| 意味 | 例文 |
insulating-layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 15927件
Subsequently, an insulating layer 250 is formed over the wiring 242.例文帳に追加
次いで配線242上に絶縁層250を形成する。 - 特許庁
PHOTOSENSITIVE COMPOSITION FOR FORMING INSULATING LAYER OF ELECTRON EMISSION DEVICE例文帳に追加
電子放出素子の絶縁層形成用感光性組成物 - 特許庁
A fourth insulating layer 44 is formed on the third insulating layer 43 so as to cover the wiring patterns W2, R2.例文帳に追加
第3の絶縁層43上には、配線パターンW2,R2を覆うように第4の絶縁層44が形成される。 - 特許庁
When the sound insulating layer 3 is formed on the outer circumferential surface of the cylinder body 1, the sound insulating layer 3 is covered with a non-woven fabric.例文帳に追加
遮音層3を筒体1の外周面に形成さした場合には、その遮音層3を不織布で覆っておく。 - 特許庁
An insulating resin layer 4 is formed on the one side 6a of the insulating layer 6 so as to cover the semiconductor device 3.例文帳に追加
この半導体素子3を被覆するように絶縁体層6の片面6aに絶縁性樹脂層4を形成する。 - 特許庁
The sound insulating layer has a surface density of 1.5 kg/m^2 or higher.例文帳に追加
上記遮音層は、面密度が1.5kg/m^2以上のもの。 - 特許庁
The semiconducting layer comprises a semiconducting polymer and an insulating polymer.例文帳に追加
半導体層が半導体ポリマーおよび絶縁ポリマーを含む。 - 特許庁
The insulating resin layer 30 is formed on the metal substrate 20, and wirings are formed on the insulating resin layer 30.例文帳に追加
金属基板20の上に絶縁樹脂層30が形成され、絶縁樹脂層30の上に配線が形成されている。 - 特許庁
SEAM HARDWARE MOUNTING STRUCTURE AND HEAT-INSULATING WATERPROOF LAYER LAYING STRUCTURE例文帳に追加
ハゼ金物取付構造、及び、断熱防水層敷設構造 - 特許庁
Subsequently, a blanket insulating layer is formed on the substrate.例文帳に追加
これに続いて、ブランケット絶縁層を基板上に形成する。 - 特許庁
On the first insulating layer 41, a second insulating layer 42 is formed covering the wiring pattern W1 for writing.例文帳に追加
書込用配線パターンW1を覆うように第1の絶縁層41上に第2の絶縁層42が形成されている。 - 特許庁
Especially, the thickness of the 1st ceramic insulating layer 111 is made smaller than that of the 2nd ceramic insulating layer 112.例文帳に追加
特に、第2セラミック絶縁層112の厚みに比べて、第1セラミック絶縁層111の厚みが薄くされている。 - 特許庁
The electronic components 8 are mounted on the second insulating layer 6.例文帳に追加
第2絶縁層6上に電子部品8を搭載する。 - 特許庁
The sidewall protective insulating layer 14 includes an insulating film with excellent adhesive properties between the substrate 11 and the adhesion layer 12.例文帳に追加
側壁保護絶縁層14は基板11および密着層12との密着性に優れた絶縁膜により成る。 - 特許庁
A second electrically insulating layer is arranged on the fuse element.例文帳に追加
第2の電気絶縁層がヒューズエレメント上に配置される。 - 特許庁
A blind via-hole 9 is drilled in the inner insulating layer 8.例文帳に追加
この内層絶縁層8にブラインドビアホール9を穿設する。 - 特許庁
A curing step for curing the insulating layer 22 is then performed.例文帳に追加
次に絶縁層22を硬化させる硬化工程を行う。 - 特許庁
The mold pattern that is exposed by the interlayer insulating layer pattern is removed with the interlayer insulating layer pattern as an etching mask.例文帳に追加
層間絶縁層パターンをエッチングマスクとして層間絶縁層パターンにより露出されたモールドパターンを除去する。 - 特許庁
A gate insulating layer, at least at the bottom of the opening, is formed, and a gate electrode is formed on the gate insulating layer.例文帳に追加
この開口の少なくとも底部に、ゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に、ゲート電極を形成する。 - 特許庁
COMPOSITE WATERPROOF SHEET WITH INSULATING LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
絶縁層付き複合防水シート及びその製造方法 - 特許庁
Each heat insulating layer has a high density portion and a low density portion neighboring each other along the heat insulating layer.例文帳に追加
各断熱層は、断熱層に沿った方向について互いに隣接する高密度部及び低密度部を有している。 - 特許庁
A cover insulating layer 108 is provided on the lower-face side of the base insulating layer 101 so as to cover the wiring pattern 1042.例文帳に追加
配線パターン1042を覆うようにベース絶縁層101の下面側にカバー絶縁層108が設けられる。 - 特許庁
Subsequently, the semiconductor substrate 206 is separated (stripped) from the insulating substrate 10A except a surface layer part including the insulating layer 11b.例文帳に追加
次に、半導体基板206を、絶縁層11bを含む表層部を除いて絶縁基板10Aから分離(剥離)する。 - 特許庁
The gate electrode, the insulating layer, and the second cathode have respective openings through which the gate electrode, insulating layer, and second cathode communicate with each other.例文帳に追加
ゲート電極、絶縁層、及び、第2のカソード電極のそれぞれには、互いに連通する開口が設けられている。 - 特許庁
The first insulating layer is etched to a prescribed depth of the trench, and a bottom insulating layer is left in the trench.例文帳に追加
次に第1絶縁層をトレンチの所定の深さまでエッチングすることにより、トレンチ内にて底部絶縁層を残す。 - 特許庁
The insulating film 30 has higher wettability than that of the primer layer 60.例文帳に追加
絶縁膜30はプライマ層60よりも濡れ性が高い。 - 特許庁
The upper layer insulating film 16 is provided on the adhesive force improving film 14a and the upper surface of the insulating layer 15.例文帳に追加
密着力向上膜14aおよび絶縁層15の上面には上層絶縁膜16が設けられている。 - 特許庁
The current collecting part 3c is formed on a base insulating layer 2 so that the main surface E2 comes into contact with the base insulating layer 2.例文帳に追加
集電部3cは、主面E2がベース絶縁層2に接触するようにベース絶縁層2上に形成される。 - 特許庁
An insulating layer 1 made of an insulator film etc., is prepared.例文帳に追加
絶縁体フィルム等からなる絶縁層1を用意する。 - 特許庁
The insulating layer 33 is made of a baked organic polysilane.例文帳に追加
絶縁層33はベークされた有機ポリシラン製の層である。 - 特許庁
The conductor pattern 2a is formed on a base insulating layer 1.例文帳に追加
ベース絶縁層1上に導体パターン2aを形成する。 - 特許庁
On the first insulating layer 41, a second insulating layer 42 is formed covering the wiring patterns W1 and R1.例文帳に追加
第1の絶縁層41上において配線パターンW1,R1を覆うように第2の絶縁層42が形成される。 - 特許庁
An upper layer insulating film 16 is formed on the inter-layer insulating film 10 and covers the detection electrode 11.例文帳に追加
層間絶縁膜10上には、検出電極11を覆うように上層絶縁膜16が形成されている。 - 特許庁
On the second insulating layer 42, a third insulating layer 43 is formed covering the wiring patterns W2 and R2.例文帳に追加
第2の絶縁層42上において配線パターンW2,R2を覆うように第3の絶縁層43が形成される。 - 特許庁
The etching rate of material of the second insulating layer 72 is set more than the etching rate of material of the first insulating layer 71.例文帳に追加
第2絶縁層72の材料のエッチングレートは第1絶縁層71の材料のエッチングレートより大きくされている。 - 特許庁
Then a lower part insulating layer 4 comprising polyimide is laminated.例文帳に追加
続いて、ポリイミドからなる下部絶縁層4を積層する。 - 特許庁
A second insulating layer is formed on the conductive nanotube.例文帳に追加
導電性ナノチューブの上に第2の絶縁層を形成する。 - 特許庁
A second gate insulating layer 24 of the PlanarFET is thicker than a first gate insulating layer 14 of the FinFET 10.例文帳に追加
PlanarFETの第2ゲート絶縁層24は、FinFET10の第1ゲート絶縁層14よりも厚い。 - 特許庁
Then, an insulating layer 11b consisting of PVK is formed (c).例文帳に追加
次いでPVKから成る絶縁層11bを形成する(c)。 - 特許庁
The MEMS device is characterized in that the thickness of the upper insulating layer is larger than that of the lower insulating layer.例文帳に追加
そのMEMSデバイスは、上側絶縁層の厚さが下側絶縁層の厚さよりも大きいことを特徴とする。 - 特許庁
The insulating layer 3 consists of a thin film of diamond-like carbon.例文帳に追加
前記絶縁層3は、ダイヤモンドライクカーボンの薄膜からなる。 - 特許庁
METHOD FOR FORMING INSULATING LAYER, HEAT TREATMENT DEVICE, AND STORAGE MEDIUM例文帳に追加
絶縁層の形成方法、熱処理装置及び記憶媒体 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|