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constriction structureの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 62件
To provide a method of manufacturing a semiconductor light-emitting device having a mesa with a height no higher than necessity, and capable of suppressing a growth of defect starting from an oxidation front and deformation caused by a volume shrinkage during oxidation in layers except a current constriction layer in a vertical resonator structure.例文帳に追加
メサ部を必要以上に高くすることなく、垂直共振器構造内の電流狭窄層以外の層において、酸化フロントを起点とした欠陥成長や酸化による体積収縮の歪を抑制することの可能な半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
Furthermore, a current constriction structure is disposed in the laser element 30, and thicknesses of an n-type optical guide layer 22 and a p-type optical guide layer 24 in the laser element 20 are larger than those of an n-type optical guide layer 32 and a p-type optical guide layer 34 in the laser element 30.例文帳に追加
そして、レーザ素子部30には電流狭窄構造が設けられており、レーザ素子部20のn型光ガイド層22およびp型光ガイド層24の厚みがレーザ素子部30のn型光ガイド層32およびp型光ガイド層34の厚みよりも大きくなっている。 - 特許庁
To reduce a refrigerant flow sound in dehumidification operation while suppressing the reduction of basic performance in cooling and heating operations in air-conditioning equipment with an indoor heat exchanger unit in a structure where two fin-tube-type heat exchangers are connected via a refrigerant constriction mechanism.例文帳に追加
冷媒絞り機構を介して二つのフィンチューブ形熱交換器を接続した構造の室内熱交換器ユニットを備えた空気調和機において、冷房運転時と暖房運転時の基本性能の低下を抑えつつ、除湿運転時の冷媒流動音を低減する。 - 特許庁
Al contained in the P-AlInAs layer is oxidized into an Al oxide layer 29 which is formed on each side of a ridge stripe of P-AlInAs layer to serve as a current constriction structure, and the N-AlInAs layer 22 is turned into an Al oxide layer 30 where Al contained in all the layer 22 is all oxidized.例文帳に追加
リッジストライプを構成するp−AlInAs層の両側部は、AlInAs層中のAlが酸化されたAl酸化層29となって電流狭窄構造を構成し、n−AlInAs層22は、全層にわたりAlが酸化されたAl酸化層30になっている。 - 特許庁
In this structure, the current constriction to the active layer 24 and light loss caused by free carrier absorption in the embedded InP layers 40 can be reduced markedly; consequently, the luminous efficiency and luminous output of this semiconductor laser are improved, and in addition, this laser can well be coupled optically even with an SMF.例文帳に追加
このような構造においては、活性層への電流狭窄とFeドープInP埋め込み層40中でのフリーキャリア吸収による光損失が格段に低減でき、大きな発光効率および発光出力を有し、かつSMFにも良好に光結合することができる。 - 特許庁
A nitride semiconductor laser device has a structure where an N-type nitride semiconductor layer 2, an active layer 3, and a P-type nitride semiconductor layer 4 are successively laminated on a substrate 1, and a P- electrode 6 is formed on the P-type nitride semiconductor layer 4 through the intermediary of a current constriction insulating film 5 of SiO2.例文帳に追加
基板1上にn型窒化物半導体層2、活性層3、およびp型窒化物半導体層4が順に積層された構造を有し、このp型窒化物半導体層4上面にSiO_2よりなる電流狭窄用絶縁膜5を介して、p電極6を形成する。 - 特許庁
Further, the tip section is connected to a throat section pressure take-out hole that is composed at the throat section, a pressure take-out member having the pressure take-out member for guiding fluid pressure at the throat section to the outside of the pipeline is composed by a flexible material, and the constriction structure is formed by sheet metal working.例文帳に追加
さらに、スロート部に構成されたスロート部圧力取出孔へ先端部が連結し、スロート部の流体圧力を管路外部へ導出する圧力取出し部材を備え圧力取出し部材を可撓性材料で構成し、絞り構造体を板金加工により形成したものである。 - 特許庁
The ring laser of a ridge shape waveguide comprises a multilayer film having an active layer 3, and a semiconductor layer 6 containing Al in an upper part and/or a lower part of the active layer so that the layer 6 of the film is selectively oxidized from its side face to become a current constriction structure.例文帳に追加
多層膜からなるリッジ形状導波路のリングレーザであって、該多層膜は活性層3、及び該活性層の上部及び/又は下部にAlを含む半導体層6を含み、該多層膜の内該半導体層6が選択的に側面から酸化されており、電流狭窄構造となっている。 - 特許庁
A shape of a current passing-through region 108b in an oxide constriction structure is symmetrical with respect to an axis parallel to an X axis and passing through the center of the current passing-through region 108b and symmetrical also to an axis parallel to a Y axis and passing through the center of the current passing-through region 108b.例文帳に追加
そして、酸化狭窄構造体における電流通過領域108bの形状は、X軸に平行で電流通過領域108bの中心を通る軸に対して対称であるとともに、Y軸に平行で電流通過領域108bの中心を通る軸に対しても対称である。 - 特許庁
To provide a surface emitting laser which has an enlarged waveguide diameter, even with the diameter, a fundamental transverse mode light propagation can be obtained by making small a refractive index difference between an oxidation region and a non-oxidation region constituting a current constriction structure, and thereby light output of the surface emitting laser is increased, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加
電流狭窄構造を構成する酸化領域と非酸化領域との屈折率差を小さくすることにより、基本横モード光伝搬が得られる導波路径を大きくすることができ、光出力を増大させることが可能となる面発光レーザおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an electric washer-dryer with a simple structure with which electric consumption and water consumption can be reduced, clothes (washing) with heat constriction can be dried and automatic suction from the outer shutter or the like is possible while cold air drying is performed so that effective cold air drying of the washing in a washing and spin-drying tub can be performed.例文帳に追加
簡単な構成で、消費電力および消費水量を低下し、熱収縮する衣類(洗濯物)を乾燥することができ、しかも冷風乾燥運転において自動的に外蓋等から吸気を可能にして洗濯兼脱水槽内の洗濯物の効率のよい冷風乾燥を可能にした洗濯乾燥式の電気洗濯機を提供することにある。 - 特許庁
The surface emission semiconductor laser element has a mesa post of multilayer structure comprising a multilayer reflector 22 of compound semiconductor layer and an Al oxide layer 44 for forming a current constriction region in the multilayer reflector, wherein the Al oxide layer is provided annularly at the outer circumferential part of the mesa post to surround a current injection region in the center of the mesa post.例文帳に追加
本面発光型半導体レーザ素子は、化合物半導体層の多層膜からなる多層膜反射鏡22と、多層膜反射鏡内に設けられ、電流狭窄領域を形成するAl酸化層44とを有する積層構造をメサポストとして備え、Al酸化層が、メサポストの中央部の電流注入領域42を取り囲むようにしてメサポストの外周部に環状に設けられている。 - 特許庁
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