「QUANTUM WIRE」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a display device that is made compact and thin when using a quantum wire as a transistor for driving the display device.例文帳に追加

表示装置を駆動させるためのトランジスタとして量子細線を用いた場合に、小型化および薄型化をより図ることが可能な表示装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser 11 having a complex distribution return structure includes each quantum wire 19a-19e having a gain responsive to current application and the intermediate semiconductor region 21 not having a gain and has a comparatively wide stop band.例文帳に追加

複素型分布帰還構造の分布帰還構造の半導体レーザ１１は、電流の印加に応答した利得を持つ各量子細線１９ａ〜１９ｅと利得を持たない中間半導体領域２１とを含んでおり、また比較的広いストップバンドを有する。 - 特許庁

An inversion layer 110 induced by a voltage applied to the gate electrode 103 is contracted due to the expansion of the depletion layers 108a and 108b produced by a negative voltage applied to the second gate electrodes 106a and 106b, and the inversion layer 110 is turned into a quantum fine wire 107.例文帳に追加

ゲート電極１０３の電圧によって生じた反転層１１０が、第２ゲート電極１０６ａ、１０６ｂの負電圧によって形成される空乏層１０８ａ、１０８ｂの拡大により収縮し、反転層が量子細線１０７となる。 - 特許庁

A source electrode 42 and a drain electrode 43 isolated from each other along a length direction of the quantum wire 13 electrically conducted with the high mobility channel via a contact layer 30, and a gate electrode 41 opposed to the channel 20 via a Schottky junction interposed via an insulating layer between the electrode 42 and the electrode 43 are provided.例文帳に追加

コンタクト層30を介して高移動度チャネル13に電気的に導通する一方で、量子細線13の長さ方向に沿って互いには離間したソース電極42、ドレイン電極43と、ソース電極42とドレイン電極43の間に設けられ、絶縁層を介するかショットキ接合を介して低移動度チャネル20に臨むゲート電極41を設ける。 - 特許庁

The second thin film 13 is anisotropically etched through the etching masks 15b for the formation of fine patterns 13a, and after a selective oxidation process is carried out using the fine patterns 13a as an oxidation mask, the fine patterns 13a are selectively removed, the first thin film 12a is eliminated, and then a quantum fine wire 17 is epitaxially grown on a part where the semiconductor substrate 11 is exposed.例文帳に追加

エッチングマスク１５bを介して第２薄膜１３を異方性エッチングすることにより形成された微細パターン１３aを酸化用マスクとして選択酸化した後、微細パターン１３aを選択的に除去すると共に、第１薄膜１２aを除去して、半導体基板１１が露出した部分に量子細線１７をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁