「Volatile variable」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT CONTAINING VARIABLE RESISTANCE SUBSTANCE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

The non-volatile memory cell has a variable magneto-resistance element as a memory element to store information with the non-volatile mode according to a resistance value of the variable magneto-resistance element.例文帳に追加

この不揮発性メモリセルは、記憶素子として、可変磁気抵抗素子を有し、可変磁気抵抗素子の抵抗値に応じて情報を不揮発的に記憶する。 - 特許庁

To store variable data in an erasable and DRAW enable non-volatile memory.例文帳に追加

消去可能で追記書き込み可能な不揮発性メモリへ可変データを記憶する。 - 特許庁

To provide a vertical memory array including a plurality of non-volatile variable resistive memory cells.例文帳に追加

複数の不揮発性可変抵抗メモリセルを含む縦型のメモリアレイを提供する。 - 特許庁

To provide a control device for a variable valve train, capable of properly determining whether the displacement of the variable valve train stored in a volatile memory disappears or not.例文帳に追加

揮発性メモリに記憶される可変動弁機構の変位量が消失したか否かを適切に判定することのできる可変動弁機構の制御装置を提供する。 - 特許庁

To increase a speed at a low voltage operation in a semiconductor device on which a non-volatile memory unit and a variable logic unit are mounted.例文帳に追加

不揮発性メモリユニットと可変論理ユニットを搭載する半導体装置において低電圧動作での高速化を実現する。 - 特許庁

To provide a variable resistance element having a simple structure, requiring no forming process and exhibiting bipolar type I-V characteristics by using a titanium oxide, and a resistance variable non-volatile memory element.例文帳に追加

チタン酸化物を用い、構造が単純でフォーミング過程を必要とせず、バイポーラ型のＩ−Ｖ特性を示す可変抵抗素子および抵抗変化型の不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has a non-volatile memory unit (8) having a rewritable non-volatile memory cell, and a variable logic unit (3) of which the logic function can be decided in accordance with logical configuration definition data loaded into a plurality of memory cells.例文帳に追加

書換え可能な不揮発性メモリセルを有する不揮発性メモリユニット（８）と、複数の記憶セルにロードされる論理構成定義データに従って論理機能が決定される可変論理ユニット（３）とを有する。 - 特許庁

A plurality of information for the state record are arranged in the continuous volatile memory regions of the IC card icc_a for every information which is variable with once exchange.例文帳に追加

ステートレコードの複数の情報は、一度の交換で変動し得る情報ごとに、ＩＣカードicc_aの連続した揮発性メモリ領域に配置される。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory device which includes a three-dimensional cross-point variable resistance memory array, having common connections for common bit line, common word line etc.例文帳に追加

共用ビット線や共用ワード線等の共用接続を備える３次元クロスポイント型可変抵抗メモリアレイを備えた不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁

The driving of the variable valve mechanism is prohibited until the voltage drop to the volatile memory 51 can be determined after starting the engine.例文帳に追加

そして、機関停止が完了して可変動弁機構の駆動が停止されたときの可変動弁機構の動作位置を先の絶対位置として不揮発性メモリ５２に記憶する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device, which stably operates while securing sufficient current capacity in a crosspoint type configuration that is constituted by combining non-ohmic elements and a variable resistance layer.例文帳に追加

非オーミック性素子と抵抗変化層とを組み合わせたクロスポイント型構成において充分な電流容量を確保し、安定な作動が可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A non-volatile memory device including a variable resistance material has a lower electrode 20, a buffer layer 22 which is formed of an oxide on the lower electrode, an oxidation layer 24 which is formed on the buffer layer and has variable resistance characteristics, and an upper electrode 26 formed on the oxidation layer.例文帳に追加

可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子において、下部電極２０と、下部電極上に酸化物で形成されたバッファ層２２と、バッファ層上に形成され、可変抵抗特性を有した酸化層２４と、酸化層上に形成された上部電極２６と、を備える。 - 特許庁

The setter discrimination elements inherent to the shipped discrimination element setters respectively are written in a non-rewritable memory and a predetermined initial value relative to a variable code of the predetermined number of digits is written in a non-volatile rewritable memory.例文帳に追加

出荷する識別子設定器にそれぞれ固有の設定器識別子を書き換え不能なメモリに書き込み、所定の桁数の可変符号に対する所定の初期値を不揮発性の書き換え可能なメモリに書き込む。 - 特許庁

An electrically conducting interconnect element is deposited onto at least selected vertical pillar transistors and a non-volatile variable resistive memory cell is deposited onto the electrically conducting interconnect element to form a vertical transistor memory array.例文帳に追加

導電相互接続素子が、少なくとも選択された縦型ピラートランジスタ上に堆積されるとともに、不揮発性可変抵抗メモリセルが、導電相互接続素子上に堆積されて、縦型トランジスタメモリアレイを形成する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device including a variable resistive element which reduces the variation in the resistance values among elements, restrains read-out disturbance in a high-resistance state, and performs stable switching operation at high speed.例文帳に追加

素子間の抵抗値のバラツキを軽減すると共に、高抵抗状態の読み出しディスターブを抑制し、安定したスイッチング動作を高速で行うことのできる可変抵抗素子を備えた不揮発性半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁

To provide a control device of an internal combustion engine capable of putting an engine operation state in a proper state, even when a voltage drop is caused to a volatile memory storing a displacement quantity of a variable valve mechanism capable of varying a valve characteristic of an engine valve.例文帳に追加

機関バルブのバルブ特性を可変とする可変動弁機構の変位量を記憶する揮発性メモリに対して電圧低下が発生した場合でも、機関運転状態を適切な状態にすることができる内燃機関の制御装置を提供する。 - 特許庁

This non-volatile memory device comprises a first oxide layer 22 formed on a lower electrode 20, a second oxide layer 24 having variable resistance property formed on the first oxide layer, a buffer layer 26 formed on the second oxide layer, and an upper electrode 28 formed on the buffer layer.例文帳に追加

下部電極２０と、下部電極上に形成された第１酸化層２２と、第１酸化層上に形成されて可変抵抗特性を有する第２酸化層２４と、第２酸化層上に形成されたバッファ層２６と、バッファ層上に形成された上部電極２８と、を備える可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁

The non-volatile memory element contains a variable resistance substance and includes a lower electrode 21, an intermediate layer 22 which is formed on the lower electrode and is composed of one substance selected among HfO, ZnO, InZnO or ITO, an NiO layer 23 formed on the intermediate layer, and an upper electrode 24 formed on the NiO layer.例文帳に追加

下部電極２１と、下部電極上に形成されたＨｆＯ、ＺｎＯ、ＩｎＺｎＯまたはＩＴＯのうちから選択されたいずれか一つの物質から形成された中間層２２と、中間層上に形成されたＮｉＯ層２３と、ＮｉＯ層上に形成された上部電極２４とを備える可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁

The non-volatile memory device containing a resistance-varying material comprises a lower electrode, a first oxide layer formed of an oxide having a variable oxidation state on the lower electrode, a second oxide layer formed on the first oxide layer, and an upper electrode formed on the second oxide layer.例文帳に追加

可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子において、下部電極と、下部電極上に酸化状態の変化可能な酸化物から形成された形成された第１酸化層と、第１酸化層上に形成された第２酸化層と、第２酸化層上に形成された上部電極と、を備える二つの酸化層を利用した不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁