「Phase Change Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The phase change memory device includes an integrated circuit substrate; and first and second phase change memory elements arranged on the integrated circuit substrate.例文帳に追加

相変化メモリ素子は集積回路基板及び前記集積回路基板上に配置された第１及び第２相変化メモリ要素を備える。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR PHASE CHANGE-TYPE MEMORY, FILM FOR PHASE CHANGE MEMORY FORMED BY USING THE TARGET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE TARGET例文帳に追加

相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び同ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜並びに及び同ターゲットの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR READING PHASE-CHANGE MEMORY WITHOUT TRIGGERING RESET CELL THRESHOLD DEVICE例文帳に追加

リセットセル閾値デバイスをトリガすることなく相変化メモリを読み出す方法 - 特許庁

This method for programming the phase change memory device comprises a process of measuring the resistance value of a phase change substance during programming of the phase change memory device and adjusting the current to be supplied to the phase change substance in the phase change memory device in response to the measured resistance value.例文帳に追加

相変化メモリ装置をプログラミングする方法において、相変化メモリ装置のプログラミング中に相変化物質の抵抗値を測定し、測定された抵抗値に応答して、相変化メモリ装置の相変化物質に供給する電流の大きさを調節する工程を含む相変化メモリ装置のプログラミング方法である。 - 特許庁

To provide a phase change non-volatile memory that is less likely to have exfoliation of phase changed film at manufacturing.例文帳に追加

製造時に相変化膜の剥離が起こり難い相変化型不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

In the bottom layer of the memory part 20, a first phase change layer 22 formed of a first phase change material is disposed.例文帳に追加

メモリ部２０の最下層には、第１の相変化材料で形成された第１の相変化層２２が配置されている。 - 特許庁

To provide a method of forming a phase change material thin film, and to provide a method of manufacturing a phase change memory device using the same.例文帳に追加

相変化物質薄膜の形成方法及びそれを利用した相変化メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce energy consumed in a heater electrode in phase change to reduce power consumption of a phase-change memory device.例文帳に追加

相変化時にヒータ電極で消費されるエネルギーを低減して、相変化メモリ装置の低消費電力化を実現する。 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE HAVING INCREASED CONTACT AREA BETWEEN BOTTOM ELECTRODE CONTACT LAYER AND PHASE CHANGE LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

下部電極コンタクト層と相変化層とが広い接触面積を持つ相変化メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

A phase change memory comprises a phase change layer, a first electrode, and a porous dielectric layer formed to have a plurality of pores.例文帳に追加

相変化層と、第１電極と、複数の孔を有する形成された多孔質誘電層と、を備える相変化メモリ。 - 特許庁

To control circuitry and memory array relative height in a phase change memory FEOL process flow.例文帳に追加

相変化メモリのＦＥＯＬプロセスフローにおいて回路及びメモリアレイの相対的高さを制御する。 - 特許庁

The device is a circuit and a method for the memory device for a phase change memory, and the like.例文帳に追加

本発明によれば、相変化メモリ等のメモリ装置用の回路及び方法が提供される。 - 特許庁

A phase change memory device 10 includes a heater element (2) and a memory region (3) of a chalcogenic material.例文帳に追加

ヒータ素子（２）及びカルコゲニック材料のメモリ領域（３）を有する相変化メモリデバイス（１０）。 - 特許庁

To provide a memory controller for a phase change memory (PCM) that can be used on a storage bus interface.例文帳に追加

記憶バスインターフェイスに使用できる相変化メモリ（ＰＣＭ）のためのメモリコントローラを提供する。 - 特許庁

To provide a phase change memory capable of scaling down the memory size using a self-aligned process.例文帳に追加

自己整合プロセスを用いて、メモリセルサイズを微細化することができる相変化メモリを提供する。 - 特許庁

The phase-change memory device includes memory cells, a boosting circuit, a precharge circuit, a bias circuit, and a sense amplifier.例文帳に追加

相変化メモリ装置は、メモリセル、昇圧回路、プリチャージ回路、バイアス回路、及びセンスアンプを含む。 - 特許庁

To provide a method of forming a phase-change material layer pattern, a method of manufacturing a phase-change memory device, and a phase-change material polishing slurry composition for use in the methods.例文帳に追加

相変化物質層パターンの形成方法、相変化メモリー装置の製造方法、及びこれに使用される相変化物質層研磨用スラリー造成物が開示される。 - 特許庁

To provide a phase change memory in which a phase change layer is not easily peeled off from an insulating layer compared to a conventional memory, even if heating and cooling are repeated.例文帳に追加

加熱及び冷却を繰り返しても相変化層の絶縁層からの剥がれが従来よりも起こりにくい相変化メモリを提供する。 - 特許庁

Data are first read in step S4, when data are written in a phase-change memory.例文帳に追加

相変化メモリにデータを書込む際にステップＳ４で一旦データを読出す。 - 特許庁

To provide a phase change memory device for reducing the contact region of a phase change memory layer and an electrode and increasing integration effect, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

相変化メモリ層と電極の接触領域を減少させ、集積効果を改善する相変化メモリ装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a phase-change memory element and a method of forming the same.例文帳に追加

本発明は、相変化記憶素子及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a phase-change memory device chemical mechanical polishing (CMP) slurry composition for polishing a phase-change memory device at high speed.例文帳に追加

本発明は、高速で相変化メモリデバイスを研磨することができる、相変化メモリデバイスの化学機械研磨（ＣＭＰ）用スラリー組成物を提供することを課題とする。 - 特許庁

A phase change memory device comprises a plurality of phase change memory cells and a reset pulse generating circuit configured to output a plurality of sequential reset pulses.例文帳に追加

複数の相変化メモリセルと複数の順次リセットパルスを出力するために構成されたリセットパルス発生信号を含んだ相変化メモリ装置が提供される。 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY APPARATUS, AND METHOD OF CONTROLLING READ OPERATION THEREOF例文帳に追加

相変化メモリ装置及び相変化メモリ装置の読み出し動作の制御方法 - 特許庁

SPUTTERING TARGET SUPERIOR IN SPUTTERING CRACK RESISTANCE FOR FORMING PHASE-CHANGE MEMORY FILM例文帳に追加

耐スパッタ割れ性に優れた相変化型メモリー膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁

MEMORY DEVICE CONTAINING PHASE CHANGE MATERIAL, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF SAME例文帳に追加

相変化材料を含むメモリ装置、半導体装置、及びその形成方法 - 特許庁

To provide a phase change memory device and a method of programming the same.例文帳に追加

本発明は相変化メモリ装置及びそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a phase-change memory device having a fullerene layer.例文帳に追加

フラーレン層を具備した相変化メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pillar phase change memory cell that allows conditions, in which the pillar cell of a phase change memory becomes structurally unstable due to uneven etching, to be controlled.例文帳に追加

エッチング処理の不均一により、層変化メモリのピラーセルが構造的に不安定となる状況を制御可能にするピラー相変化メモリセルを提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus of forming a phase change memory that enhances the speed of reading and writing operations in the phase change memory including laminated metallic chalcogenide films, and to provide a method of forming the change memory.例文帳に追加

金属カルコゲナイド膜の積層体を有する相変化メモリにおいて、読み書き動作の速度を高めることのできる相変化メモリの形成装置、及び相変化メモリの形成方法を提供する。 - 特許庁

To achieve the large-scale mass production of phase change memory devices by suppressing heat discharge from both of upper and lower side metals in a phase change area in a memory cell of a phase change memory device, and minimizing the reduction of heat efficiency.例文帳に追加

相変化メモリ装置のメモリセル部における、相変化領域の上側ならびに下側の金属からの放熱を共に抑制し、熱効率の低下を最小限化して、大規模な相変化メモリ装置の量産を可能とすること。 - 特許庁

To provide a writing method in a phase-change memory apparatus that can optimize resistance distribution of phase-change material.例文帳に追加

相変化物質の抵抗分布を最適化することができる相変化メモリ装置における書込動作方法を提供する。 - 特許庁

PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE WITH PHASE-CHANGE SUBSTANCE PATTERN SHARED WITH MUTUALLY ADJACENT CELL, AND ELECTRONIC PRODUCT PROVIDED WITH THE SAME例文帳に追加

互いに隣接するセルに共有された相変化物質パターンを備える相変化メモリ素子及びそれを備える電子製品 - 特許庁

PHASE-CHANGE MEMORY SYSTEM SELECTIVELY OPERABLE AS NON-VOLATILE MEMORY, AND VOLATILE MEMORY AND METHOD FOR OPERATING THE SYSTEM例文帳に追加

不揮発性メモリ及び揮発性メモリで選択的に動作可能な相変化メモリ装置及び相変化メモリ装置の動作方法 - 特許庁

When data are to be written into a phase change memory, the data are temporarily read in a step S4.例文帳に追加

相変化メモリにデータを書込む際にステップＳ４で一旦データを読出す。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a phase change memory element having a contact of a small area.例文帳に追加

小さな接点を有する相変化記憶素子の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a ultra-high density data storage device using phase-change diode memory cells.例文帳に追加

相変化ダイオードメモリセルを用いる超高密度データ記憶デバイスを提供する。 - 特許庁

Each memory cell includes a phase-change material and a diode, and is connected to a bitline.例文帳に追加

前記メモリセルは、相変化物質及びダイオードを含み、ビットラインに接続される。 - 特許庁

To achieve high speed writing by shortening verification time in a phase-change memory.例文帳に追加

相変化メモリにおけるベリファイ時間を短縮し、高速書込を実現する。 - 特許庁

This phase-change memory device is provided with a plurality of lower electrodes located in a matrix.例文帳に追加

相変化メモリ素子は、行列に配された複数個の下部電極を備える。 - 特許庁

The porous dielectric layer is formed between the phase change memory and the first electrode.例文帳に追加

多孔質誘電層は、相変化層と第１電極との間に形成される。 - 特許庁

PHASE-CHANGE MEMORY APPLIED WITH ALN HEAT DISSIPATING LAYER AND TIN LOWER ELECTRODE例文帳に追加

ＡｌＮ熱放出層及びＴｉＮ下部電極が適用された相変化メモリ - 特許庁

The multilevel phase change memory, the method of operating the same, and the method of manufacturing the same are provided.例文帳に追加

マルチレベル相変化メモリ、及びその動作方法と製造方法である。 - 特許庁

MINUTE CONTACT AREA IN SEMICONDUCTOR DEVICE, HIGH PERFORMANCE PHASE CHANGE MEMORY CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE MEMORY CELL例文帳に追加

半導体装置における微小コンタクト領域、高性能相変化メモリセル及びその製造方法 - 特許庁

To provide a phase change memory allowing for a multi-bit data memory that can repeatedly perform programming with high reliability.例文帳に追加

高い信頼性で繰り返しプログラムできる多ビットデータ記憶が可能な相変化メモリを提供する。 - 特許庁