「active post」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In the active matrix type liquid crystal display device of a lateral field system, each pixel electrode 104 is provided with an additional capacitance 106 formed across either a pre-stage or a post-stage scanning line, and these pre-stage and after stage additional capacitance are alternately formed to each mutually adjacent signal wiring.例文帳に追加

横電界方式のアクティブマトリックス型液晶表示装置において、各画素電極１０４に対し走査電極配線１０１の前段または後段のいずれか一方の走査配線との間で付加容量１０６を形成し、かつそれら付加容量の前段形成、後段形成を、互いに隣接する信号配線１０２毎に交互にする。 - 特許庁

In the method for forming rugged surface whose cross-section has nonlinear symmetric shape, the rugged surface is obtained by a process of forming energy-sensitive negative type resin composition material including polymerizable monomer or oligomer of at least one kind, a process of applying active energy rays via a mask patterned with three or more gradations and a process of performing post-heating without etching operation.例文帳に追加

少なくとも一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーを含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物質を形成する工程、３値以上の階調パターン形成されたマスクを介して活性エネルギー線を放射する工程、エッチング操作を行うことなく後加熱する工程により得られる表面凹凸の断面形状が、非線対称である表面凹凸形成方法。 - 特許庁

The surface unevenness formation method comprises: the step of forming an energy-sensitive negative type resin composition containing at lest one or more kinds of polymerizable monomer or oligomer; the step of emitting 0.005 to 1.0J/cm^2 of active energy rays at least one or more times via a mask formed in a pattern; and the step of subjecting to post-heating without an etching operation.例文帳に追加

少なくとも一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーを含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層を形成する工程、パターン形成されたマスクを介して活性エネルギー線を少なくとも一回以上０．００５〜１．０Ｊ／ｃｍ^２照射する工程、エッチング操作を行うことなく後加熱する工程を含む表面凹凸形成方法。 - 特許庁

A semiconductor layer in a VCSEL including an n-type lower DBR 104, an active layer 106, a p-type upper DBR 108, and a p-type contact layer 110 is laminated on a GaAs substrate 100; and a post structure P emitting laser light is separated from a pad forming region Q by a trench 114 formed in the semiconductor layer.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬは、ＧａＡｓ基板１００上に、ｎ型の第下部ＤＢＲ１０４、活性層１０６、ｐ型の上部ＤＢＲ１０８、およびｐ型のコンタクト層１１０を含む半導体層が積層され、レーザ光を出射するポスト構造Ｐとパッド形成領域Ｑとが半導体層に形成された溝１１４によって分離されている。 - 特許庁

An active filter employed in a PLL circuit having two charge pump circuits at the post-stage of a phase comparator comprises a first circuit element connected between the output of one charge pump circuit and the earth, a second circuit element connected between the output of the other charge pump circuit and the earth, and a voltage adder for adding the voltage across the first circuit element and the voltage across the second circuit element.例文帳に追加

位相比較器の後段に２つのチャージポンプ回路を備えるＰＬＬ回路内で用いられるアクティブフィルタが、一方のチャージポンプ回路の出力とアースとの間に接続される第１の回路要素と、他方のチャージポンプ回路の出力とアースとの間に接続される第２の回路要素と、第１、第２の回路要素のそれぞれの両端の電圧を加算する電圧加算器とを備える。 - 特許庁