| 意味 | 例文 |
cofeを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 58件
A nonmagnetic material non-abutting layer 53 which constitutes the fixed magnetic layer 35 is formed by CoFe, a nonmagnetic material abutting layer 55 is formed by Co, and the NOL 54 is interposed between the nonmagnetic material non-abutting layer 53 and the nonmagnetic material abutting layer 55.例文帳に追加
固定磁性層３５を構成する非磁性材料非当接層５３をＣｏＦｅで、非磁性材料当接層５５をＣｏで形成し、前記非磁性材料非当接層５３と非磁性材料当接層５５間にＮＯＬ５４を介在させている。 - 特許庁
When a magnetic film mainly made of CoFe is formed by galvanization, trimethylamineborane or dimethylamineborane as a boron-based reductant is added in plating liquid to control the pH of the plating liquid, obtaining the high saturated magnetic flux density of a plating film.例文帳に追加
ＣｏとＦｅを主成分とした磁性膜を電気めっき法によって形成する場合に、めっき液中にホウ素系還元剤であるトリメチルアミンボランまたはジメチルアミンボランを含有させて、めっき液のｐＨを酸性の範囲に制御することで、めっき膜の高飽和磁束密度を実現する。 - 特許庁
The upper layer 13 is composed of NiFe, a simple substance of nickel, an NiFeX termary alloy (where X indicates chromium, cobalt, or copper), CoFe or copper, and it functions to promote the crystal growth of an antiferromagnetic layer 15 formed on the upper layer 13 itself in the direction of <111>.例文帳に追加
上部層１３は、ＮｉＦｅ、ニッケル単体、三元合金であるＮｉＦｅＸ（Ｘは、クロム，コバルトまたは銅のいずれか）、ＣｏＦｅまたは銅などからなり、自らの上に形成される反強磁性層１５における＜１１１＞方向の結晶成長を促進するように機能する。 - 特許庁
The magnetoresistive effect element includes a first magnetic layer 14; a tunnel barrier layer 16 provided on the first magnetic layer; a second magnetic layer 18a provided on the tunnel barrier layer and containing CoFe; and a nonmagnetic layer 19, provided on the second magnetic layer and containing nitrogen and at least one element selected from the group consisting of B, Ta, Zr, Al, and Ce.例文帳に追加
第１磁性層１４と、第１磁性層上に設けられたトンネルバリア層１６と、トンネルバリア層上に設けられＣｏＦｅを含む第２磁性層１８ａと、第２磁性層上に設けられ、Ｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｃｅのうちの少なくとも１つの元素および窒素を含む非磁性層１９と、を備えている。 - 特許庁
Since the magnetic layers 17 and 22 have large β-values and high specific resistance values ρ as compared with the conventional CoFe alloy, etc., the resistance variation (ΔR) of this magnetic detecting element can be made larger than the conventional example and the resistance variation rate (ΔR/R) of this element can be improved appropriately.例文帳に追加
前記ハーフメタル的な性質を有する合金層からなる磁性層１７、２２は、従来のＣｏＦｅ合金などに比べてβ値が大きく、また比抵抗値ρも大きいから、従来よりも抵抗変化量ΔＲを大きくすることができ、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の向上を適切に図ることが可能になる。 - 特許庁
The magnetic layers 17 and 22, consisting of the alloy layers having the half-metal property, have a large β value as compared with the conventional CoFe alloy or the like, and since the specific resistance value ρ is large, the resistance change amount ΔR can be made larger than that of the conventional, and the resistance change rate (ΔR/R) can be properly improved.例文帳に追加
前記ハーフメタル的な性質を有する合金層からなる磁性層１７、２２は、従来のＣｏＦｅ合金などに比べてβ値が大きく、また比抵抗値ρも大きいから、従来よりも抵抗変化量ΔＲを大きくすることができ、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の向上を適切に図ることが可能になる。 - 特許庁
The seed layer 14 takes a layered structure of a first seed layer 141 and a second seed layer 142, wherein the first seed layer 141 includes a magnetic alloy having a face-centered cubic lattice (fcc) structure which includes a CoFe alloy, and the second seed layer 142 includes a non-magnetic alloy having an fcc structure which includes an NiW alloy.例文帳に追加
シード層１４は第一シード層１４１と第二シード層１４２の積層構造とし、第一シード層１４１はＣｏＦｅ合金からなる面心立方格子（ｆｃｃ）構造を有する磁性合金で構成し、第二シード層１４２はＮｉＷ合金からなるｆｃｃ構造を有する非磁性合金で構成する。 - 特許庁
To provide a mask material for dry etching, which is suitable for fine patterning of thin magnetic films of about several nanometers such as NiFe and CoFe composing a TMR film, and furthermore, which can simplify a manufacturing process of a TMR element and reduce a manufacturing cost concerned with facilities and materials例文帳に追加
ＴＭＲ膜を構成するＮｉＦｅやＣｏＦｅのように数ｎｍ程度の薄い磁性膜の微細加工に適したドライエッチング用のマスク材、更に、このようなマスク材であって、なおかつ、ＴＭＲ素子の生産工程の簡略化、設備、材料に関わる製造コストの低減を図ることのできるドライエッチング用のマスク材を提供する。 - 特許庁
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