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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Slow Stepに関連した英語例文

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Slow Stepの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 56



例文

This method comprises a step for executing a selective etching process using TMAH (Tetra-Methyl-Ammonium-Hydroxide) to form a plurality of trenches with slow inclination of the side surface, and a step for forming a gate pattern at the top of the substrate so that at least the inclination part of the trench acts as a part of a channel.例文帳に追加

本発明は、TMAH(Tetra−Methyl−Ammonium−Hydroxide)を用いた選択的エッチング工程を実施し、側面の傾斜が緩慢な複数のトレンチを形成するステップと、少なくとも前記トレンチの傾斜部分がチャネルの一部になるように前記基板上部にゲートパターンを形成するステップとを含む。 - 特許庁

Further, since the overhead transmission line 1A includes step differences corresponding to height differences each between the protrusion strip 3 and the recessed strip 4 on its outer circumference, and has a surface shape rich in concavo-convex changes, snow hardly sticks on its outer circumference surface to enable to obtain a slow snow accretion effect.例文帳に追加

また、架空送電線1Aは、その外周に凸条3と凹条4の高低差に応じた段差を有し、凹凸の変化に富んだ表面形状を有しているので、その外周面に雪が着雪しにくくなっており、難着雪効果を得ることができる。 - 特許庁

A method of producing a component including a single crystal substrate, on which at least one single crystal layer is deposited, includes one or several step/steps on deposition of a single crystal layer by powdering a metal or a semiconductor in gas plasma wherein deposition speed of an atom is slow compared with homogenization speed of such an atom in the step.例文帳に追加

本発明は、少なくとも1つの単結晶層が堆積された単結晶基板を含む構成要素の製作方法に関し、この方法は、気体プラズマ内の金属または半導体の粉末化による単結晶層の堆積に関する1つまたはいくつかのステップを含み、原子堆積の速度が、ステップ自体の中では、かかる原子の均質化速度より遅いことを特徴とする。 - 特許庁

In the ink jet system image forming method, forming the image by forming dots employing slow dry ink and quick dry ink, the ambient temperature of a part, on which the image is formed, is detected upon forming the image and the dot density in a predetermined area is recognized based on the data of the image (step S3).例文帳に追加

遅乾性インクおよび速乾性インクを用いてドットを形成して画像を形成するインクジェット画像形成方法であり、画像形成の際に、画像を形成する部分の周囲温度を検知するとともに、画像データに基づいて、予め定められた画像上の領域におけるドット密度を認識する(ステップS3)。 - 特許庁

例文

A method for manufacturing a plasma display panel 100 equipped with an exhaust pipe 10 includes the step of reheating the end 10a of the exhaust pipe 10 which has been melted and closed, by using a heating means 6 and at a temperature higher than a slow cooling point of the exhaust pipe 10 and is lower than a softening point thereof.例文帳に追加

排気管10を有するプラズマディスプレイパネル100の製造方法であって、加熱手段6を用いて、溶融し封じた前記排気管10の先端部10aを、排気管10の徐冷点を越えかつ軟化点よりも低い温度で再加熱することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法である。 - 特許庁


例文

To provide a method for forming a semiconductor device having a fin structure which comprises a step of etching a silicon substrate with a recess gate mask, and performing a selective etching process on a device isolation film having a double oxide film structure with a rapid oxide film etching speed and a slow oxide film etching speed to form the fin structure, thereby simplifying the process and maximizing a current driving operation.例文帳に追加

リセスゲートマスクを利用してシリコン基板を食刻し食刻速度の速い酸化膜と、食刻速度の遅い酸化膜の二重酸化膜構造の素子分離膜に対し選択的食刻を行いフィン構造を形成することにより、工程を単純化し電流駆動能力を最大化する。 - 特許庁




  
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