「Phase Change Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a phase change memory utilizing a carbon nanotube, which dramatically reduces a contact area between a phase change substance and a lower electrode, is operated while saving power, and further improves the degree of integration, and to provide a method of manufacturing the phase change memory.例文帳に追加

相変化メモリにおいて、相変化物質と下部電極との接触面積を画期的に減らして、低電力で動作可能であり、かつ、集積度をさらに向上させることができる炭素ナノチューブを利用した相変化メモリ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

MULTIPLE LEVEL CELL PHASE CHANGE MEMORY DEVICE HAVING PRE-READ OPERATION RESISTANCE DRIFT RECOVERY, MEMORY SYSTEM EMPLOYING THE SAME, AND METHOD FOR READING THE MEMORY DEVICE例文帳に追加

プリ読み出し動作抵抗移動回復を有するマルチプルレベルセル相変化メモリ装置、そのメモリ装置を搭載したメモリシステム、そのメモリ装置を読み出す方法 - 特許庁

Thereby, it is made possible to prevent degradation of performance of a phase-change memory element, and also materialize a phase-change memory element optimized for at least either one of high integration and power consumption reduction.例文帳に追加

これによって、相変化記憶素子の特性低下を防止し、高集積化及び低消費電力化の少なくともいずれか一方に最適化された相変化記憶素子を実現することができる。 - 特許庁

According to this invention, when a phase change layer is formed by the above forming method upon the manufacture of a phase change semiconductor memory, its memory properties are improved, further, the manufacturing process is simple, and cost can be reduced.例文帳に追加

本発明によれば、相変化半導体メモリの製造時に前記形成方法で相変化層を形成すれば、メモリ特性が向上し、また、製造工程が簡単でコストが低減できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a phase change memory efficiently rewritable with a small current, and a manufacturing method of the semiconductor device having a phase change memory easily mass-produced and stably operating.例文帳に追加

小さな電流で効率よく書換え出来る相変化メモリを備えた半導体装置及び量産しやすく、かつ安定動作可能な相変化メモリを備えた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The phase change memory device includes a write driver supplying a program current to a phase change memory cell and the pump circuit for increasing current supply capacity of the write driver during programming operation.例文帳に追加

相変化メモリ装置は相変化メモリセルにプログラム電流を供給する書き込みドライバとプログラム動作のときに前記書き込みドライバの電流供給能力を増加させるためのポンプ回路とを含む。 - 特許庁

The phase change memory device 1 includes: a phase change region 15a; a first insulating layer 13 disposed below the phase change region 15a so as to contact the phase change region 15a; and a conductor layer 11 disposed below the first insulating layer 13 so as to contact the first insulating layer 13 and having at least partially disposed immediately below the phase change region 15a.例文帳に追加

相変化メモリ装置１は、相変化領域１５ａと、相変化領域１５ａの下に、相変化領域１５ａに接して配される第１絶縁層１３と、第１絶縁層１３の下に第１絶縁層１３に接して配されると共に、少なくとも一部が相変化領域１５ａの真下に配される導体層１１と、を備える。 - 特許庁

To provide a phase-change random access memory the structure of which has been improved so that the adhesion of a phase-change substance layer is improved, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

相変化物質層の粘着性を改善させることができるように、その構造の改善された相変化メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor storage device having a structure minimally suppressing the performance degradation of a phase-change memory or the like having a phase-change film and an interface film and a manufacturing method for the semiconductor storage device.例文帳に追加

相変化膜及び界面膜を有する相変化メモリ等の性能劣化を最小限に抑えた構造の半導体記憶装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

PHASE-CHANGE LAYER WITH DIFFERENT CRYSTALLINE LATTICE STRUCTURE IN ONE LAYER AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT WITH TITANIUM-DIFFUSION PREVENTING MEANS AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

１層で異なる結晶格子構造を有する相変化層及びその形成方法、並びにＴｉ拡散防止手段を備える相変化メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

Thereby, an electric power consumption of the phase change memory element can be decreased by reducing a contact area of the heating electrode 106 and the phase change substance pattern 116a.例文帳に追加

これによって、加熱電極１０６と相変化物質パターン１１６ａの接触面積を減少させて相変化記憶素子の消費電力を減少させることができる。 - 特許庁

In the memory cell array, a phase change film 8 is prepared on a transistor through an insulating film 5, a thermal buffer film 14 is prepared on the phase change film 8 through the insulating film.例文帳に追加

メモリセルアレイでは、トランジスタ上に絶縁膜５を介して相変化膜８が設けられ、相変化膜８上に絶縁膜を介して熱バッファ膜１４が設けられる。 - 特許庁

The phase change memory cell 200a has a first electrode, a second electrode, a phase change material 204 provided between the first electrode and the second electrode.例文帳に追加

相変化メモリセル２００ａは、第１の電極、第２の電極、および第１の電極と第２の電極との間に備えられた相変化材料２０４を有している。 - 特許庁

To provide a driving method and a driving system that avoid over-writing of a phase change memory.例文帳に追加

相変化メモリが過度に書き込まれる（over-writing）ことを避ける駆動方法および駆動システムを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device equipped with a phase-change memory which is sufficiently compatible with a DRAM interface.例文帳に追加

ＤＲＡＭインタフェースに対し互換性の高い、相変化メモリを備える半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a new phase change type nonvolatile memory device for which multi-valued recording can be surely performed.例文帳に追加

確実に多値記録を行うことが可能な新規な相変化型の不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a process to produce a phase change memory cell having a completely self-aligned vertical heater.例文帳に追加

完全に自己整列式の縦ヒータ素子を備えた相変化メモリセルを製造するためのプロセスを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target superior in mechanical strength for forming a phase-change memory film.例文帳に追加

機械的強度に優れた相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a phase-change memory device capable of reading data without causing any performance degradation even when boundary crossing occurs.例文帳に追加

境界交差が発生しても、性能低下なしにデータを読出せる相変化メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a phase change memory device that can be highly integrated and a method of forming the same.例文帳に追加

高い集積度で集積化が可能である相変化メモリ素子及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a phase change memory device which enhances the driving ability of a bit line and/or a word line.例文帳に追加

ビットラインおよび／またはワードラインの駆動能力を向上させた相変化メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a phase change memory having a small cross-sectional area that allows alleviating a requirement for an electric current.例文帳に追加

電流に対する要件を軽減可能な小さな断面積を有する相変化メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a phase change semiconductor memory device in which a leakage current can be compensated during read operation.例文帳に追加

リード動作時に漏洩電流を補償することができる相変化メモリ装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a phase change memory element connected to the edge part of a thin film electrode, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

薄膜電極に周囲で接続した相変化メモリ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of forming a phase change memory device includes a step of preparing a substrate with bottom patterns.例文帳に追加

この相変化記憶素子の形成方法は下部パターンが備えられた基板を準備する工程を含む。 - 特許庁

To provide a technique for achieving a memory cell structure in which the temperature of a diode does not easily rise even when the temperature of phase change materials rises in a non-volatile storage device having a phase change memory configured of cross point type memory cells obtained by combining storage elements made of phase change materials with selection elements made of diodes.例文帳に追加

相変化材料からなる記憶素子とダイオードからなる選択素子とを組み合わせたクロスポイント型のメモリセルによって構成される相変化メモリを備えた不揮発性記憶装置において、相変化材料を高温にしてもダイオードが高温になりにくいメモリセル構造を実現することのできる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a phase change memory utilizing a carbon nanotube that reduces the contact area between a phase change substance and a lower electrode drastically, is operated while saving on power, and improves the degree of integration further, and also to provide a manufacturing method of the phase change memory.例文帳に追加

相変化メモリにおいて、相変化物質と下部電極との接触面積を画期的に減らして、低電力で動作可能であり、かつ、集積度をさらに向上させることができる炭素ナノチューブを利用した相変化メモリ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method and a device, which use a phase change memory available as a replacement of a NAND flash memory connected to a buffer, such as a static random access memory and/or a random access memory.例文帳に追加

相変化メモリは、例えば、スタティックランダムアクセスメモリ及び／又はランダムアクセスメモリのようなバッファと結合したＮＡＮＤフラッシュメモリを置き換えるために用いられることが可能である。 - 特許庁

To provide a transistor-mounted resistor switching memory device such as a phase change random access memory (PCRAM), and a method for manufacturing the device.例文帳に追加

相変化ランダムアクセスメモリ（「ＰＣＲＡＭ」）などの、トランジスタを備えた抵抗スイッチングメモリデバイス及びそのメモリデバイスの形成方法を提供する。 - 特許庁

To prevent storage data from losing in a phase change memory, etc., of which the memory holding property are affected by an accumulated temperature budget.例文帳に追加

累積された温度バジェットにより記憶保持特性が影響される相変化メモリ等において、記憶データの消失を防止する。 - 特許庁

To enable mass-production of a large-scale phase change memory device by establishing between good electricity characteristics and good thermal characteristics in the phase change memory device and by improving the degree of freedom of selecting materials for an electrode and a wiring.例文帳に追加

相変化メモリ装置における良好な電気特性と良好な熱特性を両立させ、電極や配線の材料選択の自由度も高めて、大規模な相変化メモリ装置の量産を可能とすること。 - 特許庁

To provide a method for producing a target for forming a phase change recording film used for a phase change RAM (Random Access Memory) as one kind of a semiconductor nonvolatile memory with which presputtering time is shortened.例文帳に追加

半導体不揮発メモリーの一種である相変化メモリー（Ｐｈａｓｅ Ｃｈａｎｇｅ ＲＡＭ）に用いられる相変化記録膜を形成するためのプレスパッタ時間の短いターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

A memory comprises: a volume comprising a phase change material; a first transistor coupled with the volume comprising the phase change material for accessing a first storage location in the volume comprising the phase change material; and a second transistor coupled with the volume comprising the phase change material for accessing a second storage location in the volume comprising the phase change material.例文帳に追加

メモリは、相変化材料から成るボリュームと、上記相変化材料から成るボリューム内の第１の記憶場所にアクセスするために上記相変化材料から成るボリュームに結合されている第１のトランジスタと、上記相変化材料から成るボリューム内の第２の記憶場所にアクセスするために上記相変化材料から成るボリュームに結合されている第２のトランジスタと、を含んでいる。 - 特許庁

To reduce a circuit scale by unnecessitating a potential switching circuit in a writing circuit in a phase change memory device.例文帳に追加

相変化メモリ装置内の書き込み回路において、電位切り替え回路を不要とし、回路規模を小さくする。 - 特許庁

To provide a memory structure in which electric characteristics are controlled by indirectly heating a phase change material.例文帳に追加

相変化材料を間接的に加熱することによって電気特性が制御されるメモリ構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a phase change memory device having a lower electrode including a low-resistance lower layer and a high resistance upper layer.例文帳に追加

低抵抗の下層と高抵抗の上層とを含む下部電極を有する相変化メモリ素子を提供する。 - 特許庁

The first electrode, the storage location, and the second electrode constitute a pillar phase change memory cell.例文帳に追加

上記第１の電極、上記記憶場所、および上記第２の電極は、ピラー相変化メモリセルを形成している。 - 特許庁

The phase change memory cells each includes a substance which can be programmed between the amorphous state and the crystalline state.例文帳に追加

前記各相変化メモリセルは非晶質状態と結晶状態との間でプログラム可能な物質を含む。 - 特許庁

The first electrode, the second electrode, and the phase change material 204 form a via or a trench memory cell.例文帳に追加

第１の電極、第２の電極、および相変化材料２０４は、ビアまたはトレンチメモリセルを形成している。 - 特許庁

METHOD OF FORMING VIA STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT MERGED OF SUCH VIA STRUCTURES例文帳に追加

ビア構造体の形成方法及びこのようなビア構造体を合併させた相変化記憶素子の製造方法 - 特許庁

The phase change memory device improves reliability of read operation while the resistance values of the phase change substance changes with time.例文帳に追加

詳述した構成を通して、本発明の相変化メモリ装置は、時間の経過によって変動する相変化物質の抵抗値にもかかわらず、読み出し動作の信頼性を高めることができる。 - 特許庁

To provide an electrode structure applicable to a phase change memory for decreasing an operating power and an operating current, and decreasing a contact area between an electrode and a phase change layer.例文帳に追加

動作電力および動作電流を低減するために、電極と相変化層との間の接触面積を低減するため、相変化メモリに適用可能な電極構造の提供。 - 特許庁

To provide the antimony precursor of a phase change substance capable of lowering a consumption current value for reset/set programming, a phase change memory device utilizing the same, and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

リセット／セットプログラミングのための消費電流値を低くし得る相変化物質のアンチモン前駆体、それを利用した相変化メモリ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The phase-change memory cell 200a includes a first electrode 202, a dielectric material layer 204, a spacer material layer 206, a phase-change layer 208, and a second electrode 210.例文帳に追加

相変化メモリセル２００ａは、第１の電極２０２、誘電体材料層２０４、スペーサ材料層２０６、相変化材料層２０８、および第２の電極２１０を有している。 - 特許庁

The recording material for the phase change solid memory may include a uniform-mixed phase that includes: a tellurium atom containing alkali metal iodide phase or a tellurium atom containing silver iodide phase, and a tellurium-antimony alloy phase.例文帳に追加

テルル原子を含むアルカリ金属ヨウ化物相又はテルル原子を含む銀ヨウ化物相と、テルルとアンチモンとからなる合金相との均一混合相から構成されることを特徴とする相変化固体メモリの記録材料。 - 特許庁