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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > ferromagnetic quantumに関連した英語例文

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ferromagnetic quantumの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 8



例文

FERROMAGNETIC DOUBLE QUANTUM WELL TUNNEL MAGNETORESISTANCE DEVICE例文帳に追加

強磁性2重量子井戸トンネル磁気抵抗デバイス - 特許庁

The nonvolatile magnetic memory includes a structure configured such that a layer for forming a quantum well is adjoining to a ferromagnetic layer.例文帳に追加

また、強磁性層に量子井戸形成層を隣接した構成を有する。 - 特許庁

To provide a method of high-speed and high-sensitivity reading-out of magnetization information by using light transition using the quantum well level in thin metallic film of magnetic metal, noble metal, magnetic metal, semiconductor, ferromagnetic metal, etc., or the semiconductor quantum well level held between ferromagnetic metals.例文帳に追加

磁性金属、貴金属、磁性金属、半導体、強磁性金属等の金属薄膜中の量子井戸準位または強磁性体に挟まれた半導体量子井戸準位を使った光遷移を用い、磁化情報の高速高感度読み出し方法を提供する。 - 特許庁

This device has a heterostructure composed of a first nonmagnetic barrier layer 2, a first ferromagnetic quantum well layer 4, a second nonmagnetic barrier layer 6, a second ferromagnetic quantum well layer 8, a third nonmagnetic barrier layer 10 laminated one above another.例文帳に追加

非磁性体の第1障壁層2と、強磁性体の第1量子井戸層4と、非磁性体の第2障壁層6と、強磁性体の第2量子井戸層8と、非磁性体の第3障壁層10とが積層されたヘテロ構造を有し、強磁性体の第1量子井戸層4及び第2量子井戸層8は伝導を担うキャリアのドブロイ波長より十分薄い層である。 - 特許庁

例文

To provide a magnetic semiconductor device that is lattice-matched with a substrate and forms a quantum well layer or a ferromagnetic electrode constituted from II-IV-V_2 group compound magnetic semiconductor material whose Curie temperature Tc is the room temperature.例文帳に追加

基板と格子整合し、キュリー温度Tcが室温であるII−IV−V_2族化合物磁性半導体材料で量子井戸層あるいは強磁性電極を構成した磁性半導体素子を提供する。 - 特許庁


例文

To provide a ferromagnetic double quantum well tunnel magnetoresistance device which obtains an infinite tunnel magnetoresistance ratio by a desired bias voltage, utilizing a two-dimensional electron (hole) system.例文帳に追加

2次元電子(正孔)系を利用して無限大のトンネル磁気抵抗比を所望のバイアス電圧で得る強磁性2重量子井戸トンネル磁気抵抗デバイスを提供する。 - 特許庁

The superconducting quantum interference element 10 has a superconducting layer 12, having a ring part 12A and ferromagnetic layers 13, 13 arranged so as to crossover a part of the ring part 12A of the superconducting layer 12.例文帳に追加

超伝導量子干渉素子10は、リング部12Aを有する超伝導体層12と、この超伝導体層12のリング部12Aの一部を跨いで配設された強磁性層13,13と、を有する。 - 特許庁

例文

The all silicon quantum computing element is provided with a silicon terrace 6 in a ^28Si isotope wafer not having a nuclear spin, a bridge 3 having an atom chain of linearly grown ^29Si in a step 7 of the terrace 6, a cap layer of ^28Si to be grown, and a ferromagnetic micro magnet (a magnet) deposited in correspondence to the bridge 3.例文帳に追加

核スピンを持たない^28Si同位体ウエハ中にシリコンのテラス6と、このテラス6の段差7に1次元的に成長された^29Siの原子鎖8とを有するブリッジ3と、成長される^28Siのキャップ層と、前記ブリッジ3に対応して蒸着される強磁性体のマイクロマグネット(磁石)1とを具備する。 - 特許庁

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