「Phase Change Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

HIGH DENSITY CONTENT ADDRESSABLE MEMORY USING PHASE CHANGE DEVICE例文帳に追加

相変化デバイスを用いた高密度コンテンツ・アドレス可能メモリ - 特許庁

To provide a method for manufacturing a phase change memory device.例文帳に追加

相変化メモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

PHASE CHANGE TYPE NONVOLATILE MEMORY AND ITS DRIVE CIRCUIT例文帳に追加

相変化型不揮発性記憶装置及びその駆動回路 - 特許庁

MEMORY DEVICE BASED ON PHASE CHANGE AND ITS OPERATION METHOD例文帳に追加

相変化に基づくメモリ装置及びその動作方法 - 特許庁

A phase change cell memory device includes two or more phase change memory cells, an address circuit, a write driver, and a write driver control circuit.例文帳に追加

相変化セルメモリ装置は、複数の相変化メモリセル、アドレス回路、ライトドライバ、及びライトドライバ制御回路を含む。 - 特許庁

To provide a phase change memory cell which can store a plurality of data bits in order to obtain a high density phase change memory.例文帳に追加

高密度の相変化メモリを得るために、複数のデータビットを記憶できる相変化メモリセルを提供する。 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY SELECTION TYPE ELECTRON SOURCE AND PATTERN DRAWING APPARATUS例文帳に追加

相変化メモリ選択型電子源および描画装置 - 特許庁

DRIVING CIRCUIT OF PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND PROGRAMMING METHOD例文帳に追加

相変化メモリ装置の駆動回路及びプログラミング方法 - 特許庁

To provide a nonvolatile phase-change memory structure having a memory structure where a phase-change film cannot be damaged easily, and to provide a reliable phase-change nonvolatile memory.例文帳に追加

相変化膜が、破壊し難いメモリ構造を有する不揮発性相変化メモリ構造を提供し、信頼性の高い相変化型不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a phase change memory device and its manufacturing method.例文帳に追加

相変化メモリ装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY FORMED USING SELF-ALIGNED PROCESS例文帳に追加

自己整合プロセスを用いて形成された相変化メモリ - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY CELL HAVING STEP-LIKE PROGRAMMING CHARACTERISTICS例文帳に追加

階段状のプログラミング特性を有する相変化メモリセル - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE HAVING FULLERENE LAYER例文帳に追加

フラーレン層を具備した相変化メモリ素子の製造方法 - 特許庁

VARIABLE RESISTIVE DEVICE AND PHASE CHANGE NONVOLATILE MEMORY DEVICE例文帳に追加

可変抵抗素子および相変化型不揮発性メモリ素子 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, PHASE CHANGE MEMORY IC, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

相変化メモリ素子、相変化メモリＩＣ、相変化メモリ素子の製造方法および相変化メモリＩＣの製造方法 - 特許庁

To provide a method of forming a phase-change material layer, and a method of forming a phase-change memory element using the method, and also to provide a phase-change memory element.例文帳に追加

相変化物質層の形成方法と、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法及び相変化記憶素子を提供する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING PHASE CHANGE MATERIAL THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

相変化物質薄膜の形成方法及びそれを利用した相変化メモリ素子の製造方法 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a phase-change memory element that includes a surface preparation process for the phase-change layer.例文帳に追加

相変化層の表面処理工程を含む相変化メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT, AND METHOD FOR FORMING PHASE-CHANGE LAYER APPLIED TO THE SAME例文帳に追加

相変化メモリ素子の製造方法及びこれに適用された相変化層の形成方法 - 特許庁

The second phase change memory element includes a second phase change material having a second crystallization temperature.例文帳に追加

前記２相変化メモリ要素は第２結晶化温度を有する第２相変化物質を備える。 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR FORMING PHASE CHANGE LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE UTILIZING THE SAME例文帳に追加

相変化膜の形成方法及び装置、これを利用した相変化メモリ素子の製造方法 - 特許庁

FORMING METHOD OF PHASE-CHANGE MATERIAL LAYER, MANUFACTURING METHOD OF PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT USING THIS METHOD例文帳に追加

相変化物質層の形成方法及びそれを利用した相変化メモリ素子の製造方法 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT PROVIDED WITH SELECTIVELY GROWN PHASE CHANGE LAYER AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

選択的に成長された相変化層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

This phase change memory device has a memory array arranged so that a plurality of phase change memory cells constitute a plurality of rows and columns.例文帳に追加

相変化メモリ装置は、複数の相変化メモリセルが複数のロー及び複数のカラムを構成するように配列されたメモリアレイを有する。 - 特許庁

PHASE-CHANGE NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, SEMICONDUCTOR MEMORY AND DATA PROCESSING SYSTEM例文帳に追加

相変化型不揮発性メモリ素子及び半導体メモリ及びデータプロセシングシステム - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD AND OPERATION METHOD THEREOF例文帳に追加

相変化メモリ素子とその製造方法及び動作方法 - 特許庁

To provide a phase change memory element and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

相変化メモリ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

STATE DETERMINATION OF PHASE CHANGE MEMORY USING THRESHOLD EDGE DETECTION例文帳に追加

閾値エッジ検出を用いる相変化メモリの状態判定 - 特許庁

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SLURRY COMPOSITION FOR PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE POLISHING AND METHOD OF POLISHING PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

相変化メモリデバイスの研磨用化学機械研磨用スラリー組成物およびそれを使った相変化メモリデバイスの研磨方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE HAVING BOTTOM ELECTRODE例文帳に追加

下部電極を有する相変化記憶素子の形成方法 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE INCLUDING MEMORY CELL HAVING DIFFERENT PHASE CHANGE MATERIALS, AND METHOD AND SYSTEM RELATED TO THE SAME例文帳に追加

互いに異なる相変化物質を備えたメモリセルを有する相変化メモリ素子、それに関連した方法及びシステム - 特許庁

The phase change memory includes two phase change layers and electrodes which are arranged in a parallel structure to form a memory cell.例文帳に追加

相変化メモリは、２個の相変化層と電極を含み、メモリセルを形成するために並列構造で構成される。 - 特許庁

PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE AND ITS PROGRAM-SUSPEND-READ METHOD例文帳に追加

相変化メモリ装置及びそれのプログラムサスペンド読み出し方法 - 特許庁

To improve the integration density of a semiconductor memory device provided with a phase change memory element.例文帳に追加

相変化メモリ素子を備える半導体記憶装置の集積密度を上げる。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING PHASE CHANGE TYPE MEMORY ELEMENT AND MEMORY ELEMENT MANUFACTURED BY THE METHOD例文帳に追加

相変化型メモリ素子の製造方法および該方法で製造したメモリ素子 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND SYSTEM INCLUDING PHASE-CHANGE OTP MEMORY CELL, AND RELATED METHOD例文帳に追加

相変化ＯＴＰメモリセルを含む不揮発性メモリ素子、システム及びその方法 - 特許庁

METHOD AND DEVICE USING PHASE CHANGE MEMORY AS REPLACEMENT FOR BUFFERED FLASH MEMORY例文帳に追加

バッファードフラッシュメモリを置き換えとして相変化メモリを用いる方法及び装置 - 特許庁

MEMORY DEVICE, IN PARTICULAR, PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE WITH TRANSISTOR, AND METHOD FOR FABRICATING MEMORY DEVICE例文帳に追加

メモリデバイス、特に、トランジスタを備えた相変化ランダムアクセスメモリデバイス、およびメモリデバイスを形成する方法 - 特許庁

MEMORY DEVICE, PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE PARTICULARLY PROVIDED WITH TRANSISTOR, AND MEMORY DEVICE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

メモリデバイス、特にトランジスタを有する相変化ランダムアクセスメモリデバイス、およびメモリデバイスの形成方法 - 特許庁

The first phase change memory element includes a first phase change material having a first crystallization temperature.例文帳に追加

前記１相変化メモリ要素は第１結晶化温度を有する第１相変化物質を備える。 - 特許庁

The phase memory cell consists of a phase change memory elements 21-23 connected in series and a diode.例文帳に追加

相変化メモリセルは、直列に接続された相変化メモリ素子２１〜２３とダイオードとから構成される。 - 特許庁

To limit peak power consumption during write-in of phase change memory.例文帳に追加

相変化メモリの書込み時のピーク電力消費を制限する。 - 特許庁

To provide a phase-change memory device and a read method thereof.例文帳に追加

相変化メモリ装置及びそれの読み出し方法を提供する。 - 特許庁

To provide a phase change memory having high compatibility with a DRAM.例文帳に追加

ＤＲＡＭに対し互換性の高い相変化メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a phase change memory storage device which normally operates.例文帳に追加

正常に動作する相変化メモリ記憶装置を提供する。 - 特許庁