| 意味 | 例文 |
insulating-layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 15926件
After a gate insulating layer is formed on a silicon substrate, a metal gate substance layer including at least a metal layer is deposited on the silicon substrate on which the gate insulating layer is formed.例文帳に追加
シリコン基板上にゲート絶縁層を形成した後、前記ゲート絶縁層が形成されたシリコン基板上に少なくとも金属層を含む金属ゲート物質層を蒸着する。 - 特許庁
The charge trap memory device may further include a buffer layer provided between the charge trap layer and the blocking insulating layer, and a gate electrode provided on the blocking insulating layer.例文帳に追加
電荷トラップ型メモリ素子は、電荷トラップ層とブロッキング絶縁膜との間に提供されたバッファ層と、ブロッキング絶縁膜上に提供されたゲート電極とをさらに備えうる。 - 特許庁
A pattern for the check is constituted by alternately connecting neighboring through-holes 2 by an upper wiring layer 4 exposed on the insulating layer or a lower wiring layer 3 embedded in the insulating layer.例文帳に追加
隣接するスルーホール2は、絶縁層上に露出する上層配線4又は絶縁層中に埋設された下層配線3により、交互に接続されて、チェックパターンが構成されている。 - 特許庁
A combined metal layer 10A and a protective film 15A are arranged on one surface side of an insulating layer 1; and a combined metal layer 10B and a protective film 15B are arranged on the other surface side of the insulating layer 1.例文帳に追加
絶縁層1の一面側に複合金属層10Aおよび保護フィルム15Aを配置し、絶縁層1の他面側に複合金属層10Bおよび保護フィルム15Bを配置する。 - 特許庁
In a ferromagnetic tunnel junction element having a laminated structure constituted of ferromagnetic layer/insulating layer/ferromagnetic layer, surface roughness Ra in the insulating layer is set as 1,0 [nm] or less.例文帳に追加
強磁性層/絶縁層/強磁性層からなる積層構造をもつ強磁性トンネル接合素子に於いて、絶縁層に於ける表面粗さRaが1.0〔nm〕以下となるようにする。 - 特許庁
A cover insulating layer 4 is formed at the upper surface side of a base insulating layer 1 and the conductive layer 2 so that a plurality of terminals and the conductive layer 2 of a plurality of earth lands EL are exposed.例文帳に追加
続いて、複数の端子部および複数のアースランドELの導体層2が露出するようにベース絶縁層1および導体層2の上面側にカバー絶縁層4を形成した。 - 特許庁
A substrate for a probe card includes an insulating layer 1, a chemical resistance layer 2 buried in a surface part of the insulating layer 1, and a conductor pattern 3 formed on the chemical resistance layer 2.例文帳に追加
プローブカード用基板は、絶縁層1と、絶縁層1の表面部分に埋設された耐薬品性層2と、耐薬品性層2の上に形成されている導体パターン3とを含んでいる。 - 特許庁
The coil component has a conductor layer 2 and an insulating layer 3 on at least a partial surface of a supporter 1 and is made a conductor- insulated layer, wherein the insulating layer 3 insulates a conductor.例文帳に追加
支持体1の少なくとも一部の表面に導体層2および絶縁層3を有し、絶縁層3は導体を絶縁化してなる導体絶縁化層としたコイル部品である。 - 特許庁
A first insulating layer and a third insulating layer configuring each wiring layer 100 contain a silicon carbide/nitride film, silicon carbide and/or silicon oxide, the second insulating layer of a lower wiring layer contains the silicon oxide, and the second insulating layer of an upper wiring layer contains fluorinated silicon oxide and/or carbonated silicon oxide.例文帳に追加
各配線層100を構成する第1の絶縁層及び前記第3の絶縁層がシリコン炭化窒化膜、シリコン炭化物及び/又はシリコン酸化物を含み、下層配線層の第2の絶縁層はシリコン酸化物を含み、上層配線層の第2の絶縁層はフッ素添加シリコン酸化物及び/又は炭素添加シリコン酸化物を含む。 - 特許庁
The probe unit comprises a substrate having an insulating layer, a conductive seed layer formed on the insulating layer, and a wire that is directly formed on the seed layer and the insulating layer and where an end projects from the seed layer and is directly formed on the insulating layer and the surface of the end coming into contact with the electrode as the specimen curls.例文帳に追加
絶縁層を有する基板と、前記絶縁層上に形成された導電性のシード層と、前記シード層及び前記絶縁層上に直に形成され、端部が前記シード層からはみ出して前記絶縁層上に直に形成され、検体の電極に接触する前記端部の表面が丸まっている導線と、を備えることを特徴とするプローブユニット。 - 特許庁
The semiconductor wafer 100 includes a semiconductor bulk 10, a first embedded insulating layer 20 provided on the semiconductor bulk, a first semiconductor layer 30 provided on the first embedded insulating layer, a second embedded insulating layer 40 provided on the first semiconductor layer, and a second semiconductor layer 50 provided on the second embedded insulating layer.例文帳に追加
半導体ウェハ100は、半導体バルク10と、半導体バルク上に設けられた第1の埋込み絶縁層20と、第1の埋込み絶縁層上に設けられた第1の半導体層30と、第1の半導体層上に設けられた第2の埋込み絶縁層40と、第2の埋め込み絶縁層上に設けられた第2の半導体層50とを備えている。 - 特許庁
The electrostatic chuck comprises a base 1, a lower insulating layer 2 formed on the upper surface of the base 1 by flame spraying, an electrode layer 3 formed on the lower insulating layer 2, and an upper insulating layer 4 formed on the lower insulating layer 2 by flame spraying so that the electrode layer 3 is covered, where the opening ratio of the electrode layer 3 ranges from 5 to 80%.例文帳に追加
基台1と、この基台1の上面に溶射により形成された下部絶縁層2と、この下部絶縁層2の上に形成された電極層3と、この電極層3を被覆するように下部絶縁層2の上に溶射により形成された上部絶縁層4と、を具備する静電チャックであって、電極層3の開孔率を5〜80%とする。 - 特許庁
The structure of a top gate TFT is simplified, and the TFT is made into a three-layer structure consisting of a semiconductor layer, an insulating layer, and a conductive layer.例文帳に追加
トップゲート型TFTの構造を簡素にし、半導体層と、絶縁層と、導電層の3層構造でTFTを形成する。 - 特許庁
A hard mask layer is formed on an insulating layer and a pattern in a shape corresponding to the outline of a main magnetic pole layer is formed on the hard mask layer.例文帳に追加
絶縁層上にハードマスク層を形成し、ハードマスク層に主磁極層の外郭に対応した形状のパターンを形成する。 - 特許庁
In addition, the heat generating tubular body has at least a resistive heat generating body layer, an insulating layer, a mold release layer, and a conductive electrode layer.例文帳に追加
また、この発熱管状体は、少なくとも抵抗発熱体層、絶縁層、離型層および導電性電極層を有する。 - 特許庁
Then, first metallic layers 50 (Ti layer 51/Pt layer 52/Au layer 53) are formed inside the opening part 40a of the insulating body layer 40.例文帳に追加
次に、絶縁体層40の開口部40a内に第1金属層50(Ti層51/Pt層52/Au層53)を形成する。 - 特許庁
The barrier layer (110") is an insulating layer having the thinness enough to permit the tunnel of the charge particles between the pin layer and the free layer.例文帳に追加
バリア層(110’’)は、ピン層とフリー層との間の荷電粒子のトンネルを許容するに足りる薄さを有する絶縁層である。 - 特許庁
The backside sheet 5 is sequentially laminated a translucent insulating layer 7, a concavo-convex structure layer 8, a light reflective metal layer 9 and a weather-resistant layer 11.例文帳に追加
裏面シート5は、透光性絶縁層7、凹凸構造層8、光反射性金属層9、耐候層11を順に積層した。 - 特許庁
The inner layer printed wiring 12 also serves as a stopper against the laser beam entrance, and the inner layer insulating layer 11 remains under the inner layer printed wiring 12.例文帳に追加
内層プリント配線12もレーザ光侵入のストッパとなり、内層プリント配線12の下に内層絶縁層11が残る。 - 特許庁
The insulating layer covers the second metal layer and a part on the second metal layer side of the first metal layer on the first active region.例文帳に追加
絶縁層は、第2金属層と、第1アクティブ領域上の第1金属層の第2金属層側の一部分を覆っている。 - 特許庁
Further, a second insulating layer is provided between the second metal layer and the third metal layer, and the third metal layer is connected to the ground potential.例文帳に追加
さらに、第2の金属層と第3の金属層の間に第2の絶縁層を備え、第3の金属層を接地電位に接続する。 - 特許庁
An insulating layer comprising a polyimide composite whose elasticity is less than 10 GPa, a conductor pattern formed on a single or both surfaces of the insulating layer, and a conductive part penetrating the insulating layer, are provided.例文帳に追加
弾性率が10GPa未満のポリイミド系複合物からなる絶縁層と、該絶縁層の片面または両面に形成された導体パターンと、該絶縁層を貫通した導電部とを有する回路基板。 - 特許庁
The injection seed is selected to allow the insulating layer to grow on the bottom of the trench at a higher growth rate than that of the sidewall of the trench, thereby forming a thicker insulating layer on the bottom of the trench than an insulating layer formed on the sidewall of the trench.例文帳に追加
絶縁層がトレンチの側壁よりも速く該トレンチの底部上に成長するように、注入種が選択され、該トレンチの側壁よりも厚い絶縁層が該トレンチの底部にもたらされる。 - 特許庁
On the first insulating layer 2, a second insulating layer 3 is laminated, and a second wiring 16 made principally of Cu is buried in a second groove 13 formed in the second insulating layer 3.例文帳に追加
また、第1絶縁層2上には、第2絶縁層3が積層され、この第2絶縁層3に形成された第2溝13には、Cuを主成分とする第2配線16が埋設されている。 - 特許庁
The angle limiting filter 40 is formed by at least a first plug corresponding to a first insulating layer and a second plug corresponding to a second insulating layer which is above the first insulating layer.例文帳に追加
角度制限フィルター40は、少なくとも、第1の絶縁層に対応する第1のプラグと、第1の絶縁層よりも上層の第2の絶縁層に対応する第2のプラグにより形成される。 - 特許庁
At least a portion of the openings of each insulating layer so communicates in the laminating direction with at least a portion of the openings of the insulating layer adjacent to each insulating layer as to form a flow passage 27.例文帳に追加
その絶縁層の開口の少なくとも一部と、その絶縁層に隣接して積層されている絶縁層の開口の少なくとも一部が積層方向に連通して流路27を形成している。 - 特許庁
An insulating layer 3 is formed on a base wiring layer 2 on a substrate 1, and a non-electrolytic copper plated coating 4 is formed on the upper face of the insulating layer, and an insulating protecting coating 5 is formed on this coating 4.例文帳に追加
基板1上の下地配線層2の上に絶縁層3を形成し、この絶縁層の上面に無電解銅めっき皮膜4を形成した後、その上に絶縁性保護被覆5を形成する。 - 特許庁
Even if the sound insulating layer 1 itself is vibrated by the vibration of the sound absorbing layers 2, the waves of the air generated by the sound insulating layer 1 are absorbed by the sound absorbing layers 2 existing on the front surface side of the sound insulating layer 1.例文帳に追加
吸音層2の振動によって遮音層1自体が振動したとしても、遮音層1で発生した空気の波は遮音層1の表面側に存在する吸音層2で吸収される。 - 特許庁
To enhance reliability of the connection of wirings interposing an insulating layer between them using a conductive material in a printed wiring board of a structure, wherein the connection of the wirings interposing the insulating layer between them is made using conductive material filled in holes in the insulating layer.例文帳に追加
絶縁層を介する配線間の接続を、絶縁層に開けた穴に充填した導電材料で行なうプリント配線板において、導電材料による接続の信頼性を高める。 - 特許庁
A thin-film transistor is provided with a structure in which a semiconductor layer 13 and a gate insulating film 12 are stacked, the gate insulating film has a columnar constitution, and the columnar constitution is inclined for the layer thickness direction of the gate insulating layer.例文帳に追加
半導体層13とゲート絶縁層12とを積層した構造を備え、ゲート絶縁層は柱状組織を有し、柱状組織がゲート絶縁層の層厚方向に対して傾斜している。 - 特許庁
When printing the insulating layer 4, a screen for printing the insulating layer is set on the conductive layer 332, when printing the phosphor layer 51, a screen for printing the phosphor layer is set on the conductive layer 331 in order to perform alignment.例文帳に追加
絶縁層4を印刷するとき、絶縁層印刷用のスクリーンを導電層332に合せ、蛍光体層51を印刷するとき、蛍光体層印刷用のスクリーンを導電層331に合せて、位置合せを行う。 - 特許庁
An device mounting board 10 has an insulating resin layer 12, a wiring layer 14 provided on one main surface of the insulating resin layer 12, and a bump electrode 16 which is electrically connected to the wiring layer 14 and projects from the wiring layer 14 toward the insulating resin layer 12.例文帳に追加
素子搭載用基板10は、絶縁樹脂層12と、絶縁樹脂層12の一方の主表面に設けられた配線層14と、配線層14と電気的に接続され、配線層14から絶縁樹脂層12側に突出している突起電極16と、を備える。 - 特許庁
The substrate 10 for element mounting includes an insulating resin layer 12, the wiring layer 14 provided on one principal surface S1 of the insulating resin layer 12, and a projection electrode 16 electrically connected to the wiring layer 14 and protruding from the wiring layer 14 toward the insulating resin layer 12.例文帳に追加
素子搭載用基板10は、絶縁樹脂層12と、絶縁樹脂層12の一方の主表面S1に設けられた配線層14と、配線層14と電気的に接続され、配線層14から絶縁樹脂層12側に突出している突起電極16とを備える。 - 特許庁
The element mounting substrate 10 includes an insulating resin layer 12, a wiring layer 14 provided on one main surface S1 of the insulating resin layer 12, and a bump electrode 16 that is electrically connected with the wiring layer 14 to project to the insulating resin layer 12 side from the wiring layer 14.例文帳に追加
素子搭載用基板10は、絶縁樹脂層12と、絶縁樹脂層12の一方の主表面S1に設けられた配線層14と、配線層14と電気的に接続され、配線層14から絶縁樹脂層12側に突出している突起電極16とを備える。 - 特許庁
The device mounting board 10 includes an insulating resin layer 12, a wiring layer 14 provided on one main surface S1 of the insulating resin layer 12, and bump electrodes 16, electrically connected to the wiring layer 14, which are protruded from the wiring layer 14 toward the insulating resin layer 12.例文帳に追加
素子搭載用基板10は、絶縁樹脂層12と、絶縁樹脂層12の一方の主表面S1に設けられた配線層14と、配線層14と電気的に接続され、配線層14から絶縁樹脂層12側に突出している突起電極16とを備える。 - 特許庁
The semiconductor module 30 includes: an insulating resin layer 32; a wiring layer 34 provided on one main surface S1 of the insulating resin layer 32; and bump electrodes 36, electrically connected to the wiring layer 34, which are protruded on the side of the insulating resin layer 32 from the wiring layer 34.例文帳に追加
半導体モジュール30は、絶縁樹脂層32と、絶縁樹脂層32の一方の主表面S1に設けられた配線層34、配線層34と電気的に接続され、配線層34から絶縁樹脂層32側に突出している突起電極36とを備える。 - 特許庁
The device mounting board 20 includes: an insulating resin layer 32; a wiring layer 34 provided on one principal surface S1 of the insulating resin layer 32; and bump electrodes 36 electrically connected with the wiring layer 34 and protruding to the insulating resin layer 32 side from the wiring layer 34.例文帳に追加
素子搭載用基板20は、絶縁樹脂層32と、絶縁樹脂層32の一方の主表面S1に設けられた配線層34、その配線層34と電気的に接続され、配線層34から絶縁樹脂層32側に突出している突起電極36とを備える。 - 特許庁
An element mounting substrate 10 comprises: an insulating resin layer 12; a wiring layer 14 provided on one main surface of the insulating resin layer 12; and a projection electrode 16 which is electrically connected to the wiring layer 14 and projects from the wiring layer 14 toward the insulating resin layer 12 side.例文帳に追加
素子搭載用基板10は、絶縁樹脂層12と、絶縁樹脂層12の一方の主表面に設けられた配線層14と、配線層14と電気的に接続され、配線層14から絶縁樹脂層12側に突出している突起電極16と、を備える。 - 特許庁
This oil-impregnated solid power cable equipped with a conductor 1, an insulating layer 3 impregnated with an insulating oil, and a metallic sheath (lead shield layer 6), is further provided with a reinforcing layer 5 made of a material having a Young's modulus higher than that of the lead shield layer 6 between the insulating layer 3 and the lead shield layer 6.例文帳に追加
導体1、絶縁油が含浸された絶縁層3および金属シース(鉛遮蔽層6)を具える油浸ソリッド電力ケーブルにおいて、この絶縁層3と鉛遮蔽層6との間に、鉛遮蔽層6の材料よりも高ヤング率の材料からなる補強層5を具える。 - 特許庁
A device packaging board 10 includes: an insulating resin layer 12; a wiring layer 14 provided on one main surface S1 of the insulating resin layer 12; and a bump electrode 16 which is electrically connected to the wiring layer 14 and protrudes on a side of the insulating resin layer 12 from the wiring layer 14.例文帳に追加
素子搭載用基板10は、絶縁樹脂層12と、絶縁樹脂層12の一方の主表面S1に設けられた配線層14と、配線層14と電気的に接続され、配線層14から絶縁樹脂層12側に突出している突起電極16と、を備える。 - 特許庁
In the insulating spacer, the semiconductive material is integrally formed so as to cover one end of a cylindrical insulating material, and the internal semiconductive layer, the insulating layer and the external semiconductive layer are arranged so that the inside wall of the internal semiconductive layer contacts with the insulating material of the insulating spacer when the inside wall of the external semiconductive layer and the external surface of the semiconductive material of the insulating spacer contact with each other.例文帳に追加
絶縁スペーサは、筒状の絶縁材の一方の端部を覆うように半導電材が一体的に形成され、外部半導電層の内壁と絶縁スペーサの半導電材の外表面が接触するとき、内部半導電層の内壁が絶縁スペーサの絶縁材と接触するように、内部半導電層、絶縁層および外部半導電層が配置されている。 - 特許庁
The flexible printed circuit board includes a first insulating layer, a conductive layer having a signal line and a ground line, a second insulating layer laminated on the conductive layer and having an opening opened on the ground line, a ground layer laminated on the second insulating layer so as to cover the signal line and electrically connected to the ground line, and a third insulating layer covering the ground layer.例文帳に追加
フレキシブルプリント配線板は、第1の絶縁層と、信号ラインおよびグランドラインを有する導体層と、導体層に積層され、グランドラインの上に開口された開口部を有する第2の絶縁層と、信号ラインを覆うように第2の絶縁層に積層されるとともにグランドラインに電気的に接続されたグランド層と、グランド層を覆う第3の絶縁層と、を含む。 - 特許庁
This field effect transistor is provided with a substrate 6, an insulating layer 5 formed on the substrate 6, a lattice relaxation SiGe layer 4 formed like an island on the insulating layer 5, a distortion Si layer 3 formed on the lattice relaxation SiGe layer 4, a gate insulating layer 2 formed on the distortion Si layer 3, and a gate electrode 1 formed on the gate insulating layer 2.例文帳に追加
基板6と、基板6上に形成された絶縁層5と、絶縁層5上に、島状に形成された格子緩和SiGe層4と、格子緩和SiGe層4上に形成された歪Si層3と、歪Si層3上に形成されたゲート絶縁層2と、ゲート絶縁層2上に形成されたゲート電極1とを具備する電界効果トランジスタである。 - 特許庁
The multilayer wiring structure of semiconductor device includes a first insulating layer (2) formed on a semiconductor wafer (1), a Cu wiring layer (4) formed on the first insulating layer (2), a second insulating layer (6) formed on the Cu wiring layer (4), and a metal oxide layer (5) formed at the interface between the Cu wiring layer (4) and the second insulating layer (6).例文帳に追加
半導体装置の多層配線構造は、半導体ウェハ(1)上に形成した第1の絶縁層(2)と、前記第1の絶縁層上(2)に形成されるCu配線層(4)と、前記Cu配線層上(4)に形成される第2の絶縁層(6)と、前記Cu配線層(4)と前記第2の絶縁層(6)との界面に形成される金属酸化物層(5)と、を備える。 - 特許庁
The surface of the interlayer insulating film to be formed between the gate wiring and the data wiring is flattened by using a thick organic insulating layer as the interlayer insulating film.例文帳に追加
また、ゲート配線とデータ配線間に形成する層間絶縁膜を厚い有機絶縁層で形成して表面を平坦化する。 - 特許庁
Additionally, a resinous heat insulating material 21 and an atmosphere layer 22 are selectively disposed, on the inside of the heat insulating cover, between the insulating cover and the outside face of the cylinder container.例文帳に追加
また、断熱カバーの内側でシリンダ容器外側面との間に樹脂製断熱材21や空気層22を選択的に設ける。 - 特許庁
The thickness of each of the second insulating layers 1g to 1l is larger than the thickness of each of the first insulating layers adjacent to the second insulating layer.例文帳に追加
また、第2絶縁層1g〜1lの厚みが、第2絶縁層に隣接する第1絶縁層の厚みよりも厚くなしてある。 - 特許庁
To disperse stress inside an insulating layer formed between an electric field relaxing shield and a vacuum insulating container to suppress generation of insulating defects.例文帳に追加
電界緩和シールドと真空絶縁容器間に形成される絶縁層の応力分散を図り、絶縁欠陥の発生を抑制する。 - 特許庁
To improve adhesibility by forming an adhesion layer, between an inter-metal interlayer insulating film and a protection insulating film, and to prevent a protective insulating film from peeling off near the outer periphery of a semiconductor substrate.例文帳に追加
メタル層間絶縁膜と保護絶縁膜との間に接着層を形成することにより、密着性を向上させる。 - 特許庁
Preferably, all the inter-layer insulating films are made of inorganic insulating films and the inorganic insulating films are formed by a low temperature CVD method.例文帳に追加
好ましくは、層間絶縁膜の全てが無機絶縁膜で作製され、無機絶縁膜は低温CVD法で形成されている。 - 特許庁
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