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Phase Change Memoryの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 512件
THIN FILM PHASE-CHANGE MEMORY例文帳に追加
薄膜相変化メモリ - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY AND PHASE CHANGE MEMORY MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
相変化メモリ及び相変化メモリの製造方法 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING PHASE CHANGE MEMORY例文帳に追加
相変化メモリ及び相変化メモリの製造方法 - 特許庁
PHASE CHANGE RECORDING MEDIUM AND PHASE CHANGE MEMORY例文帳に追加
相変化記録媒体および相変化メモリ - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT, PHASE CHANGE CHANNEL TRANSISTOR AND MEMORY CELL ARRAY例文帳に追加
相変化メモリ素子、相変化チャンネルトランジスタおよびメモリセルアレイ - 特許庁
PHASE CHANGE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加
相変化半導体メモリ装置 - 特許庁
METHOD FOR DRIVING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND PHASE CHANGE MEMORY DEVICE例文帳に追加
相変化メモリ装置の駆動方法及び相変化メモリ装置 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE例文帳に追加
相変化メモリ装置および相変化メモリ装置の製造方法 - 特許庁
RECORDING MATERIAL FOR PHASE CHANGE SOLID MEMORY AND PHASE CHANGE SOLID MEMORY例文帳に追加
相変化固体メモリの記録材料及び相変化固体メモリ - 特許庁
APPARATUS OF FORMING PHASE CHANGE MEMORY AND METHOD OF FORMING PHASE CHANGE MEMORY例文帳に追加
相変化メモリの形成装置、及び相変化メモリの形成方法 - 特許庁
The phase change memory device 100 includes an array of phase change memory cells.例文帳に追加
相変化メモリ装置100は、相変化メモリセルのアレイからなる。 - 特許庁
To provide a phase change memory element and a method of forming the phase change memory element.例文帳に追加
相変化記憶素子およびその形成方法を提供する。 - 特許庁
METHOD OF SHAPING PHASE-CHANGE LAYER IN PHASE-CHANGE MEMORY CELL例文帳に追加
相変化メモリセルにおける相変化層の成形方法 - 特許庁
COMPLEMENTARY PHASE-CHANGE MEMORY CELL AND MEMORY CIRCUIT例文帳に追加
相補型相変化メモリセル及びメモリ回路 - 特許庁
OPERATION METHOD OF PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT例文帳に追加
相変化メモリ素子の動作方法 - 特許庁
PHASE CHANGE TYPE NONVOLATILE MEMORY例文帳に追加
相変化型不揮発性記憶装置 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
相変化メモリ装置及び半導体記憶装置 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY READING DISTRIBUTION MANAGEMENT例文帳に追加
相変化メモリの読み出し分布管理 - 特許庁
LOWER POWER PHASE CHANGE MEMORY CELL HAVING DIFFERENT PHASE CHANGE MATERIAL例文帳に追加
異なる相変化材料を有する低電力相変化メモリセル - 特許庁
ELECTRONIC MEMORY STRUCTURE OF PHASE CHANGE MATERIAL例文帳に追加
相変化材料の電子メモリ構造 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND PROGRAMMING METHOD例文帳に追加
相変化メモリ装置及びプログラム方法 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
相変化メモリおよびその作製方法 - 特許庁
PHASE-CHANGE MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
相変化メモリおよびその製造方法 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
相変化メモリおよびその製造方法 - 特許庁
METHOD AND SYSTEM FOR DRIVING PHASE CHANGE MEMORY例文帳に追加
相変化メモリの駆動方法とシステム - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
相変化メモリおよびその製造方法 - 特許庁
To provide a method for driving a phase change memory device and the phase change memory device.例文帳に追加
相変化メモリ装置の駆動方法及び相変化メモリ装置を提供する。 - 特許庁
MULTIVALUED-RECORDING PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT, MULTIVALUED-RECORDING PHASE-CHANGE CHANNEL TRANSISTOR, AND MEMORY CELL ARRAY例文帳に追加
多値記録相変化メモリ素子、多値記録相変化チャンネルトランジスタおよびメモリセルアレイ - 特許庁
PHASE-CHANGE MEMORY CELL HAVING HEAT INSULATION MECHANISM例文帳に追加
遮熱機構を有する相変化メモリセル - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY HAVING TEMPERATURE BUDGET SENSOR例文帳に追加
温度バジェットセンサを備えた相変化メモリ - 特許庁
PHASE-CHANGE MEMORY HAVING OVONIC THRESHOLD SWITCH例文帳に追加
オボニック閾値スイッチを有する相変化メモリ - 特許庁
The phase-change memory cell includes a phase-change layer, formed of a phase-change material on a semiconductor body.例文帳に追加
相変化メモリセルは、相変化材料から成る相変化層を半導体ボディ上に含む。 - 特許庁
To provide a phase-change memory having memory elements and selection elements.例文帳に追加
相変化メモリはメモリ要素と選択要素とを有する。 - 特許庁
METHOD FOR LOW-STRESS MULTILEVEL READING OF PHASE-CHANGE MEMORY CELL, AND MULTILEVEL PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE例文帳に追加
相変化メモリセルの低ストレスマルチレベル読み取り方法及びマルチレベル相変化メモリデバイス - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
相変化メモリ装置とその製造方法 - 特許庁
PHASE-CHANGE MATERIAL ELEMENT AND SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
相変化材料素子および半導体メモリ - 特許庁
MEMORY CELL CONTAINING DOPED PHASE CHANGE MATERIAL例文帳に追加
ドープされた相変化材料を含むメモリセル - 特許庁
SET PULSE FOR PHASE CHANGE MEMORY PROGRAMMING例文帳に追加
相変化メモリのプログラミングのためのセットパルス - 特許庁
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