「insulating-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The porous insulating layer 20 covers a whole cathode mixture layer of the cathode 6.例文帳に追加

多孔性絶縁層２０が正極６の正極合剤層全体を覆っている。 - 特許庁

The number of in-use expensive metal panels each having an adhesive layer and an insulating layer decreases.例文帳に追加

接着層や絶縁層を有する高価な金属パネルの使用枚数が減る。 - 特許庁

An insulating layer covers predetermined parts of the thin-film crystal layer and both the electrodes.例文帳に追加

絶縁層が、薄膜結晶層および両電極の所定の部位を覆っている。 - 特許庁

An insulating layer of polyethylene 117 is formed on top of the metal layer of aluminum 116.例文帳に追加

金属層アルミニウム１１６の上部にも絶縁層ポリエチレン１１７を形成する。 - 特許庁

After moved, an insulating layer is embedded between the later substrate and the layer containing germanium.例文帳に追加

移動後、絶縁層が後者の基板とゲルマニウム含有層との間に埋め込まれる。 - 特許庁

A second insulating layer 46 and a planarization layer 48 cover the current source transistor TS.例文帳に追加

第２絶縁層４６および平坦化層４８は電流源トランジスタＴSを覆う。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a semiconductor layer, a gate insulating layer 26 formed on the semiconductor layer, and a gate electrode 28 formed on the gate insulating layer 26.例文帳に追加

半導体装置１００は、半導体層と、半導体層上に形成されたゲート絶縁層２６と、ゲート絶縁層２６上に形成されたゲート電極２８と、を含む。 - 特許庁

To provide a solid cable, capable of suppressing movement of insulating oil associated with thermal history of an insulating layer in operation of the cable to stabilize the insulating characteristic by thickening the insulating oil in the insulating layer, and to provide a connection part thereof.例文帳に追加

絶縁層中の絶縁油を増粘させることで、ケーブル運転時の絶縁層の熱履歴に伴う絶縁油の移動を抑制し、絶縁特性を安定させることができるソリッドケーブルとその接続部を提供する。 - 特許庁

The multilayer interconnection board has an insulating layer comprising a liquid crystal polymer, a conductive circuit formed by being embedded in the insulating layer, and an inter-layer connection conductive post formed on the conductive circuit layer by penetrating the insulating layer.例文帳に追加

液晶ポリマーで構成される絶縁層と、前記絶縁層に埋没して形成された導体回路と、前記絶縁層を貫通して前記導体回路層上に形成された層間接続用導体ポストとを有する多層配線板。 - 特許庁

The wiring substrate 12 has a laminated structure comprising an insulating layer 9, an electrically conductive layer 7 including the electrode 7c formed on the upper surface side of the insulating layer 9, and an electrically conductive layer 10 formed on the lower surface side of the insulating layer 9.例文帳に追加

配線基板１２は、絶縁層９、絶縁層９の上面側に形成した電極７ｃを含む導電層７、及び絶縁層９の下面側に形成した導電層１０からなる積層構造を有する。 - 特許庁

At this time, the gate insulating layer 4 has a thick film part, formed by laminating the lower-layer-side gate insulating layer 4a and upper-layer-side gate insulating layer 4b, where at least the outer peripheral end of the lower electrode 3c and the upper electrode 6c overlaps.例文帳に追加

その際、少なくとも下電極３ｃの外周端部と上電極６ｃとが重なる部分では、ゲート絶縁層４において下層側ゲート絶縁層４ａと上層側ゲート絶縁層４ｂとが積層した厚膜部分とする。 - 特許庁

To provide an insulating resin composition capable of forming an insulating layer excellent in adhesion to a plating layer, a plated matter having the insulating layer formed from the insulating resin composition, a material for forming a build-up layer containing the insulating resin composition, and a material for forming a wiring substrate containing the insulating resin composition.例文帳に追加

めっき層に対する密着力が優れた絶縁層を形成可能な絶縁性樹脂組成物、該絶縁性樹脂組成物による絶縁層を有するめっき物、該絶縁性樹脂組成物を含むビルドアップ層形成用材料、及び該絶縁性樹脂組成物を含む配線基板形成用材料の提供。 - 特許庁

The stack layer includes an insulating layer disposed on the channel region, a charge storage layer disposed on the insulating layer, a multi-layer tunneling dielectric structure on the charge storage layer, and a gate disposed on the multi-layer tunneling dielectric structure.例文帳に追加

スタック層は、チャネル領域上に配置した絶縁層、絶縁層上に配置した電荷蓄積層、電荷蓄積層上の多層トンネリング誘電体構造、および多層トンネリング誘電体構造上に配置したゲートを有する。 - 特許庁

Then, a conductor pattern 6 is formed as a wiring circuit pattern on the base insulating layer 5, and a cover insulating layer 7 is formed on the base insulating layer 5 so as to cover the conductor pattern 6.例文帳に追加

次いで、ベース絶縁層５の上に導体パターン６を配線回路パターンとして形成し、ベース絶縁層５の上に導体パターン６を被覆するようにカバー絶縁層７を形成する。 - 特許庁

Additionally, the coefficients of thermal expansion of both the first resin insulating layer 4 and second resin insulating layer 5 are set to be smaller than that of the metal layers 3 disposed on the both sides of the first resin insulating layer 4.例文帳に追加

加えて、第１樹脂絶縁層４、第２樹脂絶縁層５ともに、その熱膨張率を、第１樹脂絶縁層４の両面に配置されている金属層３より小さくする。 - 特許庁

A first insulating layer 31 and a second insulating layer 32 are laminated in order on a glass substrate 21, and the plurality of discharge electrodes 23, 24 are provided on the top of the second insulating layer 32.例文帳に追加

ガラス基板２１の上に第１絶縁層３１及び第２絶縁層３２を順に積層し、第２絶縁層３２の上面に複数の放電電極２３，２４を設ける。 - 特許庁

A thickness of the second insulating layer or a total thickness of the second insulating layer and any insulating layer existing below it occupies 30% or more but not more than 98% of the depth of the cavity.例文帳に追加

第２絶縁層の厚さ、あるいは第２絶縁層と、そのさらに下方にある任意の絶縁層の厚さの合計は、キャビティの深さの３０％以上、９８％以下を占める。 - 特許庁

Then, after a triangular insulating layer 68f is formed on the insulating layer 68e, a bottom part 74a is formed so as to be connected with the top yoke 52, and its upper side is covered with an insulating layer 68g.例文帳に追加

次に、絶縁層６８ｅの上に三角形状の絶縁層６８ｆを形成した後、トップヨーク５２と繋がるようにボトム部７４ａを形成し、その上を絶縁層６８ｇで覆う。 - 特許庁

To provide an insulation wire reduced in adhesive force of a conductor to an insulating layer inducing wire disconnection and defective removal of the insulating layer in peeling the insulating layer and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

絶縁層の剥ぎ取り時の断線や絶縁層除去不良の原因となる導体と絶縁層の接着力が低減されている絶縁電線、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The thermal expansion rate of both the first resin insulating layer 4 and the second resin insulating layer 5 is selected smaller than that of the metal layers 3, each located on both the sides of the first resin insulating layer 4.例文帳に追加

第１樹脂絶縁層４、第２樹脂絶縁層５ともに、その熱膨張率を、第１樹脂絶縁層４の両面に配置されている金属層３より小さくする。 - 特許庁

A silicon oxide film is formed on the silicon layer 6 as a lower layer insulating film 7a, and an aluminum oxide film is formed on the lower layer insulating film 7a as an intermediate insulating film 7b.例文帳に追加

シリコン層６上に下層絶縁膜７ａとしてシリコン酸化膜を形成し、下層絶縁膜７ａ上に中間絶縁膜７ｂとしてアルミニウム酸化物膜を形成する。 - 特許庁

Furthermore, first wiring 25 is provided between the first insulating layer 31 and the glass substrate 21, and second wiring 26 is provided between the first insulating layer 31 and the second insulating layer 32.例文帳に追加

さらに、第１配線２５を第１絶縁層３１とガラス基板２１との間に設ける一方、第２配線２６を第１絶縁層３１と第２絶縁層３２との間に設ける。 - 特許庁

A field emission cathode has a cathode, an insulating layer 6, gates 27 on the insulating layer, and an emitter provided inside a hole formed in continuation with the insulating layer and the gates, the emitter being electrically connected to the cathode.例文帳に追加

電界放出陰極は、陰極、絶縁層６、絶縁層上のゲート27、絶縁層とゲートに連続して形成されたホール内に設けられて陰極に導通したエミッタを有する。 - 特許庁

An insulating layer is formed on a semiconductor substrate, and a first trench reaching the semiconductor substrate from the insulating layer is formed selectively on the semiconductor substrate where the insulating layer is formed.例文帳に追加

半導体基板上に絶縁層を形成し、この絶縁層が形成された半導体基板に選択的に当該絶縁層から半導体基板に達する第１のトレンチを形成する。 - 特許庁

The organic transistor comprises a gate electrode 111, a gate insulating layer 112, a source electrode 113, a drain electrode 114, and a semiconductor layer 115, with the gate insulating layer 112 consisting of the organic insulating film.例文帳に追加

ゲート電極１１１、ゲート絶縁層１１２、ソース電極１１３、ドレイン電極１１４および半導体層１１５を含み、ゲート絶縁層１１２が該有機絶縁膜からなる有機トランジスタ。 - 特許庁

In a bottom-gate structure thin film transistor, an oxide insulating layer as a channel protecting layer is formed on part of an oxide semiconductor layer superimposed on a gate electrode layer, and during the formation of the oxide insulating layer, an oxide insulating layer for covering a peripheral portion (including a side surface) of the oxide semiconductor layer is formed.例文帳に追加

ボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部にチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、その酸化物絶縁層の形成時に酸化物半導体層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層を形成する。 - 特許庁

Then, after an inter-gate insulating layer and a control gate layer are formed on the peak floating gate layer, the control gate, an inter-gate insulating region, the peak floating gate, and a tunnel oxide region are formed by successively etching the control gate layer, inter-gate insulating layer, peak floating gate layer, and tunnel oxide layer.例文帳に追加

ピークフローティングゲート層上にゲート間絶縁層及び制御ゲート層を形成した後、制御ゲート層、ゲート間絶縁層、ピークフローティングゲート層及びトンネル酸化物層を順次エッチングして、制御ゲート、ゲート間絶縁領域、ピークフローティングゲート及びトンネル酸化物領域を形成する。 - 特許庁

The inside heat insulating layer 70 is used in a high-temperature area, while the outside heat insulating layer 72 is used in a low-temperature area, and the inside heat insulating layer 70 is formed by containing a larger amount metal components than the outside heat insulating layer 72.例文帳に追加

内側断熱層７０は、高温領域で使用される一方、外側断熱層７２は、低温領域で使用されるとともに、前記内側断熱層７０は、前記外側断熱層７２よりも金属成分を多く含有して構成される。 - 特許庁

To provide a material for forming an insulating layer forming the insulating layer having an excellent pattern even when the insulating layer is formed by printing method upon manufacturing a multi-layered wiring board, and the insulating layer formed by the material.例文帳に追加

多層配線板の製造に際して印刷法により絶縁層を形成させた場合であっても、良好なパターン形状を有する絶縁層を形成し得る絶縁層形成用材料、これにより形成された絶縁層を提供すること。 - 特許庁

An insulating layer 21 is formed by laminating a film insulating material 15 with an adhesive layer formed on an insulating board 11 on which a first wiring layer 12 is formed, and a hole for a via-hole is formed on the predetermined place of the insulating layer 21.例文帳に追加

第１配線層１２が形成された絶縁基板１１上に接着層１４が形成されたフイルム絶縁材料１５を積層して絶縁層２１を形成し、絶縁層２１の所定位置にバイアホール用孔１６を形成する。 - 特許庁

A supporting base 22 is composed of an insulating material having superior heat insulating property, such as a glass epoxy resin and a polyphenylene sulfide resin, or includes a part of an insulating material layer as an SOI base composed of a supporting layer, an insulating layer and an active layer.例文帳に追加

支持基板２２を、ガラスエポキシ樹脂やポリフェニレンサルファイド樹脂などの断熱性に優れた絶縁材料で、または支持層と絶縁層と活性層とよりなるＳＯＩ基板のように絶縁材料の層を部分的に含んで構成する。 - 特許庁

Then, a base insulating layer 4 is formed on the metal foil 3 and the metal support substrate 2, a conductor pattern 5 is formed on the base insulating layer 4, and a cover insulating layer 6 is formed on the base insulating layer 4 to cover the conductor pattern 5.例文帳に追加

次いで、金属箔３および金属支持基板２の上にベース絶縁層４を形成し、ベース絶縁層４の上に導体パターン５を形成し、ベース絶縁層４の上に導体パターン５を被覆するようにカバー絶縁層６を形成する。 - 特許庁

An air heat insulating space layer 8 which forms an air heat-insulating space 9 is formed outside a plastic tube 7 of low crosslink density polyethylene, etc., furthermore, a foamed heat insulating material layer 10 is formed outside the air heat insulating space layer 8, and a skin layer 11 is formed outside the foamed heat insulating material layer 10.例文帳に追加

架橋低密度ポリエチレン等から成る樹脂管７の外側に空気断熱空間９を形成した空気断熱空間層８を形成し、更にこの空気断熱空間層８の外側に発泡断熱材層１０を形成し、更に発泡断熱材層１０の外に外皮層１１を形成する。 - 特許庁

The laminated material comprising conductor layers on upper side and lower side of the insulating layer is characterized by that the insulating layer is constituted of two or more of insulating layer with different specific inductive capacities and the insulating layer contacting the conductor layers and the insulating layer not contacting the conductor layers are different in the specific inductive capacity.例文帳に追加

絶縁層の上下に導体層を備える積層材料であって、前記絶縁層は２以上の比誘電率の異なる絶縁層から構成され、前記導体層と接する絶縁層と前記導体層と接しない絶縁層との比誘電率が異なることを特徴とする積層材料。 - 特許庁

The coaxial wire comprises an inner conductor, an inner insulating layer coating the inner conductor, an outer conductor located outside the inner insulating layer, and an outer insulating layer coating the outer conductor, wherein at least one of the inner insulating layer and the outer insulating layer is composed of the ionomer resin composition.例文帳に追加

内部導体、該内部導体を被覆する内部絶縁層、該内部絶縁層の外側に位置する外部導体、及び該外部導体を被覆する外部絶縁層を有する同軸線であって、前記内部絶縁層及び前記外部絶縁層の少なくともいずれか一層を、上記本発明のアイオノマー樹脂組成物で構成する。 - 特許庁

A buried insulating layer 12 is buried at a position lower than a top surface of a semiconductor substrate 11, and a cap insulating layer 13 using a material different from that of the buried insulating layer 12 is formed on the buried insulating layer 12 without contacting a shoulder part of a step 12a between the semiconductor substrate 11 and buried insulating layer 12.例文帳に追加

半導体基板１１の表面よりも低い位置に埋め込み絶縁層１２を埋め込み、埋め込み絶縁層１２と材料の異なるキャップ絶縁層１３を半導体基板１１と埋め込み絶縁層１２と間の段差１２ａの肩の部分にかからないようにして埋め込み絶縁層１２上に形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an analyte test strip, including a process for arranging a patterned spacer layer between a first insulating layer and a second insulating layer, which is a process wherein the second insulating layer is disposed above the first insulating layer, and a channel is defined between the first and second insulating layers.例文帳に追加

検体試験片を製造する方法であって、第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に型どられたスペーサー層を配置する工程であって、第２の絶縁層は第１の絶縁層の上に配置され、チャネルが第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に規定される工程を含む。 - 特許庁

A cover insulating layer 3 is formed on the base insulating layer 1 with an adhesive layer in between, in a manner to cover the ground wiring layer 2a and the signal wiring layer 2b excluding a partly area on the grounding wiring layer 2a.例文帳に追加

グランド用配線層２ａ上の一部領域を除いてグランド用配線層２ａおよび信号用配線層２ｂを覆うようにベース絶縁層１上に接着剤層を介してカバー絶縁層３を形成する。 - 特許庁

Each cable core 2 includes, in order from the center, a former 3, the superconductive conductor layer 4, an insulating layer 5, the external superconductive layer 6, and a protective layer 7.例文帳に追加

各ケーブルコア2は、中心から順にフォーマ3、超電導導体層4、絶縁層5、外部超電導層6、保護層7を具える。 - 特許庁

A transparent electrode layer covers the insulating layer and p-type compound semiconductor layer, and is in ohmic contact with the p-type compound semiconductor layer.例文帳に追加

透明電極層が絶縁層及びｐ型化合物半導体層を覆い、ｐ型化合物半導体層にオーミックコンタクトする。 - 特許庁

A semiconductor layer, an insulating layer, and a photosensitive layer are deposited on the electrode and the photosensitive layer is exposed through the transparent substrate and developed.例文帳に追加

該電極上に半導体層、絶縁層および感光層を堆積し、透明基板越しに感光層を露光し現像する。 - 特許庁

A conductive layer 185 comprising an ITO is formed on the insulating layer, and the upper surface of the conductive layer is covered with a negative resist layer 191 (Fig. 8(b)).例文帳に追加

その上に、ＩＴＯからなる導電層１８５を形成し、その上面をネガ型レジスト層１９１で覆う（図８(b) ）。 - 特許庁

An insulating layer, formed on the metal reflection layer, insulates the plurality of contacts from the transparent conductive layer and the metal reflecting layer.例文帳に追加

金属反射層の上に形成された絶縁層は、複数のコンタクトを透明導電層及び金属反射層から絶縁する。 - 特許庁

Laminates of a reference layer 61, a crystal layer 62, a non-magnetic layer 63 and a pinned layer 64 are laminated on the insulating later 57.例文帳に追加

絶縁層５７上にはリファレンス層６１、結晶層６２、非磁性層６３およびピンド層６４の積層体が積層される。 - 特許庁

An inner layer printed wiring board 10 includes an inner layer insulating resin layer 11, inner layer circuit pattern 13, and an inner via-land 14.例文帳に追加

内層プリント配線板１０は内層絶縁樹脂層１１、内層回路パターン１３、内層バイアランド１４を備えている。 - 特許庁