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TE bufferの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 6件
The resultant precipitate is washed with a Tris-buffer to remove the RNA from the protein coagulation, and a TE-buffer or water is added to the thus washed precipitate, tapped or agitated with a vortex mixer to elute the plasmid DNA from the protein coagulation.例文帳に追加
そして、沈殿物をTrisバッファで洗浄してタンパク質凝集体からRNAを除き、さらに、沈殿物にTEバッファ又は水を加え、タッピング又はボルテックスミキサで撹拌することにより、タンパク質凝集体からプラスミドDNAを溶出させる。 - 特許庁
A compound semiconductor multilayer thin film is formed into a structure, wherein an InSb buffer layer 2 doped with one of Al, Be, Zn, Mg, O and Ga as impurities and an undoped, Te-doped or Se-doped InSb active layer 3 are deposited in order on a semiinsulative GaAs substrate 1.例文帳に追加
半絶縁性のGaAs基板1上に、不純物としてAl、Be、Zn、Mg、OまたはGaの一つをドーピングしたInSbバッファ層2と、アンドープまたはTeドープまたはSeドープのInSb活性層3とを順次堆積させた構造とする。 - 特許庁
When a test-enable signal TE is disabled, the Nch insulated gate type field effect transistor NT1 is turned off; the output of the buffer BUFF1 reaches high impedance; and the scan output signal shut-off means 3 statically shuts off a scan output signal SO.例文帳に追加
テストイネーブル信号TEがディセーブル状態のとき、Nch絶縁ゲート型電界効果トランジスタNT1がオフしてバッファBUFF1の出力がハイインピーダンス状態となり、スキャン出力信号遮断手段3がスキャン出力信号SOをスタティックに遮断する。 - 特許庁
To provide a practical optical waveguide element of a no-buffer-layer structure by selecting an electrode gap and an electrode material such that light propagation loss caused by an electrode with respect to incident polarized light of TE (transverse electric) and TM transverse magnetic modes is within a permissible range.例文帳に追加
バッファー層無し構造で、TEおよびTMモード双方の入射偏光に対して電極による光伝播損失が許容範囲に入るような電極ギャップおよび電極材質を選択することにより実用的な光導波路型素子を提供することを目的とする。 - 特許庁
The laminate structure for thermoelectric conversion has a structure in which a substrate 10, a buffer layer 30 consisting of a Ti metal layer or a Ti alloy layer, an insulative coating layer 40 and a thermoelectric material layer 50 containing as effective components one or two elements selected from a first group of Bi and Sb and one or two elements selected from a second group of Te and Se are laminated in this order.例文帳に追加
基板10と、Ti金属層若しくはTi合金層からなる緩衝層30と、絶縁性皮膜層40と、Bi、Sbの第1群から選ばれる1又は2の元素とTe、Seの第2群から選ばれる1又は2の元素とを有効成分として含む熱電材料層50とが、この順で積層されている熱電変換用積層構造である。 - 特許庁
The laminate structure for thermoelectric conversion has a structure in which a substrate 10, a buffer layer 20 formed by distributingly laminating a plurality of independent laminate portions 21 comprising Ti metal or Ti alloy, and a thermoelectric material layer 30 containing as effective components one or two elements selected from a first group of Bi and Sb and one or two elements selected from a second group of Te and Se are laminated in this order.例文帳に追加
基板10と、Ti金属若しくはTi合金からなる独立積層部21を複数、相互に分散して積層形成してなる緩衝層20と、Bi、Sbの第1群から選ばれる1又は2の元素とTe、Seの第2群から選ばれる1又は2の元素とを有効成分として含む熱電材料層30とが、この順で積層されている熱電変換用積層構造である。 - 特許庁
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