「gate voltage dependence」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Thereby, by using only one resistor connected to a MOSFET of the peaking current source 2 wherein connection between a back gate and a gate is not performed in series, temperature dependence of the output reference voltage is balanced out.例文帳に追加

これにより、ピーキング電流源２のバックゲート・ゲート間接続がされていないＭＯＳＦＥＴに直列に接続した１つの抵抗のみを用いることによって、出力参照電圧の温度依存性を相殺させることができる。 - 特許庁

To provide a delay circuit for adjusting a power-source voltage dependence on display time by providing a difference in electric potential between a source and a substrate (back gate).例文帳に追加

ソースと基板（バックゲート）間に電位差を設けることにより、ディレイ時間の電源電圧依存性を調整することができるディレイ回路を提供する。 - 特許庁

The shift amount ΔV_th of a gate threshold voltage V_th before and after the injection of the charge is found and, for example, the found shift amount is differentiated to find the pulse applying time dependence of the rate dΔV_th/dt of charge of time of the shift amount (Figure 14).例文帳に追加

その前後でのゲート閾値電圧Ｖ_thのシフト量ΔＶ_thを求め、たとえば、それを微分してシフト量の時間変化率ｄΔＶ_th／ｄｔのパルス印加時間依存性を求める（図１４）。 - 特許庁

To provide a low-pass filter circuit (loop filter) for making a capacitive element compact, in which a variation in a PLL response characteristic due to voltage dependence when a MOS capacitor is used as a capacitive element and a deterioration in a jitter characteristic by gate leak current when a thin-film gate transistor is used as a MOS capacitor are suppressed.例文帳に追加

容量素子の小型化を図る低域ろ波回路（ループフィルタ）において、容量素子としてＭＯＳ容量を使用した場合の電圧依存によるＰＬＬ応答特性のばらつきと、ＭＯＳ容量として薄膜ゲートトランジスタを使用した場合のゲートリーク電流によるジッタ特性の劣化を抑制する。 - 特許庁