「gap semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

WIDE GAP COMPOSITE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ワイドギャップ複合半導体装置 - 特許庁

GaP-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ＧａＰ系半導体発光素子 - 特許庁

This wide-gap semiconductor device is obtained by coating an external surface of the wide-gap semiconductor element with a synthetic polymer compound.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体素子の外面を、合成高分子化合物で被覆する。 - 特許庁

PRECISE ETCHING OF WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR例文帳に追加

精密なワイドバンドギャップ半導体のエッチング - 特許庁

METHOD FOR MEASURING SEMICONDUCTOR MICRODEVICE GAP, AND SEMICONDUCTOR MICRODEVICE FOR MEASURING GAP例文帳に追加

半導体マイクロデバイスのギャップ計測方法及びギャップ計測用の半導体マイクロデバイス - 特許庁

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT CONTAINING BAND GAP CIRCUIT例文帳に追加

バンドギャップ回路を内蔵する半導体集積回路 - 特許庁

WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体装置とその製造方法 - 特許庁

WIDEBAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

BAND GAP CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE WITH THE SAME例文帳に追加

バンドギャップ回路及びこれを具備する半導体装置 - 特許庁

LEAD-FREE SOLDERING METHOD OF WIDE-GAP SEMICONDUCTOR CHIP例文帳に追加

ワイドギャップ半導体チップの鉛フリー半田付け方法 - 特許庁

INTERPOSER OF SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR GAP STRUCTURE例文帳に追加

エアーギャップ構造を有する半導体素子のインターポーザ - 特許庁

MANUFACTURE OF ELECTRODE METAL FILM FOR WIDE-GAP SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ワイドギャップ半導体用電極金属膜の作製方法 - 特許庁

HIGH-BREAKDOWN WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICE OF AND POWER DEVICE例文帳に追加

高耐圧ワイドギャップ半導体装置及び電力装置 - 特許庁

Band gap of a semiconductor material forming the floating gate is preferably smaller than the band gap of the semiconductor layer.例文帳に追加

浮遊ゲートを形成する半導体材料のバンドギャップは、半導体層のバンドギャップより小さいことが好ましい。 - 特許庁

The p-type wide gap semiconductor has the wide gap near the forbidden band width of the first semiconductor, and also functions as a p-type wide gap semiconductor through injection of holes due to the second semiconductor.例文帳に追加

このp型ワイドギャップ半導体は、第１半導体の禁制帯幅に近いワイドギャップを持ち、且つ、第２半導体により正孔が注入されることにより、１個のp型ワイドギャップ半導体として機能する。 - 特許庁

Band gap of a semiconductor material forming the floating gate is preferably smaller than the band gap of the semiconductor substrate.例文帳に追加

浮遊ゲートを形成する半導体材料のバンドギャップは、半導体基板のバンドギャップより小さいことが好ましい。 - 特許庁

A band gap of the third group III nitride system semiconductor is larger than a band gap of the first group III nitride system semiconductor.例文帳に追加

第３のIII族窒化物系半導体のバンドギャップは、第１のIII族窒化物系半導体のバンドギャップより大きい。 - 特許庁

ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOUND WITH WIDE BAND GAP例文帳に追加

バンドギャップが広いことを特徴とする有機半導体化合物 - 特許庁

VACUUM LEAD-FREE SOLDERING METHOD OF WIDE-GAP SEMICONDUCTOR CHIP例文帳に追加

ワイドギャップ半導体チップの鉛フリー真空半田付け方法 - 特許庁

A band gap of the third group III nitride system semiconductor is larger than a band gap of the second group III nitride system semiconductor.例文帳に追加

第３のIII族窒化物系半導体のバンドギャップは、第２のIII族窒化物系半導体のバンドギャップ以上である。 - 特許庁

BAND GAP ESTIMATING METHOD FOR SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR SIMULATION METHOD AND RECORDING MEDIUM例文帳に追加

半導体のバンドギャップ見積もり方法、半導体シミュレーション方法及び記録媒体 - 特許庁

To obtain a wide-gap semiconductor device of high dielectric strength, by improving insulating properties of a wide-gap semiconductor element in the wide-gap semiconductor device, such as SiC, which is used at a high temperature of ≥ 150°C.例文帳に追加

１５０℃以上の高温で使用するＳｉＣなどのワイドギャップ半導体装置において、ワイドギャップ半導体素子の絶縁性を改善し、高耐電圧のワイドギャップ半導体装置を得る。 - 特許庁

To attain a method for measuring the band gap electronic physicality of a wide-gap semiconductor using optical excitation.例文帳に追加

光励起を利用したワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性の計測方法を実現する。 - 特許庁

In a semiconductor, a semiconductor layer, having smaller band gap energy than a GaN semiconductor layer has, is interposed between a sapphire substrate and the GaN semiconductor layer.例文帳に追加

サファイア基板とGaN系半導体層の間に、GaN系半導体層よりもバンドギャップエネルギーの小さい半導体層を積層させる。 - 特許庁

To improve a laser characteristic of an integrated semiconductor laser element with a GaN series semiconductor laser element and a GaP series semiconductor laser element integrated, and to prolong its life time.例文帳に追加

GaN系半導体レーザ素子とGaP系半導体レーザ素子とを集積した集積型半導体レーザ素子のレーザ特性を向上し、かつ長寿命化を図る。 - 特許庁

To enhance cleaning effect for a clearance gap between a circuit substrate and a semiconductor element of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の回路基板と半導体素子との隙間の洗浄効果を高める。 - 特許庁

INSULATED GATE SEMICONDUCTOR DEVICE USING WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体を用いた絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

The second semiconductor layer 13b has a band gap larger than the smallest band gap in the first semiconductor layer 13a.例文帳に追加

第２の半導体層１３ｂは、第１の半導体層１３ａにおける最小のバンドギャップも大きいバンドギャップを有する。 - 特許庁

WIDEBAND GAP SEMICONDUCTOR VERTICAL MOSFET, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体縦型ＭＯＳＦＥＴとその製造方法。 - 特許庁

BAND GAP REFERENCE CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE CIRCUIT例文帳に追加

バンドギャップレファレンス回路及び同回路を有する半導体装置 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING COMPOSITE SUBSTRATE HAVING LAMINATED WIDEBAND GAP SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体を積層した複合基板の製造方法 - 特許庁

The band gap of th inclined band gap layer 24 located on the interface of the III-V group semiconductor layer 22 is substantially equal to the band gap of the III-V group semiconductor layer.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族半導体層（２２）との界面における傾斜バンドギャップ層（２４）のバンドギャップは、実質的にＩＩＩ−Ｖ族半導体層のバンドギャップに等しい。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor 4 is preferably processed by band-gap reduction, so that its band gap becomes small.例文帳に追加

また、半導体４は、バンドギャップが小さくなるようバンドギャップ低減処理が施されているのが好ましい。 - 特許庁

GAP EMBEDDING COMPOSITION, METHOD FOR EMBEDDING GAP AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING THE COMPOSITION例文帳に追加

間隙埋め込み用組成物、それを用いた間隙埋め込み方法及び半導体素子の製造方法 - 特許庁

The second semiconductor film has a second energy band gap larger than the first energy band gap.例文帳に追加

上記第２半導体膜は、第１エネルギーバンドギャップよりも大きな第２エネルギーバンドギャップを有している。 - 特許庁

To provide a p-type wide gap semiconductor having a new structure.例文帳に追加

新規な構成を有するp型ワイドギャップ半導体を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR AND METHOD OF FORMING AIR GAP IN SEMICONDUCTOR DEVICE (AIR GAP WITH SELECTIVE PINCHOFF USING ANTI-NUCLEATION LAYER)例文帳に追加

半導体装置及び半導体装置内に空洞を形成する方法（核化防止層を使用する選択的なピンチ・オフを有する空隙） - 特許庁

The band gap E15 of a second group III nitride semiconductor material is larger than the band gap E13 of a first group III nitride semiconductor material.例文帳に追加

第２のIII族窒化物半導体材料のバンドギャップＥ１５は第１のIII族窒化物半導体材料のバンドギャップＥ１３より大きい。 - 特許庁

To provide a method for measuring the gap of a semiconductor microdevice in a non-destructive manner, and the semiconductor microdevice for measuring the gap.例文帳に追加

非破壊で行うことができる半導体マイクロデバイスのギャップ計測方法及びギャップ計測用の半導体マイクロデバイスを提供する。 - 特許庁

A lattice constant of the first nitride semiconductor constituting the second semiconductor layer 102 is small than that of the second nitride semiconductor constituting the third semiconductor layer 103, while a band-gap energy of the first nitride semiconductor constituting the second semiconductor layer 102 is larger than that of the second nitride semiconductor constituting the third semiconductor layer 103.例文帳に追加

また、第２半導体層１０２を構成する第１窒化物半導体は、第３半導体層１０３を構成する第２窒化物半導体より格子定数が小さくバンドギャップエネルギーが大きい。 - 特許庁

A field-effect transistor using a wide-gap semiconductor such as an oxide semiconductor in a semiconductor layer in which a channel is to be formed is applied to a switching element used for a switched capacitor circuit.例文帳に追加

特に、スイッチング素子のリーク電流に起因する不具合が抑制された半導体回路を提供する。 - 特許庁

A semiconductor layer or at least one portion of a semiconductor substrate comprises a semiconductor region having a large energy gap.例文帳に追加

半導体層若しくは半導体基板の少なくとも一部がエネルギーギャップの大きな半導体領域で構成する。 - 特許庁

The semiconductor 2a is GaP; the semiconductor 3 is Al_0.3Ga_0.7As; the semiconductor 4 is GaAs; the semiconductor 5 is In_0.3Ga_0.7As; and the semiconductor 6 is In_0.6Ga_0.4As.例文帳に追加

半導体２ａはＧａＰ、半導体３はＡｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓ、半導体４はＧａＡｓ、半導体５はＩｎ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓ、半導体６はＩｎ_０．６Ｇａ_０．４Ａｓである。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE AND METHOD OF REGULATING GAP BETWEEN TWO ELECTRODE例文帳に追加

半導体製造装置及び２極間のギャップを調整する方法 - 特許庁

WIDE GAP SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ワイドギャップ半導体基板およびワイドギャップ半導体装置の製造方法 - 特許庁