐ型熱電変換膜２３３Ａ、２３３Ｂを有している。 - 特許庁

Thus, voltage can speedily be transmitted to the p-type body layer 3a, and fixing capacity of voltage in the p-type body layer 3a can be improved.例文帳に追加

よって、Ｐ型ボディ層３ａへの電圧の伝達が素早く行え、Ｐ型ボディ層３ａにおける電圧の固定能力が向上する。 - 特許庁

The bottom N-type well 6 is formed under the P-type well 4a so as to contact the P-type well 4a.例文帳に追加

ボトムＮ型ウェル６は、Ｐ型ウェル４ａに接触するようにＰ型ウェル４ａの下方に形成されている。 - 特許庁

Then, an N-type semiconductor region 7 and a P-type semiconductor region 8 are formed on the N-type flush region 5 and the P-type embedded regions 6.例文帳に追加

そして、Ｎ型埋め込み領域５およびＰ型埋め込み領域６上にＮ型半導体領域７とＰ型半導体領域８を形成する。 - 特許庁

An N-type region 60 is arranged in the P-type well 52 to reach the N-type layer 51 beneath the P-type diffusion region 38.例文帳に追加

Ｎ型領域６０が、Ｐ型拡散領域３８の下方においてＮ型層５１に到達するように、Ｐ型ウエル５２中に配置される。 - 特許庁

Further, GaN and Mn are a p-type at room temperature, so they are usable for a p-type layer of a semiconductor element.例文帳に追加

また、ＧａＮ：Ｍｎは常温でもｐ型を示すので半導体素子のｐ型層として用いることができる。 - 特許庁

The MOSFET region 10 includes a p+ type diffusion region 5 provided in a p type base region 3 and having a first impurity concentration.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ領域１０は、ｐ型ベース領域３に設けられ第１の不純物濃度を有するｐ＋型拡散領域５を備える。 - 特許庁

Since the polycrystalline SiGe film 3 has many p-type defect levels, it exhibits p-type conduction when doped with a small quantity of phosphorus.例文帳に追加

多結晶ＳｉＧｅ膜３はｐ型の欠陥準位を多く持っているので、少量のリンドープではｐ型伝導を示す。 - 特許庁

In the top face of the n-type dopant region 121, a p^+-type source region 126 and a p^+-type drain region 122 are also formed.例文帳に追加

また、ｎ型不純物領域１２１の上面内に、ｐ^+型ソース領域１２６及びｐ^+型ドレイン領域１２２が形成されている。 - 特許庁

At first, an N-type embedded region 5 and P-type embedded regions 6 are formed on a P-type semiconductor base board 4.例文帳に追加

まず、Ｐ型半導体基板４上にＮ型埋め込み領域５およびＰ型埋め込み領域６を形成する。 - 特許庁

The isolation region 1 is formed by connecting P type buried diffusion layers 8, 9 with a P type diffusion layer 10.例文帳に追加

分離領域１は、Ｐ型の埋込拡散層８、９及びＰ型の拡散層１０が連結し、形成されている。 - 特許庁

For example, a trench 13 is formed in a prescribed part of a p^- type region 12 as a p^- type body region.例文帳に追加

例えば、Ｐ型のボディー領域としてのＰ^−型領域１２の所定部に、溝部１３が形成されている。 - 特許庁

The IGBT 10 has an n-type buffer region 12 between a p-type collector region 11 and a p-type base region 14.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１０は、Ｐ型のコレクタ領域１１とＰ型ベース領域１４との間にＮ型のバッファ領域１２を備える。 - 特許庁

Each of the epitaxial light emitting stack layers has a P-type contact and an N-type contact on the same plane as the P-type contact.例文帳に追加

各々の該エピタキシャル発光スタック層は、Ｐ型接触と、該Ｐ型接触と同一平面上のＮ型接触とを有する。 - 特許庁

A p-type low-concentration well region 22 is formed in a well region 21 for n-type drain which is formed in a p-type substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型基板１に形成されたＮ型ドレイン用ウエル領域２１内にＰ型低濃度ウエル領域２２が形成されている。 - 特許庁

The p-type silicon substrate 1 has been manufactured with the CZ method and obtains p-type characteristics by introducing boron as an impurity.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１は、ＣＺ法によりシリコン基板の製造が行われ、また不純物であるボロンを導入し、ｐ型の特性を得ている。 - 特許庁

Concentration of p-type impurity included in the region 21 is about 1.5 to 2.5 times the concentration of the p-type impurity included in the region 22.例文帳に追加

領域２１に含まれるＰ型の不純物の濃度は、領域２２に含まれるＰ型の不純物の濃度の１．５〜２．５倍である。 - 特許庁

In the surface section of the extension drain area 103, in addition, a p-type region 107 composed of a p--type impurity layer is formed.例文帳に追加

延長ドレイン領域１０３の表面部にはｐ^- 型の不純物層からなるｐ型領域１０７が形成されている。 - 特許庁

The first layer of the p-type GaAs layers contacts the p-type band-discontinuity relaxation layer 10 and the m+1 th layer of the GaAs layers contacts a first electrode 14.例文帳に追加

ｐ型ＧａＡｓ層は１層目がｐ型バンド不連続緩和層１０に、ｍ＋１層目が第１電極１４に接している。 - 特許庁

The p-type base layer monotonously decreases in impurity density from an upper-end part 4B of the p-type base layer toward the n-type base layer.例文帳に追加

ｐ形ベース層の不純物濃度は、ｐ形ベース層の上端部４Ｂからｎ形ベース層に向かって単調減少する。 - 特許庁

The crosstalk reduction layer 77 has the same conductivity type as that of the P-type well layer 52 and a higher concentration than that of the P-type well layer 52.例文帳に追加

クロストーク低減層７７は、Ｐ型ウエル層５２と同じ導電型のＰ型で、Ｐ型ウエル層５２よりも高濃度である。 - 特許庁

The n-type punch layer 25 and the p^--type semiconductor layer 23 and a p-type well 28 are electrically separated by forming a pn junction.例文帳に追加

ｎ型打抜き層２５とｐ^-型半導体層２３およびｐ型ウエル２８とは、ＰＮ接合が形成されることによって電気的に分離されている。 - 特許庁

The P type column region 106 in the outer circumferential region is formed deeper than the P type column region 106 in the element forming region.例文帳に追加

外周領域のＰ型コラム領域１０６は、素子形成領域のＰ型コラム領域１０６の深さ以上の深さに形成される。 - 特許庁

After a p-type high-concentration semiconductor layer 21 is grown, the heat treatment 25 of the p-type high-concentration semiconductor layer 21 is carried out.例文帳に追加

ｐ型高濃度半導体層２１を成長した後に、ｐ型高濃度半導体層２１の熱処理２５を行う。 - 特許庁

Subsequently, the surface side of the N-type substrate 10 is planarized (FIG.2(d)) to make the P type epitaxial layer 12 be a P type layer 3.例文帳に追加

この後、Ｎ型基板１０の表面側を平坦化し（図２（ｄ））、Ｐ型エピタキシャル層１２をＰ型層３とする。 - 特許庁

Meanwhile, an ohmic electrode 10 is formed on the rear surface of the P-type substrate 2, which makes contact with the P-type layer 1.例文帳に追加

一方、Ｐ型基板２の裏面にはオーミック電極10を形成しＰ型層１にコンタクトをとる。 - 特許庁

The semiconductor layer is composed of an n-type GaN layer (n-type semiconductor layer) 22 and a p-type GaN layer (p-type semiconductor layer) 23.例文帳に追加

この半導体層は、ｎ型ＧａＮ層（ｎ型半導体層）２２と、ｐ型ＧａＮ層（ｐ型半導体層）２３とからなる。 - 特許庁

The p-type dopant is ion-implanted into a silicon carbide substrate through an opening in a mask to form the deep p-type implantation region.例文帳に追加

炭化シリコン基板内にマスクの開口部を通してｐ型ドーパントをイオン注入して深いｐ型注入領域を形成する。 - 特許庁

The p+ layer 3 extends in a lateral direction from a p-type electrode end, and the width Lp of the p+ layer is larger than the width of the p-type electrode.例文帳に追加

ｐ＋層３はｐ型電極端部から横方向に延在し、ｐ＋層の幅Ｌｐが前記ｐ型電極の幅よりも大きい。 - 特許庁

A transparent electrode layer covers the insulating layer and p-type compound semiconductor layer, and is in ohmic contact with the p-type compound semiconductor layer.例文帳に追加

透明電極層が絶縁層及びｐ型化合物半導体層を覆い、ｐ型化合物半導体層にオーミックコンタクトする。 - 特許庁

A P-type semiconductor region 111 having a higher concentration than the P-type well 107 is arranged below the N-type semiconductor region 110.例文帳に追加

Ｐ型ウェル１０７よりも高濃度のＰ型半導体領域１１１がＮ型半導体領域１１０の下部に配される。 - 特許庁

A semiconductor substrate 10 of a P type, for example, includes a P+type element isolation region 12 adjoining an N--type semiconductor layer 11.例文帳に追加

例えばＰ型の半導体基板１０には、Ｎ−型の半導体層１１と隣接するＰ＋型の素子分離領域１２が形成されている。 - 特許庁

A P+ type contact layer 17 is embedded and formed in a P type base layer 13 just below a bottom face of an N+ type source layer 18.例文帳に追加

Ｐ＋型コンタクト層１７をＮ＋型ソース層１８の底面の直下のＰ型ベース層１３内に埋め込んで形成する。 - 特許庁

The group-III nitride light-emitting device includes an n-type layer, a p-type layer, and an active region which can emit light between the p-type layer and the n-type layer.例文帳に追加

ｎ型層、ｐ型層、及び、ｐ型層とｎ型層との間で発光することができる活性領域を含むＩＩＩ族窒化物発光装置。 - 特許庁

The light emitting element 100 includes a first groove 108 formed on a surface on a side of a p-type layer 104 bonded to a p-type electrode 103.例文帳に追加

発光素子１００は、ｐ型層１０４のｐ電極１０３と接合している側の表面に、第１の溝１０８が形成されている。 - 特許庁

Partial parts of the p-type GaN layer 4 and the active layer 3 are removed, and a transparent electrode layer 5 is formed over the entire surface of the remaining p-type GaN layer 4.例文帳に追加

ｐ型GaN層４及び活性層３の一部を除去して残存したｐ型GaN層４の全面に透明電極層５を形成する。 - 特許庁

A high-concentration n-type region 9 and a p-type region 11 are disposed between the p-type regions 7 adjacent each other.例文帳に追加

隣接するｐ型領域７同士の間には、高濃度ｎ型領域９及びｐ型領域１１が配置されている。 - 特許庁

To provide a Mg_2Si system p-type thermoelectric material having a thermoelectric performance higher than that of the conventional Mg_2Si system p-type thermoelectric material.例文帳に追加

従来のＭｇ_２Ｓｉ系のｐ型熱電材料に比べて熱電性能の高いＭｇ_２Ｓｉ系のｐ型熱電材料を提供する。 - 特許庁

Each of p-type deep layers 10 has a layout where the p-type layer is divided into a plurality portions in a direction intersecting with a trench 6.例文帳に追加

ｐ型ディープ層１０をトレンチ６と交差する方向において複数に分断したレイアウトとする。 - 特許庁