意味 | 例文 (7件) |
gallium arsenide phosphideの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7件
GALLIUM PHOSPHIDE-ARSENIDE MIXED CRYSTAL EPITAXIAL WAFER例文帳に追加
りん化ひ化ガリウム混晶エピタキシャルウエハ - 特許庁
To efficiently treat a raw-material compound, such as gallium arsenide, gallium phosphide and indium phosphide, at low cost.例文帳に追加
ガリウム砒素、ガリウムリン、インジウムリンなどの原料化合物を効率よく低コストで処理する。 - 特許庁
The object to be polished is preferably of sapphire, gallium nitride, silicon carbide, gallium arsenide, indium arsenide, or indium phosphide.例文帳に追加
また、研磨対象物は、サファイア、窒化ガリウム、炭化ケイ素、ヒ化ガリウム、ヒ化インジウム又はリン化インジウムからなることが好ましい。 - 特許庁
A light-emitting element is constituted, utilizing a heterojunction structure of gallium arsenide phosphide (GaAs_1-XPX: 0≤X≤1) and a III-V compound semiconductor layer containing boron.例文帳に追加
砒化リン化ガリウム(GaAs_1-XP_X:0≦X≦1)発光層に含硼素III−V族化合物半導体層を接合させたヘテロ接合構造を利用して発光素子を構成する。 - 特許庁
In particular, the heterojunction of the mission layer and a III-V compound semiconductor layer containing boron having a forbidden band which is not narrower than that of gallium arsenide phosphide emission layer is utilized.例文帳に追加
特に、砒化リン化ガリウム発光層以上の禁止帯幅を有する含硼素III−V族化合物半導体層を発光層にヘテロ接合させる。 - 特許庁
The light-emitting material is produced by mixing gallium arsenide, gallium phosphide or gallium antimonide with manganese and performing a first baking to prepare a first baked product, mixing a base material with an element constituting a luminescent center material or a compound containing the element and performing a second baking to prepare a second baked product, subsequently mixing the first baked product with the second baked product and performing a third baking.例文帳に追加
ヒ化ガリウム、リン化ガリウム、又はアンチモン化ガリウムと、マンガンとを混合して第1の焼成を行い、第1の焼成物を作製し、母体材料と、発光中心材料を構成する元素又はその元素を含む化合物とを混合して第2の焼成を行い、第2の焼成物を作製し、第2の焼成物に、第1の焼成物を混合して、第3の焼成を行うことにより発光材料を作製する。 - 特許庁
意味 | 例文 (7件) |
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