「"QUANTUM WIRE"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The quantum wire 5 is composed of In_XGa_1-XAs (0<X≤1) for instance.例文帳に追加

量子細線５は、例えばＩｎ_XＧａ_1-XＡｓ（０＜Ｘ≦１）からなる。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a quantum wire, which enhances the flatness of the surface of a silicon film subsequent to the formation of the quantum wire and can form the quantum wire having a complete electron confinement region with good controllability, and a semiconductor element having the quantum wire.例文帳に追加

量子細線の形成後のシリコン表面の平坦性がよく、完全な電子の閉じ込め領域を有する量子細線を制御性よく形成できる量子細線の製造方法およびその量子細線を用いた半導体素子を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR LASER, AND QUANTUM WIRE STRUCTURE例文帳に追加

半導体装置の製造方法，半導体レーザの製造方法，及び量子細線構造の製造方法 - 特許庁

Each quantum dot 6 is formed on a position close to the edge of each quantum wire 5 due to its growth characteristic.例文帳に追加

量子ドット６は、その成長特性より、量子細線５の縁に近い位置に形成されている。 - 特許庁

The quantum wire 5 has confinement components not only in the height direction but also in the width direction.例文帳に追加

量子細線５は、高さ方向だけでなく幅方向にも閉じ込め成分を持つ。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING QUANTUM WIRE STRUCTURE, AND METHOD OF MANUFACTURING DFB LASER ELEMENT例文帳に追加

量子細線構造を作製する方法およびＤＦＢレーザ素子を作製する方法 - 特許庁

A quantum wire 5 is formed so as to be extended along the side face of each step of the barrier layer 4.例文帳に追加

障壁層４の各ステップの側面に沿って延びる量子細線５が形成されている。 - 特許庁

The channels between the source side end of the quantum wire channel 12 and the source 16, and between the drain side end and the drain 17 are composed of channels composed of quantum well layers 23 of widening sections 22 widened as compared with the width dimension of the quantum wire 12.例文帳に追加

この量子細線チャネル12のソース側端とソース16の間、及びドレイン側端とドレイン17の間のチャネル部分を、量子細線12の幅寸法に比して拡幅した拡幅部22の量子井戸層23によるチャネルで構成する。 - 特許庁

To provide a formation technique of a quantum wire capable of demonstrating a superior shape and sufficient characteristics in a distributed feedback semiconductor laser and the like with respect to a formation process of a quantum wire formed on a grating substrate.例文帳に追加

グレーティング基板上に形成される量子細線の形成方法として、分布帰還半導体レーザ等に応用するに十分な形状、特性を発揮し得る量子細線の形成手法を提供する。 - 特許庁

Further, the distance t1 between the projection portion 71 (72) of the gate electrode 7 and the quantum wire 9 is smaller than the distance t2 between the part of the gate electrode 7 other than the projection portion 71 (72) and the quantum wire 9.例文帳に追加

また、ゲート電極７の凸部７１（７２）と量子細線９との間の距離ｔ１は、ゲート電極７の凸部７１（７２）以外の部分と量子細線９との間の距離ｔ２よりも小さい。 - 特許庁

This method of manufacturing a quantum wire structure includes processes of: forming an insulator mask 16 by using a resist mask having a width larger than that of a desired quantum wire structure; and forming a quantum wire 17 by etching a multiple quantum well layer 12 by using the insulator mask 16.例文帳に追加

本発明に係る量子細線構造の作製方法は、所望の量子細線構造の幅よりも太い幅を有するレジストマスクを用いて絶縁体マスク１６を形成する工程と、この絶縁体マスク１６を用いて多重量子井戸層１２をエッチングし量子細線１７を形成する工程とを備える。 - 特許庁

An InGaAs quantum wire 13 having a relatively narrow energy band gap as a high mobility channel is formed at the bottom of the trench.例文帳に追加

トレンチ底面に、高移動度チャネルとして、相対的に狭いエネルギバンドギャップを有するInGaAs量子細線13を形成する。 - 特許庁

Thereby, the width of the resist mask for the insulator mask 16 can be increased relative to the wire width of the quantum wire structure.例文帳に追加

このため、絶縁体マスク１６のためのレジストマスクの幅は、量子細線構造の細線幅より太くできる。 - 特許庁

To obtain a quantum wire structure with good reproducibility by a relatively loose design rule.例文帳に追加

量子細線構造に関し、比較的緩いデザイン・ルールで再現性良く量子細線構造を実現する。 - 特許庁

FORMATION PROCESS OF QUANTUM WIRE OR QUANTUM WELL LAYER, AND DISTRIBUTED FEEDBACK LASER例文帳に追加

量子細線または量子井戸層の形成方法、及び該形成方法により形成された量子細線または量子井戸層を用いた分布帰還半導体レーザ - 特許庁

In a channel, a part located under a gate 18 that is the middle section of the channel between a source 16 and a drain 17 is composed of a quantum wire 12.例文帳に追加

ソース16とドレイン17間のチャネルの途中部分であってゲート18の下に位置する部分を量子細線12により構成したチャネルとする。 - 特許庁

To form a quantum wire of nanometer size using a semiconductor substrate, e.g. an Si substrate, and genera film deposition technology, lithography technology and etching technology.例文帳に追加

Ｓi基板等の半導体基板を用い、一般的な成膜技術,リソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、ナノメータサイズの量子細線を形成する。 - 特許庁

Since the width of the insulator mask 16 is reduced by etching while etching the multiple quantum well layer 12, the quantum wire 17 having a desired width is formed.例文帳に追加

多重量子井戸層１２のエッチング中に、絶縁体マスク１６の幅がエッチングにより細くなるので、所望の幅を有する量子細線１７が形成される。 - 特許庁

To form a protrusion in the order of nanometer that can be used as a quantum dot or a quantum wire on the surface of a substrate and to form a protrusion in the order of nanometer configured of an element different from that constituting the substrate.例文帳に追加

基板の表面に量子ドット又は量子細線として利用可能なナノメートルオーダの凸部を形成すること、及び、基板を構成する元素と異なる元素で構成されたナノメートルオーダの凸部を形成する。 - 特許庁

After the above films 3 and 5 are removed, a quantum wire 7a separately insulated from the substrate 1 is formed of an oxide film 5A formed by an oxidation of the substrate 1.例文帳に追加

そして、上記窒化膜３,酸化膜５を除去した後、半導体基板１の酸化により形成された酸化膜５Aによって半導体基板１と分離絶縁された量子細線７aを形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a quantum wire structure capable of restraining roughness of a resist mask side surface due to increase of the amount of electron beam exposure, for forming a minute resist mask.例文帳に追加

微細なレジストマスクを形成するための電子ビーム露光量の増大によるレジストマスク側面のラフネスを抑制することが可能な量子細線構造の作製方法を提供する。 - 特許庁

The waveguide is trapezoidal, and it is exposed while its circumferential side is not embedded at least at a height or more of the quantum wire 13, or it is not covered with a layer other than the insulating layer 17.例文帳に追加

光導波路は台形形状であって、少なくとも量子細線13の高さ位置以上での周側面は埋め込まれずに露出するか、または絶縁層17以外の層では覆われないようにする。 - 特許庁

Since the quantum wires 19a-19e in the light-emitting region 17 have various widths (Wa-We), the gain spectrum of whole light-emitting region becomes wider than the gain spectrum of each individual quantum wire 19a-19e.例文帳に追加

発光領域１７の量子細線１９ａ〜１９ｅが様々な幅（幅Ｗａ〜Ｗｅ）を有するので、発光領域全体の利得スペクトルは、個々の量子細線１９ａ〜１９ｅの利得スペクトルよりも広くなる。 - 特許庁

In this dual channel layer (13 plus 14), the width of a channel in the direction normal to the lengthwise direction of the channel, where hot carriers travel is narrowed down to a width in which the properties of at least a single quantum wire appears.例文帳に追加

このデュアルチャネル層（13＋14）にあってホットキャリアの走行するチャネル長方向と直交する方向のチャネル幅を、少なくとも量子細線の特質の現れる幅にまで狭める。 - 特許庁

Since the width of the passageway of the electrons is determined by the thickness of the 3C polytype layer 12, the electrons are able to reach the electrode at a speed close to the theoretical value, by virture of the quantum wire effect.例文帳に追加

３Ｃ構造層１２の厚みによって電子の通路の幅が規定されるので、量子細線効果によって電子は理論値に近い速度で電極に達することができる。 - 特許庁

To provide a display device that is made compact and thin when using a quantum wire as a transistor for driving the display device.例文帳に追加

表示装置を駆動させるためのトランジスタとして量子細線を用いた場合に、小型化および薄型化をより図ることが可能な表示装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser 11 having a complex distribution return structure includes each quantum wire 19a-19e having a gain responsive to current application and the intermediate semiconductor region 21 not having a gain and has a comparatively wide stop band.例文帳に追加

複素型分布帰還構造の分布帰還構造の半導体レーザ１１は、電流の印加に応答した利得を持つ各量子細線１９ａ〜１９ｅと利得を持たない中間半導体領域２１とを含んでおり、また比較的広いストップバンドを有する。 - 特許庁

A source electrode 42 and a drain electrode 43 isolated from each other along a length direction of the quantum wire 13 electrically conducted with the high mobility channel via a contact layer 30, and a gate electrode 41 opposed to the channel 20 via a Schottky junction interposed via an insulating layer between the electrode 42 and the electrode 43 are provided.例文帳に追加

コンタクト層30を介して高移動度チャネル13に電気的に導通する一方で、量子細線13の長さ方向に沿って互いには離間したソース電極42、ドレイン電極43と、ソース電極42とドレイン電極43の間に設けられ、絶縁層を介するかショットキ接合を介して低移動度チャネル20に臨むゲート電極41を設ける。 - 特許庁