「S.O.S. (film)」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

FORMING METHOD OF SOS SUBSTRATE HAVING SILICON EPITAXIAL FILM例文帳に追加

シリコンエピタキシャル膜を有するＳＯＳ基板の形成法 - 特許庁

In the Silicon On Sapphire (SOS) substrate where a single-crystal silicon thin film is stacked on a sapphire substrate, a stress of a silicon film on the SOS substrate measured by a Raman shift method is ≤2.5×10^8 Pa in an entire area of a plane.例文帳に追加

サファイア基板上に単結晶シリコン薄膜が積層されたＳｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｓａｐｐｈｉｒｅ（ＳＯＳ）基板であって、ラマンシフト法により測定した、前記ＳＯＳ基板のシリコン膜の応力が面内全域で２．５ｘ１０^８Ｐａ以下であるＳＯＳ基板である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which possesses a light reflection film hard to be molten by fluoric acid in the case of using a silicon oxide for a light reflection film, while providing a light reflection film of 0.5 μm in the semiconductor device using an SOS wafer with a light reflection film advanced in film thinning, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

薄膜化が進む光反射膜を有するＳＯＳウェハを用いた半導体装置において、０．５μｍ以下の光反射膜を提供するとともに、光反射膜にシリコン酸化物を用いた場合にフッ酸によって融解しにくい光反射膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A silicon epitaxial layer of the SOS substrate is provided with a channel formation part 121 which is of p-type and has hexahedron structure, and a gate oxide film 125 and a gate electrode 131 are provided on both sides of the channel formation part 121.例文帳に追加

ＳＯＳ基板のシリコンエピタキシャル層にｐ型で六面体構造のチャネル形成部１２１を設けるとともに、このチャネル形成部１２１の両側面にゲート酸化膜１２５とゲート電極１３１とを設ける。 - 特許庁

To provide an SOS (silicon on sapphire) substrate low in the defect density of a surface even in an extremely thin silicon film by solving a problem that defective density increases due to incompatibility in a lattice constant between silicon and sapphire.例文帳に追加

シリコンとサファイアとの格子定数の不適合に起因して欠陥密度が増大する問題を克服し、極めて薄いシリコン膜においても表面の欠陥密度が低いＳＯＳ基板を提供する。 - 特許庁