| 例文 (8件) |
electron gas field effect transistorの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 8件
To provide a field effect transistor (HEMT) using two-dimensional electron gas wherein the stabilization of surface and the improvement in prevention of current collapse are required.例文帳に追加
２次元電子ガスを使用する電界効果トランジスタ（ＨＥＭＴ）において表面の安定化及び電流コラプスの改善が要求されている。 - 特許庁
A two-dimensional electron gas is produced at the upper side of the undioped GaN layer 102, and the upper side functions as the channel layer of the field effect transistor.例文帳に追加
アンドープGaN層102上部には二次元電子ガスが発生しており、アンドープGaN層102上部は電界効果トランジスタのチャネル層として機能する。 - 特許庁
To improve collapse in a field effect transistor (HEMT) using two-dimensional electron gas.例文帳に追加
２次元電子ガスを使用する電界効果トランジスタ（ＨＥＭＴ）においてコラプスの改善が要求されている。 - 特許庁
To provide a field effect transistor which can generate two-dimensional electron gas with high efficiency, and exhibits a small resistance value of a contact resistance.例文帳に追加
二次元電子ガスを高効率に生成させることができ、かつコンタクト抵抗の抵抗値が小さな電界効果トランジスタを提供することである。 - 特許庁
To provide a group III nitride-based hetero field-effect transistor that has low resistance against electron transfer during ON-operation, and in which gate leakage current of a gate electrode and two-dimensional electron gas is hard to occur during OFF-operation.例文帳に追加
オン動作時には電子移動の抵抗が低く、かつオフ動作時にはゲート電極と２次元電子ガスとのゲートリーク電流が発生しにくいＩＩＩ族窒化物系へテロ電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁
In the heterojunction field effect transistor, a band structure is optimized, by giving tensile strain to a channel layer where a two-dimensional electron gas flows and controlling band discontinuity on the side of the valence band.例文帳に追加
ヘテロ接合電界効果型トランジスタにおいて二次元電子ガスの流れるチャネル層に対して引張り歪みをあたえるとともに価電子帯側のバンド不連続を調節してバンド構造を最適化する。 - 特許庁
To provide a hetero-junction field effect transistor which is not easily affected by deep impurity levels or the like by forming a hetero-junction FET structure using a two-dimensional electron gas, and preventing an oxygen from being mixed for forming an impurity levels while using a semiconductor having a large Schottky barrier.例文帳に追加
２次元電子ガスを用いるヘテロ接合ＦＥＴ構造とし、ショットキ障壁の大きい半導体を用いながら、不純物準位を作る酸素の混入を防止し、深い不純物準位などの影響を受けにくいヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁
To provide a field effect transistor which can adjust a threshold of a gate voltage for switching an energization state between a source electrode and a drain electrode to a predetermined value while generating a secondary electron gas layer on a first semiconductor layer by the hetero-junction of a first semiconductor layer and a second semiconductor layer.例文帳に追加
第１半導体層と第２半導体層とのヘテロ接合により第１半導体層に二次電子ガス層を生じさせつつ、ソース電極とドレイン電極との間の通電状態を切り換えるためのゲート電圧のしきい値を所定の値に調整することができる電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁
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