「Phase Change Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a configuration to prevent an operating current from increasing without any increase in cost even when a memory mixedly mounted logic chip mounted with a phase change memory and a logic circuit is configured such that the phase change element is disposed below lowest-layer wiring.例文帳に追加

相変化メモリとロジック回路とを搭載するメモリ混載ロジックチップにおいて、相変化素子を最下層配線よりも下に配設した構成においても、コストの増大をもたらさず、動作電流の増大も防止した構成を提供する。 - 特許庁

Also the phase change memory has an array of phase change memory cells, and a read disturb system configured to identify the read disturb condition and perform the refresh operation on the array in response thereto.例文帳に追加

また、相変化メモリは、相変化メモリセルのアレイと、読み出し障害の状態を検知し、当該読み出し障害の状態の検知に応じて上記アレイにおけるリフレッシュ動作を実行するように構成される読み出し障害システムとを有する。 - 特許庁

During reading data from any one phase change memory cell chosen among the phase change memory cells in the columns, the first and second bit line selection circuits electrically connect the first and second edges of the local bit line with a global word line.例文帳に追加

カラムの相変化メモリセルのうち選択された何れか一つの相変化メモリセルからデータを読み出す間に、第１及び第２ビットライン選択回路は、ローカルビットラインの第１及び第２端をグローバルワードラインに電気的に連結する。 - 特許庁

A phase change memory cell 202 contains a phase change material 204 whose first material is doped, and the doped phase change material 204 is electrically joined to a first electrode 208 at one edge and to a second electrode 210 at another edge.例文帳に追加

相変化メモリセル２０２は、第１材料がドープされた相変化材料２０４を含み、ドープされた相変化材料２０４は、一方の端部において第１電極２０８に、もう一方の端部において第２電極２１０に、電気的に結合されている。 - 特許庁

To provide a crystallization equipment which carries out an initial crystallization which will not cause the breakage of peeling etc. near a phase-change material in an element preparing process, concerning the phase-change material for a phase-change non-volatile memory cell, and stabilizes its characteristics since the initiation of rewriting.例文帳に追加

相変化不揮発性メモリセル用の相変化材料に関し、素子作成プロセス中に前記相変化材料近傍において剥離などの破壊を生じさせない初期結晶化を行い、書き換えの初期から特性を安定させる結晶化装置を提供する。 - 特許庁

To provide a storage cell for a memory element, a phase change type memory element in which operating current is decreased and high integration is achieved, and its forming method.例文帳に追加

動作電流を減少させて高集積化に適する、記憶素子のための貯蔵セル、ならびに相変化記憶素子及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

For example, writing to the phase change memory is carried out not by overwriting data, but by erasing an object memory cell temporarily and then performing the program operation.例文帳に追加

例えば、相変化メモリへの書き込みは、データの上書きを行うのではなく、一旦、対象となるメモリセルを消去状態とした後、プログラムを行う。 - 特許庁

The write circuit 102 supplies a signal to the target memory cell to crystalize a part of the phase change materials, thereby a resistance value of the target memory cell is lowered.例文帳に追加

書き込み回路１０２は、ターゲットメモリセルへ信号を供給して相変化材料の一部を結晶化し、これによってターゲットメモリセルの抵抗値を下げる。 - 特許庁

A plurality of write driver circuits are linked to the corresponding phase change memory cells and corresponding reset lines of the reset pulse generating circuit.例文帳に追加

複数のライトドライバ回路は対応の相変化メモリセルと対応のリセットパルス発生回路のリセットラインに連結される。 - 特許庁

Another embodiment includes two phase change layers and electrodes which are arranged in a series structure to form a memory cell.例文帳に追加

他の実施の形態は、２個の相変化層と電極を含み、メモリセルを形成するように直列構造に構成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a phase change memory element without requiring a high level process technology and high cost.例文帳に追加

高い水準の工程技術と高費用を必要としない相変化メモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

GERMANIUM PRECURSOR, GST THIN FILM FORMED BY UTILIZING THE SAME, METHOD FOR PRODUCING THE THIN FILM AND PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

ゲルマニウム前駆体、これを利用して形成されたＧＳＴ薄膜、前記薄膜の製造方法及び相変化メモリ素子 - 特許庁

ELECTRONIC DEVICE, PHASE-CHANGE MEMORY INITIALIZATION METHOD AND INITIALIZATION CONTROL PROGRAM USED FOR THE SAME, AND PORTABLE ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

電子機器、該電子機器に用いられる相変化メモリ初期化方法及び初期化制御プログラム、並びに携帯用電子機器 - 特許庁

PHASE-CHANGE MEMORY CELL HAVING CELL DIODE AND BOTTOM ELECTRODE SELF-ALIGNED WITH EACH OTHER, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

互いに自己整合的に形成されたセルダイオード及び下部電極を有する相変化記憶セル及びその製造方法 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a phase change memory which prevents a phase change layer from being easily peeled from an insulating material layer in cleaning compared to a conventional method, the layer to which a countermeasure against peeling of a metal layer cannot be applied without any change.例文帳に追加

金属層に対する剥がれ対策をそのまま適用することができない相変化層を、洗浄時においても従来よりも絶縁材料層から剥がれにくくする相変化メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

The phase-change memory has bit lines extending in a first direction, word lines extending in a second direction perpendicular to the first direction, and a phase-change layer provided between the bit lines and the word lines.例文帳に追加

相変化メモリは、第１の方向に延在するビット線、第１の方向と垂直な第２の方向に延在するワード線及びビット線とワード線の間に設けられた相変化層を有する。 - 特許庁

The method for manufacturing a phase-change memory element including a step that supplies a bivalent first precursor, containing germanium (Ge) onto a lower film, where the phase-change layer is formed is provided.例文帳に追加

相変化層が形成される下部膜上に、ゲルマニウム（Ｇｅ）を含む二価の第１前駆体を供給する段階を含むことを特徴とする相変化メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The phase-change memory has bit lines extending in a first direction, word lines extending in a second direction perpendicular to the first direction, and a phase-change layer provided between the bit lines and the word lines.例文帳に追加

相変化メモリは、第１の方向に延在するビット線、第１の方向と垂直な第２の方向に延在するワード線及びビット線とワード線の間に設けられた相変化層を有する。 - 特許庁

To provide a phase change memory capable of applying a reset current to phase change film for making it amorphous without the need for making the whole device larger and the need for a complicated manufacturing process.例文帳に追加

装置全体の大型化を必要とせず、また複雑な製造工程を要せずに、非晶質化のためのリセット電流を相変化膜に供給することができる相変化メモリを提供する。 - 特許庁

The operation method of phase change memory element, provided with a phase change layer and a means for applying a voltage to the phase change layer, includes a step of applying a reset voltage Vrecet to the phase change layer, wherein the reset voltage Vrecet may contain at least two pulse voltages continuously applied, for example, first to third pulse voltages V1-V3.例文帳に追加

相変化層と相変化層に電圧を印加する手段とを備える相変化メモリ素子の動作方法は、相変化層にリセット電圧Ｖｒｅｃｅｔを印加する段階を含み、リセット電圧Ｖｒｅｃｅｔは、連続印加される少なくとも２つのパルス電圧、例えば第１ないし第３パルス電圧Ｖ１〜Ｖ３を含むことができる。 - 特許庁

The phase change memory device includes: a switching device and a storage node coupled therewith, wherein the storage node includes a lower electrode; a phase change layer formed on the lower electrode; a material layer formed on the upper of the phase change layer; and an upper electrode provided on the phase change layer surrounding the material layer.例文帳に追加

スイッチング素子及びそれに連結されたストレージノードを備える相変化メモリ素子において、ストレージノードは、下部電極と、下部電極上に形成された相変化層と、相変化層の上部に形成された物質層と、物質層周囲の相変化層上に備えられた上部電極と、を備えることを特徴とする相変化メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a variable resistive device and a nonvolatile memory device having a phase change film of low power consumption which is capable of high-speed resistance change and is excellent in the preservation stability of an amorphous phase, and a semiconductor memory utilizing them.例文帳に追加

低消費電力で、高速抵抗変化が可能であり、かつアモルファス相の保存安定性が良好である相変化膜を有する可変抵抗素子および不揮発性メモリ素子およびこれらを利用した半導体メモリを提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a phase change memory to be efficiently heated with a resistance value of an optimum heater electrode and the smallest current, and a manufacturing method of the semiconductor device having a phase change memory easily mass-produced and stably operating.例文帳に追加

最適なヒータ電極の抵抗値により効率よく、最小の電流で加熱できる相変化メモリを備えた半導体装置及び量産しやすく、かつ安定動作可能な相変化メモリを備えた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a programming memory for enabling a fast operation of a phase-change memory including a phase-change element changed between an amorphous state (reset state) and a crystal state (set state), and a reading method corresponding to the programming method.例文帳に追加

アモルファス状態（リセット状態）と結晶状態（セット状態）との間で遷移する相変化素子を有する相変化メモリに対する、高速動作を可能とするプログラム方法と、このプログラム方法に対応した読み出し方法とを提供する。 - 特許庁

The phase-change memory device comprises a first electrode 40 and a second electrode 48 arranged in opposition to each other, a phase-change substance layer 46 interposed between the first electrode and the second electrode and including phase-change nano particles, and a switching device 30 electrically linked with the first electrode.例文帳に追加

相互に対向配置される第１電極40及び第２電極48と、第１電極と第２電極との間に介在されるものであって、相変化ナノ粒子を含む相変化物質層46と、第１電極に電気的に連結されるスイッチング素子30と、を備える相変化メモリ素子である。 - 特許庁

Concretely, the phase change memory device contains a semiconductor structure, and the semiconductor structure includes a substrate where a first doped area is contained and a set of second doped areas are disposed at both ends thereof; the phase change material disposed on the first doped area; and a conductor disposed on the phase change material.例文帳に追加

具体的には、相変化メモリ装置は半導体構造を含み、半導体構造は、第１のドープ領域を含み１組の第２のドープ領域がその両側に配置された基板と、第１のドープ領域上に配置された相変化材料と、相変化材料上に配置された導体とを含む。 - 特許庁

Each of the phase-change memory cells 53 includes the heating layer 45 disposed on a corresponding isolated region of the lower electrode 43, a phase-change material layer 46 disposed to cover the heating layer 45, and an upper electrode 47 disposed on the phase-change material layer 46.例文帳に追加

各々の相変化メモリセル５３は、下部電極４３の対応する分離領域上に形成された発熱層４５と、発熱層４５を覆うように形成された相変化物質層４６と、相変化物質層４６上に形成された上部電極４７とを備える。 - 特許庁

An upright phase change memory layer 140 is stacked on the upright electrode structure 135 with a contact area 145, wherein the contact area 145 serves as a phase transition location.例文帳に追加

直立相変化メモリ層１４０が直立電極構造１３５に重畳されて接触領域１４５で接触し、接触領域１４５は相転移位置になる。 - 特許庁

The mode selector selectively applies the first voltage level to the word line drive circuits according to an operating mode of the phase change memory device.例文帳に追加

モード選択器は、相変化メモリ装置の動作モードによって、ワードライン駆動回路に第１電圧レベルを選択的に印加する。 - 特許庁

The memory region has a phase change portion (5) contacted electrically and thermally with the heater element so that a first current path is formed between the heater element and the remaining portion (4) of the memory element.例文帳に追加

メモリ領域は、ヒータ素子と電気的熱的に接触した相変化部（５）を有し、ヒータ素子とメモリ素子の残りの部分（４）との間に第１の電流路を形成する。 - 特許庁

The non-volatile memory device includes a substrate and a stack of the memory device including a phase change material layer formed in an upper part of the substrate.例文帳に追加

基板と、基板の上部に形成された相変化材料層を含むメモリ素子のスタックとを含み、前記相変化材料層は、アンチモン及び亜鉛合金で形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a vertical chain structure in which a plurality of phase change memories are laminated on a semiconductor substrate, which reduces the difference in rewriting current between an upper memory cell and a lower memory cell.例文帳に追加

半導体基板上に相変化メモリを複数段積層した縦型チェイン構造を有する半導体記憶装置において、上下のメモリセル間で生じる書き換え電流の差を低減する。 - 特許庁

To provide a phase change memory element for preventing degradation and heat loss in a programming region by forming a lower electrode contact layer from a phase change material in order to solve the problem of element degradation, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

素子の劣化問題を解決するために、下部電極コンタクト層を相変化物質から形成し、プログラミング領域での劣化及び熱損失を防止した相変化メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a phase-change memory where low-current high-speed operation becomes possible and reliability is improved, since the heat, generated between the phase-change substance and the electrode, is quickly released to the outside without the heat moving into an element.例文帳に追加

相変化物質と電極間に発生した熱が素子の内部に移動せずに迅速に外部に放出されるため、低電流高速動作が可能になり、信頼性が向上する相変化メモリを提供する。 - 特許庁

Thus the occurrence of recessed portions on the phase-change material layer pattern or formation of a surface oxide film is suppressed to be able to considerably reduce the occurrence of defects in the phase-change memory device.例文帳に追加

これによって、相変化物質層パターンの上部に窪みが発生するか、あるいは表面酸化膜が形成されることを抑制して相変化メモリー装置の不良発生を著しく減少させることができる。 - 特許庁

The semiconductor device has a phase-change memory, an antenna that converts an electromagnetic wave into an AC electric signal, and a power circuit that generates power potential, based on the AC electric signal provided from the antenna, and provides the generated power potential to the phase-change memory.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、相変化メモリと、電磁波を交流の電気信号に変換するアンテナと、アンテナから供給される交流の電気信号を基に電源電位を生成し、生成した電源電位を相変化メモリに供給する電源回路を有する。 - 特許庁

To provide a structure and a manufacturing method for preventing an uneven structure between memory cells, and entire performance reduction of the memory cells, due to overetching of a phase change layer in the memory cells during the formation of the memory cells.例文帳に追加

メモリセルの形成中にメモリセル内の相変化層がオーバーエッチングされることによって、メモリセル間における構造が不均一になり、メモリセルの全体的な性能に影響を及ぼすことを防ぐ構造及び製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nonvolatile memory device, the method making a phase change region be a thin layer without executing an etching process.例文帳に追加

エッチング工程を実施することなく相変化領域を薄層化する不揮発性メモリ装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

An image electrode 25 of a liquid crystal element 5 is connected to a non-volatile image memory element 1 of which the resistance value is changed over by phase change.例文帳に追加

液晶素子５の画素電極２５に相変化により抵抗値が切り替わる不揮発性の画像メモリ素子１を接続する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method in which a void in a heater of a semiconductor integrated circuit device, particularly, a phase change memory device can be eliminated.例文帳に追加

半導体集積回路デバイス、特に相変化メモリデバイスにおけるヒーター内のボイドを無くすことができる製造方法を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT COVERED WITH OXYGEN BARRIER FILM, ELECTRONIC SYSTEM USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

酸素障壁膜で覆われた相変化記憶素子を有する半導体素子、これを用いる電子システム及びこれを製造する方法 - 特許庁

A phase change memory element comprises a semiconductor substrate of first conduction type, and a plurality of wordlines arranged on the semiconductor substrate.例文帳に追加

相変移記憶素子は、第１導電型の半導体基板及び前記半導体基板上に配置された複数のワードラインを備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and a structure increasing the current density of a heater unit by reducing the number of steps, in a semiconductor device with a phase-change memory storing information by heating a phase-change material layer by a heater electrode to change a resistance value.例文帳に追加

相変化材料層をヒータ電極で加熱して抵抗値を変化させ、情報の記憶を行う相変化メモリを備える半導体装置において、工程数を削減してヒータ部の電流密度を高くする製造方法並びに構造を提供する。 - 特許庁

A switching element and a storage node linked with the switching element are provided and the storage node is a phase-change random access memory having a bottom electrode, a top electrode, a phase-change substance layer interposed between the bottom electrode and the top electrode, and an adhesion interfacial layer interposed between the bottom electrode and the phase-change substance layer.例文帳に追加

スイッチング素子及びスイッチング素子に連結されるストレージノードを具備し、ストレージノードは、下部電極及び上部電極、下部電極と上部電極間との間に介在された相変化物質層、及び、下部電極と相変化物質層との間に介在される粘着界面層を有する相変化メモリ素子である。 - 特許庁

The phase change memory device includes a phase change layer, an electrode whose one end contacts the phase change layer, a contact plug connected to the other end of the electrode, and a field-effect transistor in which a source or drain is electrically connected to the contact plug, wherein the electrode is formed of zirconium boron nitride.例文帳に追加

相変化層と、この相変化層に一端が接触する電極と、この電極の他端に接続するコンタクトプラグと、このコンタクトプラグにソースまたはドレインが電気的に接続された電界効果型トランジスタとを備えた相変化メモリ装置であって、前記電極がジルコニウムボロンナイトライドにより形成されている。 - 特許庁