「Phase Change Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereby, the phase change memory is prevented from being excessively crystallized or non-crystallized.例文帳に追加

これにより相変化メモリが過度に結晶化または非結晶化することを避ける。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM, AND MANUFACTURING METHOD OF PHASE CHANGE MEMORY DEVICE USING IT例文帳に追加

薄膜の製造方法およびこれを用いた相変化メモリ素子の製造方法 - 特許庁

To provide a phase change memory element using a cell diode, and its manufacturing method.例文帳に追加

セルダイオードを用いる相変移記憶素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a high density content addressable memory array using a phase change device.例文帳に追加

相変化デバイスを用いた高密度コンテンツ・アドレス可能メモリ・アレイを提供すること。 - 特許庁

Resistance change memory elements (phase change memory elements) Rr and Rm are respectively connected in series to the P0 and N0, and the P1 and N1.例文帳に追加

これに抵抗変化メモリ素子（相変化メモリ素子）Ｒｒ，Ｒｍをそれぞれ、Ｐ０，Ｎ０及びＰ１，Ｎ１に直列に接続している。 - 特許庁

To provide a phase-change memory device, in which the contact area between a phase-change material and a heater electrode is reduced to suppress current necessary for heating and the phase-change material is formed right above a contact which can enhance element integration, and to provide a manufacturing method for the phase-change memory device.例文帳に追加

相変化材料とヒータ電極との接触面積を低減して加熱に必要な電流を抑制すると同時に、相変化領域をコンタクト直上に形成して素子集積度を高めることができる相変化メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The maximum temperature reached (phase change temperature from a phase to an α phase) of the phase change material is lowered to reduce the rewriting current by utilizing an electrostrictive effect of the piezoelectric material layer 122 to apply the compressive stress to the phase change material (the memory layer 124) during the operation of a memory cell MC.例文帳に追加

メモリセルＭＣの動作時に、圧電材料層１２２の電歪効果を利用して相変化材料（記憶層１２４）に圧縮応力を印加することにより、相変化材料の最高到達温度（相からα相への相変化温度）を下げ、書き換え電流を低減する。 - 特許庁

To provide a memory capable of improving storage density by the microfabrication of a physical memory size and contriving a reduction in memory cost in a phase change memory.例文帳に追加

相変化メモリにおいて、物理的なメモリサイズを微細化することによって記憶密度を向上させ、メモリコストの低減をはかることができるメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a phase change memory formed using a self-aligned process and capable of scaling down the memory size cell.例文帳に追加

自己整合プロセスを用いて形成され、メモリセルサイズを微細化することができる相変化メモリを提供する。 - 特許庁

Memory cells including phase-change elements arranged in an intersection part of a bit line and word line are provided in a memory cell array 18.例文帳に追加

ビット線とワード線の交差部に備えられる、相変化素子を含むメモリセルをメモリセルアレイ１８内に備える。 - 特許庁

METHOD OF FORMING PHASE CHANGE LAYER USING GERMANIUM PRECURSOR CAPABLE OF LOW-TEMPERATURE DEPOSITION, AND METHOD OF MANUFACTURING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

低温蒸着が可能なゲルマニウム前駆体を用いた相変化層の形成方法及びその方法を用いた相変化メモリ素子の製造方法 - 特許庁

PHASE-CHANGE SUBSTANCE LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE PROVIDED WITH THE SAME, AND ITS MANUFACTURING METHOD AND OPERATION METHOD例文帳に追加

相変化物質層及びその製造方法、該相変化物質層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法並びに動作方法 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT CONNECTED TO EDGE PART OF THIN FILM ELECTRODE, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

薄膜電極に周囲で接続した相変化メモリ素子およびその製造方法 - 特許庁

To provide a phase change memory device that can be highly integrated and a method of forming the same.例文帳に追加

高集積化が可能である相変化メモリ素子及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a phase change memory which can store three or more states.例文帳に追加

３つまたは３つ以上の状態を記憶することが可能な相変化メモリを提供する。 - 特許庁

MULTILEVEL PHASE CHANGE MEMORY DEVICE TO REDUCE READ ERROR, AND READOUT METHOD THEREOF例文帳に追加

読み出しエラーを減らすことができるマルチレベル相変化メモリ装置及びその読み出し方法 - 特許庁

To provide a method for set programming of a phase change memory array, and to provide a write driver circuit.例文帳に追加

相変化メモリアレイのセットプログラミング方法、及び書き込みドライバ回路を提供する。 - 特許庁

In addition, a method for forming the diode structure of a phase change data memory array is also provided.例文帳に追加

また、相変化データ記憶アレイのダイオード構造を形成する方法も提供される。 - 特許庁

Output from the differential amplifier circuit is connected to a data output terminal for the phase change memory.例文帳に追加

該差動増幅器回路の出力は相変化メモリのデータ出力端子へ結合される。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING PHASE CHANGE MATERIAL LAYER AND MEMORY DEVICE MANUFACTURING METHOD FOR USING THE SAME例文帳に追加

相変化物質層の形成方法及びこれを用いるメモリ装置の製造方法 - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising a phase change memory element covered with an oxygen barrier film.例文帳に追加

酸素障壁膜で覆われた相変化記憶素子を有する半導体素子を提供する。 - 特許庁

There are provided the semiconductor device and an electronic system using the phase change memory element.例文帳に追加

前記相変化記憶素子を用いる半導体素子及び電子システムが提供される。 - 特許庁

ULTRA-HIGH DENSITY DATA STORAGE DEVICE USING PHASE-CHANGE DIODE MEMORY CELLS, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

相変化ダイオードメモリセルを用いる超高密度データ記憶デバイスおよびその製造方法 - 特許庁

To provide a semiconductor containing chalcogenide with a phase change memory and an ovonic threshold value switch.例文帳に追加

相変化メモリ及びオボニック閾値スイッチを備えるカルコゲニド含有半導体を提供する。 - 特許庁

PHASE CHANGE NON-VOLATILE MEMORY DEVICE USING ANTIMONY-ZINC ALLOY, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

アンチモン−亜鉛合金を利用した相変化形不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

A current is allowed to flow in the memory cell MC11 to read a phase state of the phase-change thin film 4, for reading data.例文帳に追加

メモリセルＭＣ_11中に電流を流して相変化薄膜４の相の状態を読み取ることにより、データを読み出す。 - 特許庁

To provide a phase change memory device driving circuit utilizing measurement for controlling current and a method for adjusting the driving current of the phase change memory device utilizing measurement.例文帳に追加

電流を制御するために測定を利用する相変化メモリ装置駆動回路及び測定を利用して相変化メモリ装置の駆動電流を調節する方法を提供する。 - 特許庁

The phase change material layer is formed of antimony and a zinc alloy by which the device stably operates at high speed as compared with a conventional GST memory device, and the phase change memory device of the low power consumption type can be manufactured.例文帳に追加

これにより、従来のＧＳＴメモリ素子に比べて高速で安定的に動作し、且つ低消費電力型である相変化形メモリ素子を製作することができる。 - 特許庁

In executing the method of manufacturing of the phase change memory, a wafer is wet-cleaned using a cleaning liquid such as water or a chemical after patterning the phase change layer.例文帳に追加

相変化メモリを製造する方法を実施する際に、相変化層をパターニングした後にウェハを水や薬液などの洗浄液でウェット洗浄する。 - 特許庁

To provide a phase-change substance layer and method of manufacturing the same, phase-change memory device provided with the same, and its manufacturing method and operation method.例文帳に追加

相変化物質層及びその製造方法、該相変化物質層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法並びに動作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a phase-change memory device and a method of fabricating the same to increase integration and to reduce an amount of operation current of the phase-change memory device by reducing the contact area between a phase-change material layer and a heating layer.例文帳に追加

高集積化が可能であり、相変化物質層と発熱層との接触面積を低減することにより、相変化メモリ素子の動作電流量を減少させることができる相変化メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A parallel current path (11) extends between the heater element (2) and the remaining portion (4) of the memory element and has resistivity depending on the largeness of the phase change portion (5) and smaller than that of the phase change portion (5) so that the whole resistance of the phase change memory device is adjusted.例文帳に追加

並列電流路（１１）は、ヒータ素子（２）とメモリ素子の残りの部分（４）との間に延び、相変化部（５）の大きさに依存し且つ相変化部（５）よりも小さい抵抗を有し、従って、相変化メモリデバイスの全体の抵抗を調整する。 - 特許庁

To provide a phase change memory for programming the memory cell to either one state selected from three or more states.例文帳に追加

３つ以上の状態から選択されたいずれか１つの状態に当該メモリセルをプログラムする相変化メモリの提供。 - 特許庁

To provide a method for minimizing electric power used for programming a memory cell in a phase change memory cell.例文帳に追加

相変化メモリにおいて、メモリセルをプログラムするために用いられる電力量を最小限にする方法を提供する。 - 特許庁

The memory cell of a phase-change memory comprises one diode element and four resistive storage elements formed in its upper part.例文帳に追加

相変化メモリのメモリセルは、１個のダイオード素子とその上部に形成された４個の抵抗性記憶素子とからなる。 - 特許庁

To realize a high-integrated and high-speed nonvolatile memory stably operating a phase change memory in a short operation cycle time.例文帳に追加

短い動作サイクル時間で、相変化メモリの安定動作を可能とし、高集積な高速不揮発性メモリを実現する。 - 特許庁

To provide a further-high-density phase-change memory capable of minimizing an interfacial region between a phase-change material of a memory cell and at least one electrode in order to minimize electric energy for programming the memory cell.例文帳に追加

メモリセルをプログラムするための電力量を最小限に抑えるため、メモリセルの相変化材料と少なくとも１つの電極との界面領域を最小にできる、より密度の高い相変化メモリを提供する。 - 特許庁

The phase-change memory device includes memory cells each having multiple states, and a program pulse generator providing current pulses to the memory cells.例文帳に追加

本発明に従う相変化メモリ装置は、マルチ状態を有するメモリセルとメモリセルに電流パルスを提供するプログラムパルス発生回路とを含む。 - 特許庁

A hierarchical memory device having multiple interfaces with different memory formats includes a Phase Change Memory (PCM).例文帳に追加

異なるメモリ形式を備えた多数のインターフェースを有する階層メモリ・デバイスは、相変化メモリ（Ｐｈａｓｅ Ｃｈａｎｇｅ Ｍｅｍｏｒｙ：ＰＣＭ）を含む。 - 特許庁

To provide a phase-change memory device which can compensate leakage current in a read operation.例文帳に追加

リード動作の時に漏洩電流を補償することができる相変化メモリ装置を提供する。 - 特許庁

A memory cell 202 includes a phase change material 204 arranged in an insulation material 206.例文帳に追加

メモリセル２０２は、絶縁材料２０６内に配置された相変化材料２０４を含んでいる。 - 特許庁

To provide a sputtering target superior in sputtering crack resistance for forming a phase-change memory film.例文帳に追加

相変化型メモリー膜を形成するための耐スパッタ割れ性に優れたスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

Phase change materials in target memory cells 106a to 106d are reset by a write circuit 102.例文帳に追加

書き込み回路１０２は、ターゲットメモリセル１０６ａ〜１０６ｄ内の相変化材料をリセットする。 - 特許庁

To provide a data memory medium having the surface of a phase change layer smooth at an atomic level.例文帳に追加

原子レベルで滑らかな相変化層表面を有するデータ記憶媒体を提供すること。 - 特許庁

MULTIPLE ELECTRODE OF LOW HEAT LOSS AND SMALL AREA OF CONTACT SURFACE FOR PHASE CHANGE MEDIUM MEMORY DEVICE例文帳に追加

相変化媒体メモリデバイスのための、熱損失が小さく接触面積が小さい複合電極 - 特許庁