「Phase Change Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

LOW-CURRENT AND HIGH-SPEED PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE AND DRIVING METHOD THEREFOR例文帳に追加

低電流高速相変化メモリ素子及びその駆動方法 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

相変化メモリ装置および相変化メモリ装置の製造方法 - 特許庁

TELLURIUM (Te) PRECURSOR FOR MANUFACTURING PHASE-CHANGE MEMORY MATERIAL例文帳に追加

相変化メモリ材料を製造するためのテルル（Ｔｅ）前駆体 - 特許庁

ANTIMONY PRECURSOR, PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

アンチモン前駆体、相変化メモリ素子およびその製造方法 - 特許庁

A phase change memory 40 is formed by laminating memory cells constituted of a phase change element and a transistor in four steps on a semiconductor substrate.例文帳に追加

相変化メモリ４０は、相変化素子とトランジスタから構成されるメモリセルが半導体基板上に４段積層形成される。 - 特許庁

To provide a phase change memory device and a method for forming the same.例文帳に追加

相変化記憶素子およびその形成方法を提供する。 - 特許庁

This nonvolatile memory includes: a phase-change memory cell array which includes a plurality of normal phase-change memory cells and a plurality of pseudo one time programmable (OTP) phase-change memory cells; a write driver which writes data into the normal and pseudo OTP phase-change memory cells of the phase-change memory cell array; and an OTP controller which selectively disables the write driver.例文帳に追加

本発明において、不揮発性メモリは複数のノーマル相変化メモリセルと複数の擬似ワンタイムプログラマブル（ＯＴＰ）相変化メモリセルとを含む相変化メモリセルアレイ、前記相変化メモリセルアレイの前記ノーマルと擬似ＯＴＰ相変化メモリセルにデータを書き込む書き込みドライバ、及び前記書き込みドライバを選択的にディセーブルするＯＴＰ制御器を含む。 - 特許庁

The phase change memory apparatus is provided with a memory array provided with a plurality of phase change memory cells, word lines connected to respective phase change memory cells, a voltage of the word line connected to a selected phase change memory cells, at the time of read operation, is transitioned between at least two voltage stages having different voltage levels.例文帳に追加

相変化メモリ装置は、複数の相変化メモリセルを備えるメモリアレイと、それぞれの相変化メモリセルに接続されるワードラインと、を備え、読み出し動作時に、選択された相変化メモリセルに接続されたワードラインの電圧レベルは、相異なる少なくとも２段階の電圧レベルを有する。 - 特許庁

The phase-change memory element is provided with a phase-change memory part which is provided with a phase-change layer pattern; a laser beam focusing part which locally focuses a laser beam to the phase-change layer pattern of the phase-change memory part; and semiconductor laser part which generates the laser beam and emits the laser beam to the laser beam focusing part.例文帳に追加

相変化層パターンを備える相変化メモリ部と、相変化メモリ部の相変化層パターンにレーザビームを局部的に集束するレーザビーム集束部と、レーザビームを発生させてレーザビーム集束部にレーザビームを放出する半導体レーザ部と、を備える相変化メモリ素子である。 - 特許庁

To provide a phase change type nonvolatile memory cell capable of recording/erasing at a high speed, and to provide a memory array using the phase change type nonvolatile memory cell and a method for recording information in the phase change type nonvolatile memory cell.例文帳に追加

高速記録・消去が可能な相変化型不揮発性メモリ素子、該相変化型不揮発性メモリ素子を用いたメモリアレーおよび該相変化型不揮発性メモリ素子の情報記録方法を提供する。 - 特許庁

To materialize a phase change memory device having a structure with high thermal efficiency and to enable mass production of large-scale phase change memory IC by solving many problems caused by IC composition of the phase change memory.例文帳に追加

熱効率の高い構造をもつ相変化メモリ素子を実現すること、および、相変化メモリのＩＣ化に伴う諸問題を解消して、大規模な相変化メモリＩＣの量産を可能とする。 - 特許庁

A phase change memory may be replaced with a low-cost NAND flash because the phase change memory may have sufficiently low cost, and the phase change memory may be replaced with a static random access memory and/or a random access memory in buffer memory packaged in combination with a NAND flash memory because the phase change memory has sufficiently high performance.例文帳に追加

相変化メモリは十分に低コストであることが可能であるため、低コストのＮＡＮＤフラッシュと置き換えることが可能であり、相変化メモリは十分高い性能を有するため、ＮＡＮＤフラッシュメモリを伴ってパッケージングされるバッファメモリにおいてスタティックランダムアクセスメモリ及び／又はランダムアクセスメモリと置き換えることが又できる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING PHASE-CHANGE MATERIAL LAYER PATTERN, METHOD OF MANUFACTURING PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE, AND PHASE-CHANGE MATERIAL POLISHING SLURRY COMPOSITION FOR USE IN THE METHODS例文帳に追加

相変化物質層パターンの形成方法、相変化メモリー装置の製造方法、及びこれに使用される相変化物質層研磨用スラリー造成物 - 特許庁

The phase change memory 80 includes a phase change film 16, lower plugs 12, 13 and an insulating film 15 between the phase change film 16 and lower plugs 12, 13.例文帳に追加

相変化メモリ８０は、相変化膜１６、下部プラグ１２，１３、および相変化膜１６と下部プラグ１２，１３との間に存する絶縁膜１５を備えている。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE COMPRISING GST CHALCOGENIDE PATTERN例文帳に追加

ＧＳＴカルコゲニドパターンを備える相変化メモリ素子の製造方法 - 特許庁

There is also provided the method of manufacturing the phase change memory element.例文帳に追加

前記相変化記憶素子を製造する方法も提供される。 - 特許庁

PHASE-CHANGE NONVOLATILE MEMORY, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

相変化型不揮発メモリ、その製造方法および半導体装置 - 特許庁

PROGRAMMING METHOD OF PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND WRITE DRIVER CIRCUIT THEREFOR例文帳に追加

相変化メモリ装置のプログラミング方法及びその書込みドライバ回路 - 特許庁

To provide a phase change memory with improved reading/writing performance.例文帳に追加

読み出し／書き込み性能を向上した相変化メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a phase change memory cell structure having a small size and an element.例文帳に追加

小さなサイズの相変化メモリセル構造及び素子を提供する。 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT ADOPTING CELL DIODE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

セルダイオードを採用する相変移記憶素子及びその製造方法 - 特許庁

SET PROGRAMMING METHOD AND WRITE DRIVER CIRCUIT FOR PHASE CHANGE MEMORY ARRAY例文帳に追加

相変化メモリアレイのセットプログラミング方法及び書き込みドライバ回路 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY UTILIZING CARBON NANOTUBE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

炭素ナノチューブを利用した相変化メモリ及びその製造方法 - 特許庁

A phase-change memory device includes a lower electrode 43 and at least two phase-change memory cells 53 sharing the lower electrode 43.例文帳に追加

相変化メモリ素子は、下部電極４３と、下部電極４３を共有する少なくとも２つの相変化メモリセル５３と、を備える。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR PHASE CHANGE MEMORY, FILM FOR PHASE CHANGE MEMORY FORMED BY USING THE TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING THE TARGET例文帳に追加

相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び同ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜並びに同ターゲットの製造方法 - 特許庁

The provided multilevel phase change memory has a larger number of bits and a larger capacity than a memory having a single phase change layer.例文帳に追加

提供されたマルチレベル相変化メモリは、単一相変化層を有するメモリよりも多くのビット及びより高い容量を有する。 - 特許庁

To provide a phase change memory device with memory cells, having different phase change materials, and to provide a method and system related to the device.例文帳に追加

互いに異なる相変化物質を有するメモリセルを備える相変化メモリ素子、それに関連した方法及びシステムを開示する。 - 特許庁

A manufacturing method of a memory device of a phase change material and a phase change memory device prepared by the method thereof are included.例文帳に追加

本発明は、相変化材料のメモリ装置を形成する方法、およびその方法によって作製される相変化メモリ装置を含む。 - 特許庁

To provide a phase-change memory device with a phase-change substance pattern that is shared by mutually adjacent cells.例文帳に追加

互いに隣接するセルに共有された相変化物質パターンを備える相変化メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a forming method of a phase-change material layer and a manufacturing method of a phase-change memory element using this method.例文帳に追加

相変化物質層の形成方法及びそれを利用した相変化メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR UNIFORMLY MAINTAINING RESISTANCE RANGE OF PHASE-CHANGE MATERIAL IN RESET STATE例文帳に追加

リセット状態での相変化物質の抵抗値の範囲を均一に維持する相変化メモリ装置及びその方法 - 特許庁

To provide a phase-change memory device (PRAM) small in a contact area between a phase-change recording layer and a heater electrode.例文帳に追加

相変化記録層とヒータ電極の接触面積の小さい相変化メモリ装置（ＰＲＡＭ）を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a phase-change memory element, and to provide a method for forming a phase change layer applied to the same.例文帳に追加

相変化メモリ素子の製造方法及びこれに適用された相変化層の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide management of a dual inline memory module (DIMM) memory device having a phase change memory (PCM) module.例文帳に追加

相変化メモリ（ＰＣＭ）モジュールを有するデュアルインラインメモリモジュール（ＤＩＭＭ）メモリデバイスの管理を提供する。 - 特許庁

STORAGE CELL FOR MEMORY ELEMENT, AS WELL AS PHASE CHANGE TYPE MEMORY ELEMENT AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

記憶素子のための貯蔵セル、ならびに相変化記憶素子及びその形成方法 - 特許庁

CONTROLLING CIRCUITRY AND MEMORY ARRAY RELATIVE HEIGHT IN PHASE CHANGE MEMORY FEOL PROCESS FLOW例文帳に追加

相変化メモリのＦＥＯＬプロセスフローにおける回路及びメモリアレイの相対的高さの制御 - 特許庁

To provide a memory device which performs multi-level recording for a phase change memory device.例文帳に追加

相変化メモリ素子に多値記録を行うことが可能であるメモリ装置を提供する。 - 特許庁

SUPERDENSE DATA MEMORY USING PHASE CHANGE DIODE MEMORY CELL, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

相変化ダイオードメモリセルを使用する超高密度データ記憶装置およびその製造方法 - 特許庁

To provide a phase change type nonvolatile memory operated surely and easily as a storage device by solving a basic problem of a phase change type nonvolatile memory (Ovonic-memory) using phase change materials as a storage cell.例文帳に追加

相変化材料を記憶セルとして用いる相変化型不揮発性記憶装置（Ovonic-memory）の原理的問題点を解決し、記憶装置として確実且つ容易に動作する相変化型不揮発性記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the memory cell forming region for a phase change memory wherein a MISFET is used as a memory cell selecting transistor QM, a phase change material layer CG is common to the memory cells comprising resistance elements R using the phase change material.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴをメモリセル選択用トランジスタＱＭとして用いる相変化メモリのメモリセル形成領域において、相変化材料を用いた抵抗素子Ｒからなるメモリセルの相変化材料層ＣＧを共通化する。 - 特許庁

To provide a phase change type nonvolatile memory operated surely and easily as a storage device by solving a basic problem of a phase change type nonvolatile memory (Ovonic memory) using phase change materials as a storage cell.例文帳に追加

相変化材料を記憶セルとして用いる相変化型不揮発性記憶装置（Ovonic-memory）の原理的問題点を解決し、記憶装置として確実且つ容易に動作する相変化型不揮発性記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The storage cell for the memory element and the phase change type memory element have a first phase change substance pattern 107a', and a high resistance phase change substance pattern 109a' formed on the first phase change substance pattern 107a'.例文帳に追加

記憶素子のための貯蔵セル、ならびに相変化記憶素子は、第１相変化物質パターン１０７ａ’と、第１相変化物質パターン１０７ａ’上に形成された高抵抗相変化物質パターン１０９ａ’とを備える。 - 特許庁

In a phase change memory 40, a memory cell array is prepared, which consists of a memory cell portion in which a plurality of memory cells are connected in series, to which a memory transistor and a phase change film are connected in parallel, and a select transistor portion.例文帳に追加

相変化メモリ４０では、メモリトランジスタと相変化膜が並列接続されるメモリセルが複数個直列接続されたメモリセル部とセレクトトランジスタ部から構成されるメモリセルアレイが設けられる。 - 特許庁

To improve the reliability of a semiconductor device with a phase change memory.例文帳に追加

相変化メモリを備えた半導体装置の信頼性を向上する。 - 特許庁

To provide a technology for reducing the rewriting current of a phase change memory.例文帳に追加

相変化メモリの書き換え電流を低減する技術を提供する。 - 特許庁