「Phase Change Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

相変化記憶素子及びその製造方法 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

相変化メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND PROGRAM METHOD THEREOF例文帳に追加

相変化メモリ装置及びそのプログラム方法 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

相変化メモリ装置およびその製造方法 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

相変化記憶素子およびその形成方法 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING IT例文帳に追加

相変化メモリ装置及びその形成方法 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF例文帳に追加

相変化メモリ装置およびその製造方法 - 特許庁

PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加

相変化メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND WRITING METHOD THEREFOR例文帳に追加

相変化メモリ装置及びそのライティング方法 - 特許庁

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

相変化メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

相変化メモリ装置およびその製造方法 - 特許庁

PHASE CHANGE TYPE NONVOLATILE MEMORY CELL, MEMORY ARRAY USING PHASE CHANGE TYPE NONVOLATILE MEMORY CELL AND METHOD FOR RECORDING INFORMATION IN PHASE CHANGE TYPE NONVOLATILE MEMORY CELL例文帳に追加

相変化型不揮発性メモリ素子、該相変化型不揮発性メモリ素子を用いたメモリアレーおよび該相変化型不揮発性メモリ素子の情報記録方法 - 特許庁

PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE COMPRISING PHASE-CHANGE SUBSTANCE LAYER INCLUDING PHASE-CHANGE NANO PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

相変化ナノ粒子を含む相変化物質層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

MEMORY DEVICE, ELECTRONIC EQUIPMENT, RECORDING METHOD FOR PHASE CHANGE MEMORY DEVICE例文帳に追加

メモリ装置、電子機器、相変化メモリ素子への記録方法 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

相変化メモリー素子及びその製造方法 - 特許庁

WRITING METHOD IN PHASE CHANGE MEMORY APPARATUS例文帳に追加

相変化メモリ装置における書込動作方法 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD OF PROGRAMMING THE SAME例文帳に追加

相変化メモリ装置及びそのプログラム方法 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME例文帳に追加

相変化メモリ装置及びそれの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR LOW-POWER ACCESS TO PHASE CHANGE MEMORY DEVICE例文帳に追加

相変化メモリデバイスの低電力アクセス方法 - 特許庁

To provide a method for multilevel reading of a phase-change memory cell, and a multilevel phase-change memory device.例文帳に追加

相変化メモリセルのマルチレベル読み取り方法及びマルチレベル相変化メモリデバイスを提供する。 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

相変化メモリ装置及びその製造方法 - 特許庁

PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加

相変化記憶素子及びその形成方法 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY CELL INCLUDING NANOCOMPOSITE INSULATOR例文帳に追加

ナノコンポジット絶縁体を有する相変化メモリセル - 特許庁

PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT HAVING SEMICONDUCTOR LASER PART例文帳に追加

半導体レーザ部を有する相変化メモリ素子 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加

相変化記憶素子およびその形成方法 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND ITS READ METHOD例文帳に追加

相変化メモリ装置及びその読み出し方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT, INCLUDING SURFACE PREPARATION PROCESS FOR PHASE-CHANGE LAYER例文帳に追加

相変化層の表面処理工程を含む相変化メモリ素子の製造方法 - 特許庁

A memory includes an array of each phase change memory cell and a first circuit.例文帳に追加

メモリは、各相変化メモリセルのアレイと、第１回路とを含む。 - 特許庁

PHASE CHANGE MATERIAL LAYER, METHOD FOR FABRICATIBG PHASE CHANGE MATERIAL LAYER, AND MANUFACTURING METHOD FOR PHASE CHANGE MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

相変化物質層、相変化物質層形成方法、及びこれを利用した相変化メモリ装置の製造方法 - 特許庁

PROGRAMMING METHOD AND READING METHOD FOR PHASE-CHANGE MEMORY例文帳に追加

相変化メモリのプログラム方法と読み出し方法 - 特許庁

To provide phase change memory with a high degree of integration.例文帳に追加

集積度の高い相変化メモリを実現する。 - 特許庁

PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE AND READ METHOD THEREOF例文帳に追加

相変化メモリ装置及びそれの読み出し方法 - 特許庁

To provide a method of shaping a phase-change layer in a phase change memory cell.例文帳に追加

本発明は、相変化メモリセルにおける相変化層の成形方法を提供する。 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT WITH DOPED PHASE CHANGE LAYER, AND METHOD FOR OPERATING THE SAME例文帳に追加

ドーピングされた相変化層を備える相変化メモリ素子およびその動作方法 - 特許庁

CONNECTION ELECTRODE SUITABLE FOR PHASE CHANGE MATERIAL, PHASE CHANGE MEMORY DEVICE PROVIDED WITH CONNECTION ELECTRODE, AND MANUFACTURING METHOD OF PHASE CHANGE MEMORY DEVICE例文帳に追加

相変化材料に適した接続電極、該接続電極を備えた相変化メモリー素子、および該相変化メモリー素子の製造方法 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR READING THE SAME例文帳に追加

相変化メモリ装置及びそれの読み出し方法 - 特許庁

PHASE CHANGE NON-VOLATILE MEMORY AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

相変化型不揮発性メモリ及び半導体装置 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT, AND ITS OPERATION AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

相変化メモリ素子、その動作及び製造方法 - 特許庁

PHASE CHANGE TYPE MEMORY ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

相変化型メモリ素子およびその製造方法 - 特許庁

To provide a phase change memory that is mentioned as a kind of a resistive memory and uses a phase change material for a resistive memory element.例文帳に追加

抵抗メモリの一種として挙げられ、抵抗記憶素子に相変化材料を用いた相変化メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a phase-change memory device comprising a phase-change substance layer including phase-change nano particles and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

相変化ナノ粒子を含む相変化物質層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

ELECTRONIC ELEMENT AND PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT USING PHASE CHANGE SUBSTANCE, AND MANUFACTURING METHOD OF THEREOF例文帳に追加

相変化物質を用いた電子素子及び相変化メモリ素子並びにその製造方法 - 特許庁

To provide a phase change memory device containing a phase change material and to provide a method forming it.例文帳に追加

相変化物質を含む相変化メモリ装置及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

PHASE-CHANGE NONVOLATILE MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

相変化型不揮発性メモリおよびその製造方法 - 特許庁

PHASE CHANGE NON-VOLATILE MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

相変化型不揮発性メモリ及びその製造方法 - 特許庁