「absorption value」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device capable of preventing variation in the resistance value of a polycrystalline silicon resistance layer due to the dispersion of hydrogen absorption from the polycrystalline silicon resistance layer by a Ti system metal film, even if a difference occurs in the cover rate of the polycrystalline silicon resistance layer by the Ti system metal film formed above the polycrystalline silicon resistance layer of a thin film resistance element, and to provided the manufacture method.例文帳に追加

薄膜抵抗素子の多結晶シリコン抵抗層上方に形成されたＴｉ系メタル膜による多結晶シリコン抵抗層のカバー率に差異が生じる場合であっても、Ｔｉ系メタル膜による多結晶シリコン抵抗層からの水素吸収のバラツキに起因する多結晶シリコン抵抗層の抵抗値の変動を防止することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A water-soluble dye having absorption maximum at 520-400 nm and a half-value width of absorbance of ≥100 nm is incorporated into a silver halide photosensitive material having at least silver halide emulsion layers capable of developing cyan, magenta and yellow on a reflective support and subjected to exposure with a multi-channel blue LED (light emitting diode) light source having a maximum wavelength of 500-400 nm.例文帳に追加

反射支持体上に少なくともシアン、マゼンタ、イエローを発色可能なハロゲン化銀乳剤層を有し、極大波長５００ｎｍ〜４００ｎｍの多チャンネルＢｌｕｅＬＥＤ光源で露光するハロゲン化銀感光材料が、吸収極大５２０ｎｍ〜４００ｎｍ、吸光度の半値巾が１００ｎｍ以上の水溶性染料を含有することを特徴とするハロゲン化銀感光材料及び面積階調画像形成方法。 - 特許庁

In IR absorption spectra of these resins obtained by IR spectroscopy (a KBr tablet method) using a Fourier transformation IR spectroscopy analyzer, a value obtained by dividing a height W at a third falling peak point of the crystalline polyester resin by a height R of the maximum rising peak point of the amorphous polyester resin is within a range from 0.045 to 0.850.例文帳に追加

即ち、結着樹脂が、少なくとも、結晶性ポリエステル樹脂と非晶質ポリエステル樹脂とを含有するものであり、且つ、フーリエ変換赤外分光分析装置を用いた赤外分光法（ＫＢｒ錠剤法）によって得られた前記結晶性ポリエステル樹脂の赤外吸収スペクトルの第３立ち下がりピーク点の高さＷを、前記赤外分光法によって得られた前記非晶質ポリエステル樹脂の赤外吸収スペクトルにおける最大立ち上がりピーク点の高さＲで除算した値が０．０４５以上、０．８５０以下の範囲にした。 - 特許庁

The hydrogen permeable membrane comprises silicon oxide to which phosphorus is added and a change in the resistance value of the semiconductor corresponding to the presence of the absorption of hydrogen by the hydrogen absorber is measured between a pair of the electrodes to sense the presence of hydrogen.例文帳に追加

また、本発明の水素センサは、半導体と、半導体の表面の少なくとも一部に付設する水素吸収体と、水素吸収体の露出した面を覆うとともに水素を透過する水素透過膜と、水素吸収体の付設位置を挟んで、半導体に水素吸収体によって導通しないように配置した対になる電極とを具備してなり、水素透過膜がリンを添加した酸化珪素からなり、水素吸収体への水素吸収の有無に対応する半導体の抵抗値変化を対になる電極間で計測することにより、水素の存在を検知可能とされてなる。 - 特許庁