「insulating-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

On a transparent insulating substrate 1, a gate wire 2, a gate insulating film 4, a semiconductor layer 5, and a contact layer 6 are formed in order.例文帳に追加

透明絶縁性基板１上にゲート配線２、ゲート絶縁膜４、半導体層５、コンタクト層６を順次形成する。 - 特許庁

In a semiconductor chip 10, an interlayer resin insulating layer 50 and an interlayer resin insulating layer 150 are formed on an IC chip 20.例文帳に追加

半導体チップ１０は、ＩＣチップ２０上に層間樹脂絶縁層５０、層間樹脂絶縁層１５０を配置して成る。 - 特許庁

An insulating layer 17 is formed in an area other the area containing the coil conductor on the insulating layer 19.例文帳に追加

絶縁体層１９上であって、コイル導体１８が形成された領域以外の領域に、絶縁体層１７を形成する。 - 特許庁

A vacuum suction part 2 depressurizes the inside of the heat insulating layer 13 by suctioning air inside the heat insulating layer 13.例文帳に追加

真空吸引部２は、断熱層１３の内部の空気を吸引することによって、断熱層１３の内部を減圧する。 - 特許庁

A cover insulating layer 13 is formed on the base insulating layer 11 to cover the lead wire S for plating and the wiring pattern 20.例文帳に追加

めっき用リード線Ｓおよび配線パターン２０を覆うように、ベース絶縁層１１上に、カバー絶縁層１３が形成される。 - 特許庁

Subsequently, an insulating layer 7 having a high relative dielectric constant of 10-30 is formed on the cover insulating layer 6a.例文帳に追加

続いて、カバー絶縁層６ａ上に、例えば１０〜３０の比誘電率を有する高誘電率絶縁層７を形成する。 - 特許庁

On the first insulating layer 3, a wiring 6 is provided, and the upper and side surfaces of the wiring 6 are covered with a second insulating layer 8.例文帳に追加

第１の絶縁層３上には配線６が設けられ、その上面及び側面は第２の絶縁層８に覆われている。 - 特許庁

The 2nd insulating barrier layer 17 is in contact with the 1st insulating barrier layer 15 in an area by a lower electrode 31.例文帳に追加

第２の絶縁性バリア層１７は、第１の絶縁性バリア層１５と下部電極３１の側方の領域で接している。 - 特許庁

To secure the insulation of an insulating film constituted by stacking an upper-layer highly dielectric film upon a lower-layer insulating film.例文帳に追加

下層絶縁膜の上層に高誘電率膜が積層される積層構造の絶縁膜においてその絶縁性を確保する。 - 特許庁

The end edges of the metal layers 3 on the both sides of the first resin insulating layer 4 are positioned inside the periphery of the first resin insulating layer 4.例文帳に追加

そして、両面の金属層３ともその端縁は第１樹脂絶縁層４の周縁より内側に位置させる。 - 特許庁

The insulating layer of a CVD oxide film, or the like, is formed on the surface, and the element is completely separated by the dielectric in the trench and the insulating layer.例文帳に追加

その面にＣＶＤ酸化膜等の絶縁層を形成して、トレンチと絶縁層で素子を誘電体で完全に分離する。 - 特許庁

A second insulating layer 42 is formed on the first insulating layer 41 so as to cover the wiring patterns W1, W2.例文帳に追加

第１の絶縁層４１上において配線パターンＷ１，Ｗ２を覆うように第２の絶縁層４２が形成される。 - 特許庁

A fixing roller 1 is composed of a hollow mandrel 4, an insulating adhesive layer 2 and a release layer 3 consisting of an insulating PFA tube.例文帳に追加

定着ローラ１は中空の芯金４と、絶縁接着層２と、絶縁ＰＦＡチューブからなる離型層３とからなる。 - 特許庁

Then a 2nd insulating layer (920) which is thicker than the 1st insulating layer is formed between the data lines and the scanning lines.例文帳に追加

そして、データ線及び走査線間には、前記第１絶縁層よりも厚膜となる第２絶縁層（９２０）が備えられている。 - 特許庁

The total thickness of metal layers 3 on both sides of a first resin insulating layer 4 is set to be greater than that of the first resin insulating layer.例文帳に追加

第１樹脂絶縁層４両面の金属層３の合計厚みを、第１樹脂絶縁層の厚みより厚く設定する。 - 特許庁

A printed wiring board 100 has a base insulating layer 1 and a conductor pattern 2 provided on the base insulating layer 1.例文帳に追加

プリント配線基板１００は、ベース絶縁層１およびそのベース絶縁層１上に設けられる導体パターン２を有する。 - 特許庁

To prevent a seal function from being deteriorated by expansion of a gas in a heat insulating layer, in a fuel cell equipped with the heat insulating layer.例文帳に追加

断熱層を備える燃料電池において、断熱層内の気体の膨張等によるシール機能の低下を防止する。 - 特許庁

The insulating layer (25) has at its end part a light incidence end surface (21) for introducing external illumination light (L) in the insulating layer.例文帳に追加

絶縁層（２５）の端部は外部からの照明光（Ｌ）を絶縁層内に導入するための光入射端面（２１）を有する。 - 特許庁

An optional insulating layer is formed on the sheet, an optional grid electrode is formed on the insulating layer, and addressing and focusing are performed.例文帳に追加

オプションの絶縁層をシートに形成し、オプションのグリッド電極を絶縁層に形成してアドレッシング及び集束を行う。 - 特許庁

The insulating layer is selectively eliminated by discharged processing agent (etching gas or etching liquid) to form an opening in the insulating layer.例文帳に追加

吐出（された処理剤（エッチングガス又はエッチング液）によって、絶縁層を選択的に除去し、絶縁層に開口を形成する。 - 特許庁

An interconnect 162 is embedded in a first insulating layer 120 and the upper surface of the interconnect is higher than the upper surface of the first insulating layer 120.例文帳に追加

配線１６２は第１絶縁層１２０に埋め込まれており、上面が第１絶縁層１２０の上面より高い。 - 特許庁

To improve adhesiveness between an insulating layer and a via conductor electrically connecting laminated wiring layers through the insulating layer.例文帳に追加

絶縁層を介して積層された配線層間を電気的に接続するビア導体と絶縁層との密着性を向上させる。 - 特許庁

A precursor magnetic pole layer for forming a main magnetic pole layer 11 is formed and in succession, an insulating layer 12, stopper layer 32 and insulating layer 33 are so formed as to cover the precursor magnetic pole layer and thereafter the precursor magnetic pole layer is made flat by polishing together with the insulating layers 12 and 33, by which the main magnetic pole layer 11 is formed.例文帳に追加

主磁極層１１を形成するための前駆磁極層を形成し、引き続き前駆磁極層を覆うように絶縁層１２、ストッパ層３２および絶縁層３３を形成したのち、これらの絶縁層１２，３３と共に前駆磁極層を研磨して平坦化することにより、主磁極層１１を形成する。 - 特許庁

A projecting insulating layer 13 is formed in a prescribed position of an insulating layer 12 on a SUS substrate 11, and a wiring layer 21 consisting of a conductive layer 16, a Ni layer 18a and a Au layer 18b and a protective layer 29 are formed so as to cover the projecting insulating layer 13 to obtain the wiring integrated type suspension.例文帳に追加

ＳＵＳ基板１１上の絶縁層１２の所定位置に凸状の絶縁層１３を形成し、凸状の絶縁層１３を覆うように導体層１６、Ｎｉ層１８ａ及びＡｕ層１８ｂからなる配線層２１及び保護膜層２９を形成して配線一体型サスペンションを得る。 - 特許庁

The semiconductor element part 10 has an auxiliary capacitor 12, 13 formed on a substrate 11, a first insulating layer 15, a semiconductor layer 16, a gate insulating layer 17, a gate electrode 18, a second insulating layer 19, first light shielding layer 21a, 21b, third insulating layer 22, source electrode 24a and drain electrode 24b, fourth insulating layer 27, and pixel electrode 29.例文帳に追加

半導体素子部１０は、基板１１上に形成された補助容量１２、１４と、第１絶縁層１５と、半導体層１６と、ゲート絶縁層１７と、ゲート電極１８と、第２絶縁層１９と、第１遮光層２１ａ、２１ｂと、第３絶縁層２２と、ソース電極２４ａおよびドレイン電極２４ｂと、第４絶縁層２７と、画素電極２９とを備える。 - 特許庁

Preferably, the insulating layer is adjacent to a side surface of the SiGe layer, an upper surface of the semiconductor layer, a lower surface of the semiconductor layer, and a side surface of the semiconductor layer.例文帳に追加

絶縁層は、ＳｉＧｅ層の側面、並びに半導体層の上面、半導体層の下面及び導体層の側面に隣接していることが好ましい。 - 特許庁

A printed board 50 of a multilayered structure which has at least an upper-layer conducting layer 51 and a lower-layer conducting layer 52 interposing an interlayer insulating layer 53 is used.例文帳に追加

層間絶縁層（５３）を介在させた少なくとも上層導電層（５１）と下層導電層（５２）を有する多層構造のプリント基板（５０）を使用する。 - 特許庁

A negative electrode 3, an insulating layer 4, an electron injection layer 5, an electron transporting layer 6, a light emitting layer 7 and a hole infection transport layer 8 are formed on a substrate 2.例文帳に追加

基板２の上に陰極３、絶縁層４、電子注入層５、電子輸送層６、発光層７、正孔注入輸送層８を形成する。 - 特許庁

The free layer has vertical magnetic anisotropy, the fixed layer has horizontal magnetic anisotropy, and the isolating layer is formed as an insulating layer or a conductive layer.例文帳に追加

自由層は、垂直磁気異方性を持ち、固定層は、水平磁気異方性を持ち、分離層は、絶縁層または導電層であることを特徴とする。 - 特許庁

The connection pads have an ITO surface layer, Mo/Al/Mo under layer, and an undesirable MoO_3 insulating layer formed between an ITO layer and an Mo layer.例文帳に追加

接続パッドは、ＩＴＯ表面層と、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ下層と、ＩＴＯ層とＭｏ層との間に形成された、望ましくないＭｏＯ_3絶縁層とを有する。 - 特許庁

An SOI wafer 20 includes a silicon (Si) handle layer 28, an Si mechanism layer 24, and an insulating layer 26 located between the Si handle layer and the Si mechanism layer.例文帳に追加

ＳＯＩウェハ２０は、シリコン（Ｓｉ）ハンドル層２８、Ｓｉ機構層２４、およびＳｉハンドル層とＳｉ機構層との間に位置する絶縁層２６を含む。 - 特許庁

The insulating layer 12 becomes an anchor, and the conductor layer 6 is rigidly brought into close contact with the layer 15.例文帳に追加

絶縁層12がアンカーとなり、接地または電源用導体層６と接合層15とが強固に密着する。 - 特許庁

The second layer 8 is covered at its side far from the face layer with at least an insulating layer 11.例文帳に追加

この第２の層（８）の方は面層から遠い側において少なくとも絶縁層（１１）によって被覆されている。 - 特許庁

A conductive layer 23 is provided as a current path to be detected through the insulating layer 16 on the shield layer 17.例文帳に追加

シールド層１７の上に絶縁層１６を介して被検出電流通路としての導体層２３を設ける。 - 特許庁

An insulating layer 26 is formed so that at least part of the layer 26 is deposited on the first conductive layer 20.例文帳に追加

絶縁層２６を、少なくともその一部が第１の導電層２０上に配置されるように形成する。 - 特許庁

The coating member 9 has a double-layer structure, constituted of an inside conducting layer 9a and an outer insulating layer 9b.例文帳に追加

被覆材９は、内側の導電層９ａと、外側の絶縁層９ｂとの２層構造を成している。 - 特許庁

An FPC 1 has a metal foil layer 4 formed only on one side of an insulating layer 2 via an adhesive layer 3.例文帳に追加

ＦＰＣ１は、絶縁層２の片側のみに接着層３を介して金属箔層４が形成されている。 - 特許庁

A solid electrolyte layer 3 is formed in a region extending over the positive active material layer 1b and the insulating layer 4.例文帳に追加

正極活物質層１ｂと絶縁層４とに跨る領域に、固体電解質層３が形成されている。 - 特許庁

The warm feeling building material 1 comprises a base material layer 2 and a heat insulating layer 3 formed on the base material layer 2.例文帳に追加

温感建材１は、基材層２と、この基材層２上に形成された断熱層３とからなっている。 - 特許庁

A negative active material layer 2b is formed so as to extend over the solid electrolyte layer 3 and the insulating layer 4.例文帳に追加

固体電解質層３および絶縁層４に跨って、負極活物質層２ｂが形成されている。 - 特許庁

The second semiconductor layer is provided at a side opposite to the surface, where the first semiconductor layer abuts on the gate insulating layer.例文帳に追加

第２の半導体層は、第１の半導体層がゲート絶縁層と接する面とは反対側に設けられる。 - 特許庁

Two distributed electrodes 12a, 12b are provided on a main functional layer 11 of a silicon layer via an insulating layer 14.例文帳に追加

シリコン層の主機能層１１に絶縁層１４を介して２個の分配電極１２ａ，１２ｂが設けられる。 - 特許庁

Subsequently, after the first resist layer is removed, a first insulating layer 70 is formed on the first metal layer 40.例文帳に追加

次いで、第１レジスト層を除去した第１金属層４０上面に第１絶縁層７０を形成する。 - 特許庁

POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED LAYER, PROTECTING LAYER, INSULATING LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY THEREWITH例文帳に追加

ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置。 - 特許庁

In this device, the second gate insulating layer has a structure in which a part of a third layer made of a silicon oxide layer is removed.例文帳に追加

第２のゲート絶縁層は、酸化シリコン層からなる第３層の一部が除去された構造をとる。 - 特許庁