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fet technologyの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7件
To provide a high performance FET using a crystal strain technology.例文帳に追加
結晶歪技術を使用した高性能なＦＥＴを提供する。 - 特許庁
To provide a technology capable of obtaining an FET with small on-state resistance without reducing a breakdown voltage.例文帳に追加
耐圧を小さくすることなく、オン抵抗が小さいＦＥＴを得ることができる技術を提供する。 - 特許庁
To disclose such a technology that a data maintaining (Retention) property can be improved without losing a refresh information even when a power source is OFF state, by applying 1T-FET type (1 transistor-Field Effect Transistor Type) ferroelectric memory cell having nonvolatile property to DRAM.例文帳に追加
本発明は、不揮発性特性を有する1T-FET型(1 transistor-Field Effect Transistor Type)強誘電体メモリセルをDRAMに適用して電源のオフ時にもリフレッシュ情報を失わず、データ維持(Retention)特性を向上させることができるようにする技術を開示する。 - 特許庁
To provide an SOI (silicon on insulator) that applies an N-type FET with a tensile stress and a P-type FET with a compression stress, along with a LOCOS (selective oxidizing) on an HOT (hybrid orientation technology) semiconductor device and a manufacturing method thereof.例文帳に追加
Ｎ型ＦＥＴには引っ張り応力、Ｐ型ＦＥＴには圧縮応力を与えるＳＯＩ（シリコンオンインシュレータ）及びＨＯＴ（ハイブリッド配向技術）半導体装置上のＬＯＣＯＳ（選択酸化）及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a technology capable of improving the operating speed of a semiconductor device by reducing the resistance in an extension region on the source side of an FET formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板上に形成されたＦＥＴのソース側のエクステンション領域の抵抗値を低減し、半導体装置の動作速度を向上することができる技術を提供する。 - 特許庁
To provide loop oscillation stopping technology which has higher efficiency than before and to provide a microwave power amplifier equipped with a small-sized, high-performance, and high-output FET chip which stably operates by efficiently absorbing loop oscillation power generated nearby the FET chip by a resistor.例文帳に追加
本発明は、従来よりも高効率的なループ発振抑止技術を提供することを目的として、ＦＥＴチップ近傍で生じるループ発振電力を抵抗体で効率よく吸収して安定に動作する小型、高性能かつ高出力なＦＥＴチップを備えたマイクロ波電力増幅器を提供することを課題とする。 - 特許庁
More specifically, limitation of photolithographic technology is solved to enhance the switching rate and frequency response of an FET by decreasing the isolation distance between the drain electrode and the source electrode thereby decreasing the channel width.例文帳に追加
詳しくは、ドレイン電極とソース電極を分離する距離を減らしそしてチャネルの幅を減らしてＦＥＴの切り換え速度と周波数応答を向上させるような光リソグラフ技術の限界を解決することである。 - 特許庁
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