「QUANTUM WIRE」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD OF MANUFACTURING QUANTUM FINE WIRE例文帳に追加

量子細線の製造方法 - 特許庁

A first quantum dot 1 made of Si and a second quantum dot made of Si are connected to each other with a quantum fine wire 3 made of Si, to realize quantum coupling between the first quantum dot 1 and the second quantum dot 2.例文帳に追加

Ｓｉの第１量子ドット１とＳｉの第２量子ドット２とをＳｉの量子細線３で接続して、第１量子ドット１と第２量子ドット２の量子結合を可能にしている。 - 特許庁

PRODUCTION OF QUANTUM WIRE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

量子細線の製造方法および半導体素子 - 特許庁

TWO-WIRE SYSTEM CNOT GATE CONSISTING OF EIGHT QUANTUM DOTS例文帳に追加

８つの量子ドットからなる２線式ＣＮＯＴゲート - 特許庁

Each quantum dot 6 is formed on a position close to the edge of each quantum wire 5 due to its growth characteristic.例文帳に追加

量子ドット６は、その成長特性より、量子細線５の縁に近い位置に形成されている。 - 特許庁

MANUFACTURE OF QUANTUM WIRE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

量子細線の製造方法およびその量子細線を用いた半導体素子 - 特許庁

The quantum wire 5 is composed of In_XGa_1-XAs (0<X≤1) for instance.例文帳に追加

量子細線５は、例えばＩｎ_XＧａ_1-XＡｓ（０＜Ｘ≦１）からなる。 - 特許庁

A plurality of quantum dots 7 are arranged on the insulation thin wire 6.例文帳に追加

複数の量子ドット７は、絶縁細線６上に配列される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where a quantum fine wire can be electrically formed.例文帳に追加

電気的に量子細線を形成できる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a quantum wire, which enhances the flatness of the surface of a silicon film subsequent to the formation of the quantum wire and can form the quantum wire having a complete electron confinement region with good controllability, and a semiconductor element having the quantum wire.例文帳に追加

量子細線の形成後のシリコン表面の平坦性がよく、完全な電子の閉じ込め領域を有する量子細線を制御性よく形成できる量子細線の製造方法およびその量子細線を用いた半導体素子を提供する。 - 特許庁

The channels between the source side end of the quantum wire channel 12 and the source 16, and between the drain side end and the drain 17 are composed of channels composed of quantum well layers 23 of widening sections 22 widened as compared with the width dimension of the quantum wire 12.例文帳に追加

この量子細線チャネル12のソース側端とソース16の間、及びドレイン側端とドレイン17の間のチャネル部分を、量子細線12の幅寸法に比して拡幅した拡幅部22の量子井戸層23によるチャネルで構成する。 - 特許庁

To provide the fine structure of a compound semiconductor containing a quantum box and a quantum small wire in a small number of processes.例文帳に追加

少ない工程数により、量子箱や量子細線を含む化合物半導体の微細な構造を提供すること。 - 特許庁

An SiO_2 layer 4 is provided in the circumferences of the first and second quantum dots 1 and 2 and the quantum fine wire 3.例文帳に追加

第１，第２量子ドット１，２および量子細線３の周囲にはＳｉＯ__２層４を設けている。 - 特許庁

FORMATION PROCESS OF QUANTUM WIRE OR QUANTUM WELL LAYER, AND DISTRIBUTED FEEDBACK LASER例文帳に追加

量子細線または量子井戸層の形成方法、及び該形成方法により形成された量子細線または量子井戸層を用いた分布帰還半導体レーザ - 特許庁

MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR LASER, AND QUANTUM WIRE STRUCTURE例文帳に追加

半導体装置の製造方法，半導体レーザの製造方法，及び量子細線構造の製造方法 - 特許庁

The quantum wire 5 has confinement components not only in the height direction but also in the width direction.例文帳に追加

量子細線５は、高さ方向だけでなく幅方向にも閉じ込め成分を持つ。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING QUANTUM WIRE STRUCTURE, AND METHOD OF MANUFACTURING DFB LASER ELEMENT例文帳に追加

量子細線構造を作製する方法およびＤＦＢレーザ素子を作製する方法 - 特許庁

HIGH TENSION INSULATED WIRE INSPECTION METHOD USING SUPERCONDUCTING QUANTUM INTERFERENCE DEVICE (SQUID) AND INSPECTION APPARATUS例文帳に追加

超電導量子干渉素子（ＳＱＵＩＤ）を用いた高圧絶縁電線検査方法及び検査装置 - 特許庁

A quantum wire 5 is formed so as to be extended along the side face of each step of the barrier layer 4.例文帳に追加

障壁層４の各ステップの側面に沿って延びる量子細線５が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of easily manufacturing a quantum fine wire of nanometer size.例文帳に追加

ナノメータサイズの量子細線を容易に形成できる量子細線の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method of manufacturing a quantum wire structure includes processes of: forming an insulator mask 16 by using a resist mask having a width larger than that of a desired quantum wire structure; and forming a quantum wire 17 by etching a multiple quantum well layer 12 by using the insulator mask 16.例文帳に追加

本発明に係る量子細線構造の作製方法は、所望の量子細線構造の幅よりも太い幅を有するレジストマスクを用いて絶縁体マスク１６を形成する工程と、この絶縁体マスク１６を用いて多重量子井戸層１２をエッチングし量子細線１７を形成する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a quantum cipher key sharing system and wire-tapping detection method in which presence/non-presence of wire tapping can be discriminated and secrecy of a quantum cipher key (private key) can be secured, even when there is an illegal action (an internal illegal person exists) in a device which receives information about quantum cipher generation.例文帳に追加

盗聴の有無を判定可能であり、量子暗号生成に関する情報を受信する装置において不正行為があった場合（内部不正者が存在する場合）であっても、量子暗号鍵（秘密鍵）の秘匿性を確保可能な量子暗号鍵共有システムおよび盗聴検知方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a formation technique of a quantum wire capable of demonstrating a superior shape and sufficient characteristics in a distributed feedback semiconductor laser and the like with respect to a formation process of a quantum wire formed on a grating substrate.例文帳に追加

グレーティング基板上に形成される量子細線の形成方法として、分布帰還半導体レーザ等に応用するに十分な形状、特性を発揮し得る量子細線の形成手法を提供する。 - 特許庁

Further, the distance t1 between the projection portion 71 (72) of the gate electrode 7 and the quantum wire 9 is smaller than the distance t2 between the part of the gate electrode 7 other than the projection portion 71 (72) and the quantum wire 9.例文帳に追加

また、ゲート電極７の凸部７１（７２）と量子細線９との間の距離ｔ１は、ゲート電極７の凸部７１（７２）以外の部分と量子細線９との間の距離ｔ２よりも小さい。 - 特許庁

Thereby, the width of the resist mask for the insulator mask 16 can be increased relative to the wire width of the quantum wire structure.例文帳に追加

このため、絶縁体マスク１６のためのレジストマスクの幅は、量子細線構造の細線幅より太くできる。 - 特許庁

The superconducting quantum arithmetic circuit is realized which does not use any amorphous material by constituting a Josephson junction of the superconducting quantum arithmetic circuit with a single-crystal nano-thin wire 103 between two superconductor electrodes 101 and 102 so as to prevent the quantum coherence from being lost owing to fluctuations caused in the circuit.例文帳に追加

超伝導量子演算回路のジョセフソン接合を、２つの超伝導体電極１０１、１０２間の単結晶ナノ細線１０３で構成し、非晶質材料を用いない超伝導量子演算回路を実現することで、回路に内在する揺らぎによる量子コヒーレンスの消失を防ぐ。 - 特許庁

Since the width of the insulator mask 16 is reduced by etching while etching the multiple quantum well layer 12, the quantum wire 17 having a desired width is formed.例文帳に追加

多重量子井戸層１２のエッチング中に、絶縁体マスク１６の幅がエッチングにより細くなるので、所望の幅を有する量子細線１７が形成される。 - 特許庁

To form a protrusion in the order of nanometer that can be used as a quantum dot or a quantum wire on the surface of a substrate and to form a protrusion in the order of nanometer configured of an element different from that constituting the substrate.例文帳に追加

基板の表面に量子ドット又は量子細線として利用可能なナノメートルオーダの凸部を形成すること、及び、基板を構成する元素と異なる元素で構成されたナノメートルオーダの凸部を形成する。 - 特許庁

Valves 7 are opened and closed, to supply a material gas alternately from these valves to form a thin film in the concave part of the substrate by growing an atom layer, and a quantum fine wire and a quantum dot are formed.例文帳に追加

そして、バルブ７を開閉し、交互に原料ガスを供給して原子層成長により基板３の凹部内に薄膜を形成し、量子細線および量子箱を形成する。 - 特許庁

Since the quantum wires 19a-19e in the light-emitting region 17 have various widths (Wa-We), the gain spectrum of whole light-emitting region becomes wider than the gain spectrum of each individual quantum wire 19a-19e.例文帳に追加

発光領域１７の量子細線１９ａ〜１９ｅが様々な幅（幅Ｗａ〜Ｗｅ）を有するので、発光領域全体の利得スペクトルは、個々の量子細線１９ａ〜１９ｅの利得スペクトルよりも広くなる。 - 特許庁

To realize a method of forming microstructures, which can form the microstructures, such as a quantum fine wire and a quantum dot, without damage, uniformly and at high density, and moreover at arbitrary positions.例文帳に追加

量子細線や量子ドットなどの微細構造を、損傷なしに、均一にかつ高密度にしかも任意の位置に形成することができる微細構造の形成方法を提供する。 - 特許庁

The position of the quantum fine wire 107 is controlled by an applied voltage difference between the second electrodes 106a and 106b.例文帳に追加

また、両第２ゲート電極１０６ａ、１０６ｂに印可する電圧差によって、その量子細線１０７の位置が制御される。 - 特許庁

An InGaAs quantum wire 13 having a relatively narrow energy band gap as a high mobility channel is formed at the bottom of the trench.例文帳に追加

トレンチ底面に、高移動度チャネルとして、相対的に狭いエネルギバンドギャップを有するInGaAs量子細線13を形成する。 - 特許庁

To obtain a quantum wire structure with good reproducibility by a relatively loose design rule.例文帳に追加

量子細線構造に関し、比較的緩いデザイン・ルールで再現性良く量子細線構造を実現する。 - 特許庁

In a channel, a part located under a gate 18 that is the middle section of the channel between a source 16 and a drain 17 is composed of a quantum wire 12.例文帳に追加

ソース16とドレイン17間のチャネルの途中部分であってゲート18の下に位置する部分を量子細線12により構成したチャネルとする。 - 特許庁

To provide a thin metallic wire which is used for a wiring material in a very small size integrated circuit and a quantum element, and has high straightness, a uniform diameter and a long thin-wire length.例文帳に追加

超小型集積回路及び量子素子の配線材料などに用いられる、高い直線性、均一な直径、及び長い細線長を有する金属細線を提供する。 - 特許庁

A composition is changed during the growth of the layers 4 and compound semiconductor layers 5 having a narrow band gap are formed in the layers 4, thus constituting the compound-semiconductor structure containing the quantum box and the quantum small wire.例文帳に追加

２次エピタキシャル層４の成長中に組成を変化させバンドギャップの狭い化合物半導体層５を２次エピタキシャル層４中に形成することにより、量子箱や量子細線を含む化合物半導体構造を構成する。 - 特許庁

When a source 103 and a drain 104 larger than a micro wire region 105 made of a semiconductor are connected with both ends of the wire region 105 which is minute enough to cause a quantum size effect, the forbidden band of the wire region 105 serves as an energy band for electrons present in the source 103.例文帳に追加

量子サイズ効果が生じるような微小な細線部１０５の両端に、半導体よりなる細線部１０５より大きなソース１０３及びドレイン１０４が接続された状態とすると、ソース１０３に存在する電子にとって、細線部１０５の禁制帯はエネルギーバリアとなる。 - 特許庁

To form a quantum wire of nanometer size using a semiconductor substrate, e.g. an Si substrate, and genera film deposition technology, lithography technology and etching technology.例文帳に追加

Ｓi基板等の半導体基板を用い、一般的な成膜技術,リソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、ナノメータサイズの量子細線を形成する。 - 特許庁

After the above films 3 and 5 are removed, a quantum wire 7a separately insulated from the substrate 1 is formed of an oxide film 5A formed by an oxidation of the substrate 1.例文帳に追加

そして、上記窒化膜３,酸化膜５を除去した後、半導体基板１の酸化により形成された酸化膜５Aによって半導体基板１と分離絶縁された量子細線７aを形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a quantum wire structure capable of restraining roughness of a resist mask side surface due to increase of the amount of electron beam exposure, for forming a minute resist mask.例文帳に追加

微細なレジストマスクを形成するための電子ビーム露光量の増大によるレジストマスク側面のラフネスを抑制することが可能な量子細線構造の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin wiry structure assembling method for mounting a thin wiry structure represented by a quantum thin wire such as a silicon nanowire at a predetermined location in a self-aligning manner in a predetermined orientation.例文帳に追加

シリコンナノワイヤーなどの量子細線に代表される細線状構造体を自己整合的に、所定の位置にしかも所定の方位に載置することができる細線状構造体のアッセンブリ方法を提供する。 - 特許庁

The waveguide is trapezoidal, and it is exposed while its circumferential side is not embedded at least at a height or more of the quantum wire 13, or it is not covered with a layer other than the insulating layer 17.例文帳に追加

光導波路は台形形状であって、少なくとも量子細線13の高さ位置以上での周側面は埋め込まれずに露出するか、または絶縁層17以外の層では覆われないようにする。 - 特許庁

In this dual channel layer (13 plus 14), the width of a channel in the direction normal to the lengthwise direction of the channel, where hot carriers travel is narrowed down to a width in which the properties of at least a single quantum wire appears.例文帳に追加

このデュアルチャネル層（13＋14）にあってホットキャリアの走行するチャネル長方向と直交する方向のチャネル幅を、少なくとも量子細線の特質の現れる幅にまで狭める。 - 特許庁

Since the width of the passageway of the electrons is determined by the thickness of the 3C polytype layer 12, the electrons are able to reach the electrode at a speed close to the theoretical value, by virture of the quantum wire effect.例文帳に追加

３Ｃ構造層１２の厚みによって電子の通路の幅が規定されるので、量子細線効果によって電子は理論値に近い速度で電極に達することができる。 - 特許庁