「cde」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Fully configurable via mouse, with drag and drop, etc. Main panel similar to CDE, with menus, applets and applications launchers 例文帳に追加

シンプルで使いやすいデスクトップマウスのドラッグアンドドロップなどで全ての設定が可能CDEに似たメインパネルとメニューやアプレット、ランチャー - FreeBSD

To compensate the CDE by measuring CDE of each nozzle array, and modifying a mapping between inputted image data and an intended printing mark.例文帳に追加

各ノズル・アレイのＣＤＥを測定し、入力画像データと意図された印刷マークとの間のマッピングを修正してＣＤＥを補償することを可能にする。 - 特許庁

In addition the formation of the notches is performed by oxidation or dry etching, such as the CDE, etc., using a mask.例文帳に追加

また、このような切り欠き形状の形成をマスクを用いた酸化処理もしくはＣＤＥなどのドライエッチングにより行う。 - 特許庁

When a direction in which the area to be measured (triangle CDE) is instructed by a cursor key [^] with a current position of the cursor Cm as a criterion, a graphic portion of the triangle CDE that is a closest closed area is detected and the cursor Cm is moved.例文帳に追加

そして、現在のカーソルＣｍの位置を基準に、測定対象の領域（三角形ＣＤＥ）が存在する方向をカーソルキー［↑］により指示すると、直近の閉じた領域である同三角形ＣＤＥの図形部分が検知されカーソルＣｍが移動される。 - 特許庁

Many kinds of gas species are classified into e.g. five groups A-D and typical effluence coefficients Cda-Cde are predetermined for the groups.例文帳に追加

多種のガス種を、たとえばＡ〜Ｄの５分類に区分し、各分類毎に代表的な流出係数Ｃｄａ〜Ｃｄｅを予め決めておく。 - 特許庁

The SiN films 4a and 9 are etched isotropically by a CDE method by the mixed gas of a CF_4 gas and an O_2 gas, and the patterns 10 of the new SiN films are formed.例文帳に追加

次に、ＣＦ_4ガスとＯ_2ガスの混合ガスでＣＤＥ法によってＳｉＮ膜４ａ，９を等方性エッチングし、新たなＳｉＮ膜のパターン１０を形成する。 - 特許庁

One side face of this film 15 is retreated 5-20% of the resist film width through CDE(chemical dry etching) using a mixed gas contg.例文帳に追加

その後、Ｃｌ_2とＡｒとＣＦ_4を含むガスを用いたＣＤＥにより、Ｔｉ／ＴｉＮ膜１５の一方の側面が前記レジスト膜の幅の５％乃至２０％後退される。 - 特許庁

In a system wherein master station devices Ma, Mb, Mc, Md, Me are connected via optical cables Cab, Cbc, Ccd, Cde, each of the master station devices Ma, Mb, Mc, Md, Me comprises a connection information table 132.例文帳に追加

親局装置Ｍａ，Ｍｂ，Ｍｃ，Ｍｄ，Ｍｅを光ケーブルＣａｂ，Ｃｂｃ，Ｃｃｄ，Ｃｄｅを介して接続したシステムにおいて、各親局装置Ｍａ，Ｍｂ，Ｍｃ，Ｍｄ，Ｍｅに接続情報テーブル１３２をそれぞれ設けている。 - 特許庁

Next, by using chemical dry etching (CDE) method or the like, the polycrystal silicon film pattern 108 is isotropic etched from both sides direction and thus the gate electrode layer 115 is formed.例文帳に追加

次に、ケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）法等を用い、多結晶シリコン膜パターン１０８を両側面の方向から等方性エッチングし、ゲート電極層１１５を形成する。 - 特許庁

Therefore, the signal CDE is made an activation level after 1.5 clock cycle from an input of the active command and operation of a column system can be started.例文帳に追加

したがって、アクティブコマンドの入力から１．５クロックサイクル後に信号ＣＤＥを活性化レベルにして列系の動作を開始させることができ、無駄な待機時間を短くすることができる。 - 特許庁

In the organic transistor having an organic semiconductor layer, the organic semiconductor layer contains at least one kind of dibenzo [a, rst] naphtho[8,1,2-cde] pentaphene derivatives.例文帳に追加

有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にジベンゾ[ａ，ｒｓｔ]ナフト［８，１，２−ｃｄｅ］ペンタフェン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 - 特許庁

The organic transistor has an organic semiconductor layer, and contains at least one kind of benzo[rst]phenanthro[1,10,9-cde]pentaphene derivative in the organic semiconductor layer.例文帳に追加

有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にベンゾ[ｒｓｔ]フェナントロ［１，１０，９−ｃｄｅ］ペンタフェン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 - 特許庁

A method for efficiently producing 2'-amino-5'-hydroxypropiophenone (e) corresponding to the AB-ring part of the camptothecin (CPT) skeleton and a tricyclic ketone (h) corresponding to the CDE ring part is provided.例文帳に追加

下記、カンプトテシン（ＣＰＴ）骨格のＡＢ環部分に相当する２’−アミノ−５’−ヒドロキシプロピオフェノン(e)およびＣＤＥ環部分に相当する三環性ケトン(h)を効率よく製造する方法。 - 特許庁

The organic transistor has an organic semiconductor layer which contains at least one kind of dibenzo[kl,rst] acenaphtho[1',2':6,7] fluoreno [9,1,2-cde] pentaphene derivative.例文帳に追加

有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にジベンゾ［ｋｌ，ｒｓｔ］アセナフト［１’，２’：６，７］フルオレノ［９，１，２−ｃｄｅ］ペンタフェン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 - 特許庁

The hole lower part 9c is formed in a shape laterally spreading by conducting the CDE method tooling after the RIE method tooling, and its contact area with the silicon substrate 1 is increased more than that tooled by the RIE method.例文帳に追加

ホール下部９ｃは、ＲＩＥ法の加工の後ＣＤＥ法の加工をすることで横方向に広がる形状に形成され、ＲＩＥ法のみの場合よりもシリコン基板１との接触面積が増大している。 - 特許庁

In the organic transistor having an organic semiconductor layer, the organic semiconductor layer contains at least one kind of benzo[rst]benzo[6,7]fluoreno[9,1,2-cde]fluoreno[2,1,9-klm]pentafen derivative.例文帳に追加

有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にベンゾ［ｒｓｔ］ベンゾ［６，７］フルオレノ[９，１，２−ｃｄｅ]フルオレノ［２，１，９−ｋｌｍ］ペンタフェン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 - 特許庁

After transfer, chemical dry etching (CDE) is applied, to make the surface roughness (Ra) of the rear surface 4 of the semiconductor chip 30≥0.05μm, for example, and hereby to remove minute chippings, microcracks, and crushed layers or the like on the cut surface of the semiconductor chip 30.例文帳に追加

転写後、ケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）を行い、半導体チップ３０の裏面４の面粗さ（Ｒａ）を、例えば、０．０５μｍ以上にして半導体チップ３０の切断面の微少なチッピング、微少なカケ、破砕層等を除去する。 - 特許庁

The polycrystalline silicon layer 17 consists of a first deposition layer of the polycrystalline silicon, which adsorbs impurity, and a second deposition layer of polycrystalline silicon layer, which is heat treated to make impurity distribution uniform ahead of etching back by CDE.例文帳に追加

多結晶シリコン層１７は、第１の多結晶シリコン層を堆積して、不純物を吸着させさ、更に第２の多結晶シリコン層を堆積してＣＤＥによりエッチバックするが、エッチバックに先立ち、不純物濃度分布を均一化する熱処理を行う。 - 特許庁

A display color for respective sides CD, DE, EC forming the detected triangle CDE and a display color for an area inside thereof are changed into [Pink] and [Yellow] corresponding to a display mode of the area designation cursor Cm[Pink/Yellow] for identifiable display.例文帳に追加

そして、検知された三角形ＣＤＥをなす各辺ＣＤ，ＤＥ，ＥＣの表示色とその内側の領域の表示色とが、前記領域指定用カーソルＣｍ[Pink/Yellow]の表示形態に対応した[Pink]と[Yellow]に変更されて識別表示される。 - 特許庁

In this calculation of the flow rate Qth, a theoretical mass flow rate vs. effluence coefficient table 52 stored in a memory is referred, corresponding to the gas groups A-E, to select a desired effluence coefficient CD (among Cda-Cde).例文帳に追加

理論出力流量Ｑｔｈが計算されたとき、ガスの分類Ａ〜Ｅに対応して、メモリに記録されている理論質量流量・流出係数対応テーブル５２を参照し、所望の流出係数Ｃｄ（Ｃｄａ〜Ｃｄｅ中の１つ）を選択する。 - 特許庁

An SRAM is provided with a delay circuit 34 delaying a signal ACT which becomes an activation level responding to an active command by a fixed time Td and a latch circuit 35 latching an output signal ACTD of the delay circuit 34 whenever a level of an internal clock signal intCK is varied and generating a column decoder activating signal CDE.例文帳に追加

ＳＤＲＡＭにおいて、アクティブコマンドに応答して活性化レベルになる信号ＡＣＴを一定時間Ｔｄだけ遅延させる遅延回路３４と、内部クロック信号ｉｎｔＣＫのレベルが変化するごとに遅延回路３４の出力信号ＡＣＴＤをラッチし、列デコーダ活性化信号ＣＤＥを生成するラッチ回路３５とを設ける。 - 特許庁