「insulating-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

The surface part of the wiring layer of the substrate, not on the insulating-layer side, is arranged with a second reflective layer.例文帳に追加

更に、前記基板の配線層の前記絶縁層側ではない表面部に第２の反射層を配している - 特許庁

An insulating paper 4a is pulled out from one end 1a of an OF cable 1 installed underground and having the insulating layer 4 formed of the insulating paper 4a while the inside of the insulating layer 4 is made to be hollow, thereby removing the insulating layer 4.例文帳に追加

地下に配設され、絶縁紙４ａから構成される絶縁層４を有するＯＦケーブル１に対して、絶縁層４の内側を中空状態としてＯＦケーブル１の一端１ａから絶縁紙４ａを引き出すことにより、絶縁層４を除去する。 - 特許庁

A laminated film which includes a 1st insulating film formed of an organic film as a lower layer and a 2nd insulating film made of a hard mask material as an upper layer is used as an insulating film which covers the inter-layer insulating film between a capacitor layer formed of a dielectric film or ferroelectric film and a wiring layer formed thereupon or the wiring layer.例文帳に追加

誘電体膜または強誘電体膜からなるキャパシタ層の上部に形成される配線層との間の層間絶縁膜あるいは配線層を覆う絶縁膜として、有機膜で形成された第一の絶縁膜を下層に、ハードマスク材からなる第二の絶縁膜を上層に配置した積層膜を用いる。 - 特許庁

This electric wire for the wire harness has a conductor 10, an insulating layer 30 formed outward of the conductor 10, and the outer semiconductor layer 40 formed on the insulating layer 30, and has no inner semiconductor layer between the conductor 10 and the insulating layer 30.例文帳に追加

導体１０と、導体１０の外方に形成される絶縁層３０と、絶縁層３０上に形成される外部半導電層４０とを有し、導体１０と絶縁層３０との間に内部半導電層を有しないワイヤハーネス用電線である。 - 特許庁

The interlayer insulating layer 20 is provided with a stress relieving insulating layer 22 arranged with a prescribed pattern on the base substance 10, and flattening layer 26 which covers the wiring layer 12 and the insulating layer 22 and is formed of fluidic insulator.例文帳に追加

層間絶縁層２０は、基体１０上に所定のパターンで配置される応力緩和絶縁層２２と、配線層１２および応力緩和絶縁層２２を覆い、かつ、流動性絶縁体から形成される平坦化絶縁層２６と、を有する。 - 特許庁

When the retaining capacitor of a liquid crystal device is constituted, a thick lower-layer-side gate insulating layer 4a of a gate insulating layer 4 is formed and then the lower-layer-side gate insulating layer 4a at a part overlapping the lower electrode 3c is removed by dry etching.例文帳に追加

液晶装置の保持容量を構成するにあたって、ゲート絶縁層４の厚い下層側ゲート絶縁層４ａを形成した後、ドライエッチングにより下電極３ｃと重なる部分の下層側ゲート絶縁層４ａを除去する。 - 特許庁

An insulating layer 23, an inter-layer insulating layer 24 and an outer layer insulating layer 25 are laminated on the upper surface of a resin-made core plate 22 through which vias 21 are formed and the wiring board is provided also with inner wiring patterns 26, vias 27, surface wiring patterns 28, and pads 29.例文帳に追加

ビア２１が形成されている樹脂製のコア板２２の上面に、絶縁層２３、層間絶縁層２４、外層絶縁層２５が積層してあり、且つ、内部配線パターン２６、ビア２７、表面配線パターン２８、パッド２９を有する。 - 特許庁

Next, a first upper layer insulating film 37, a first upper layer rewiring 39, a second upper layer insulating film 41, a second upper layer rewiring 43 and a third upper layer insulating film 44 are formed in the form of lamination and subsequently solder balls 46 are formed.例文帳に追加

次に、第１の上層絶縁膜３７、第１の上層再配線３９、第２の上層絶縁膜４１、第２の上層再配線４３、第３の上層絶縁膜４４を順次、積層状に形成し、次いで半田ボール４６を形成する。 - 特許庁

A heat insulation structure includes a heat insulating material 10 arranged as a first layer A inside a casing 9, a heat insulating material 20 arranged as a second layer B inside the first layer, and a heat insulating material 30 arranged as a third layer C inside the second layer.例文帳に追加

断熱構造は、ケーシング９の内側の第１層Ａに配置された断熱材１０と、第１層の内側の第２層Ｂに配置された断熱材２０と、第２層の内側の第３層Ｃに配置された断熱材３０とを具備している。 - 特許庁

In an electroluminescent element formed by stacking, on an insulating substrate, a first electrode, a first insulating layer, a luminescent layer, and a second insulating layer and a second electrode in that order, at least one of the insulating layers is formed by the method.例文帳に追加

絶縁性基板上に第１電極、第１絶縁層、発光層、第２絶縁層および第２電極を順に積層形成してなるエレクトロルミネセンス素子において、少なくとも一方の絶縁層をこの方法により成膜する。 - 特許庁

The heat insulating cover 10 for the injection or extrusion device is equipped with a heat insulating layer 12 filled with a flexible heat insulating material and an outer skin layer 13 which covers the outside of the heat insulating layer 12 and comprises a sheet having heat resistance.例文帳に追加

本発明の射出または押出装置用断熱カバー１０は、可撓性を有する断熱材が充填された断熱層１２と、その外側を覆い耐熱性を有するシートからなる外皮層１３とを備えている。 - 特許庁

An inner insulating layer 3 and an outer insulating layer 4 are formed in the circumference of a conductor 2; and the thickness (s) [mm] of the insulating layer 4 with respect to the total coating thickness (t)[mm] of the insulating layers is made to satisfy a relationship of 0.02≤s≤2t/3.例文帳に追加

導体２の外周に、内側絶縁層３と、外側絶縁層４とを設け、絶縁層の合計の被覆厚さｔ[ｍｍ]に対し、外側絶縁層４の厚さｓ[ｍｍ]を０．０２≦ｓ≦２ｔ／３の関係を満たすようにする。 - 特許庁

The second semiconductor layer 103B is sandwiched between the insulating layer 104 which belongs to the insulating layers 104, 107 of N layers but does not belong to the second gate insulating film, and the second gate insulating film.例文帳に追加

第２半導体層１０３Ｂは、Ｎ層の絶縁層１０４、１０７のうちで第２ゲート絶縁膜に含まれていない絶縁層１０４と第２ゲート絶縁膜とによって挟まれている。 - 特許庁

An insulating layer 1 is prepared in which insulating layers 1a, 1c (hereinafter called thin-film insulating layers) composed of thermoplastic polyimides are formed on both surfaces of a base insulating layer 1b composed of a thermosetting polyimide film.例文帳に追加

熱硬化性ポリイミドフィルムからなるベース絶縁層１ｂの両面に熱可塑性ポリイミドからなる絶縁層（以下、薄膜絶縁層と呼ぶ）１ａ，１ｃがそれぞれ形成された絶縁層１を用意する。 - 特許庁

When the insulating board 11 is molded, the second wiring layer 15 is formed integrally with the insulating board 11, so as to be isolated from the outside with an insulating layer 18 provided by the insulating board 11.例文帳に追加

そして、絶縁基板１１の成形時に、第２配線層１５が絶縁基板１１によって形成される絶縁層１８によって外部から覆われるように一体化した状態で成形する。 - 特許庁

The multilayer substrate is laminated so that the area of profile of one insulating layer 10 among a plurality of insulating layers becomes wider than those of other insulating layers 40, 42 different from the insulating layer 10.例文帳に追加

複数の絶縁層のうちの一の絶縁層１０の外形がなす面積が、一の絶縁層とは異なる他の絶縁層４０，４２の外形がなす面積よりも広くなるようにして積層する。 - 特許庁

A wiring layer groove 3 and/or a via hole 4 are formed on an insulating layer 2, then a seed layer 6 is formed on the insulating layer 2, a plating layer 7 is formed on the seed layer 6, and then a part of the plating layer 7 is removed through chemical etching.例文帳に追加

絶縁層２に配線層用溝３及びビアホール４の少なくとも一方を形成したのちシード層６を形成し、次いで、シード層６上にメッキ層７を形成したのちメッキ層７の一部を化学的エッチングにより除去する。 - 特許庁

The thickness of a portion of the cover insulating layer 13 above a region R1 of the base insulating layer 11 in which the lead wire S for plating is formed is set smaller than the thickness of a portion of the cover insulating layer 13 above other regions of the base insulating layer 11.例文帳に追加

めっき用リード線Ｓが形成されるベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みは、ベース絶縁層１１の他の領域上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みよりも小さく設定される。 - 特許庁

Since the dielectric breakdown proofness of the lower insulating layer 30 and the upper insulating layer 33 increases, by making thin the thickness of the lower insulating layer 30 or the upper insulating layer 33, it becomes possible to narrow a shielding space K2, without causing dielectric breakdown.例文帳に追加

下部絶縁層３０および上部絶縁層３３の耐絶縁破壊性が向上するため、絶縁破壊を生じさせることなく下部絶縁層３０や上部絶縁層３３の厚みを薄くすることにより、シールド間隔Ｋ２を狭小化することが可能となる。 - 特許庁

The circuit parts module is provided with an electrical insulating layer 101, a plurality of wiring patterns supported by the insulating layer 101, the circuit parts 103 mounted on the patterns 102 and embedded in the insulating layer 101, and the cooling mechanism 104 arranged in the insulating layer 101.例文帳に追加

電気絶縁層１０１と、電気絶縁層に支持された複数の配線パターン１０２と、配線パターン上に実装され電気絶縁層に埋設された回路部品１０３と、電気絶縁層の内部に配置された冷却機構１０４とを備えた構成とする。 - 特許庁

The laminate 4 is formed by laminating a first insulating layer 5, the primary coil 9, an inter-coil insulating layer 10, the secondary coil 14 and second insulating film 15 and the like.例文帳に追加

また、積層体４は、第１の絶縁層５、１次コイル９、コイル間絶縁層１０、２次コイル１４、第２の絶縁層１５等を積み重ねることによって形成する。 - 特許庁

A first insulating layer 31 and a second insulating layer 32 are laminated in order on a glass substrate 21, and a main through hole 34 which penetrates vertically respective insulating layers 31, 32 is formed.例文帳に追加

ガラス基板２１の上に第１絶縁層３１及び第２絶縁層３２を順に積層し、各絶縁層３１，３２を上下に貫通する主スルーホール３４を形成する。 - 特許庁

To reduce stress to be applied to wiring layers and inter-layer insulating films in a manufacturing process of a semiconductor device using low dielectric insulating films as the inter-layer insulating films.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜を層間絶縁膜として用いた半導体装置の製造工程において、配線層および層間絶縁膜に作用する応力を低減する。 - 特許庁

An insulating layer 50 formed by an insulating member is arranged on the second body ground conductor 52, and the first body ground conductor 48 is disposed on the insulating layer 50.例文帳に追加

第２ボデー接地導体５２上には、絶縁性部材によって形成された絶縁層５０が配置され、第１ボデー接地導体４８は絶縁層５０上に配置される。 - 特許庁

The gate insulating layer 3 is constituted of the amorphous fluorine plastic, thereby the enlargement of thickness is easy as compared with a case wherein the gate insulating layer is constituted of a metal oxide insulating body.例文帳に追加

ゲート絶縁層３がアモルファスフッ素樹脂よりなるため、ゲート絶縁層が金属酸化物絶縁体よりなる場合と比べて、厚さを大きくすることが容易である。 - 特許庁

The base board comprises a laminate of a first heat insulating material layer 12 and second heat insulating material layers 14, 16 having a lower rigidity than the first heat insulating material layer.例文帳に追加

前記基板を、第1の断熱材層１２と、この第1の断熱材層よりも剛性の低い第２の断熱材層１４，１６とを積層することにより構成する。 - 特許庁

To provide a venting heat insulating roof composite panel capable of providing the roof panel with air permeability without increasing the thickness of the panel and protecting a heat insulating layer with a thermal insulation reflection layer to improve the heat insulating function of the panel.例文帳に追加

屋根パネルに、パネル厚増大を生ずることなく通気性を付与し、断熱層を遮熱反射層で保護して、パネルの断熱機能向上を達成する。 - 特許庁

The first insulating layer 151 and the second insulating layer 152 are plate-shaped, and the first gate insulating film 131 contains a first element for adjusting a work function.例文帳に追加

第１絶縁層１５１及び第２絶縁層１５２は平板状であり、第１ゲート絶縁膜１３１は、仕事関数調整用の第１元素を含んでいる。 - 特許庁

Silicone resin is applied so that the resin covers the first insulating layer 8 and extends to the insulating coating 401 of the conductor segments 4, forming a second insulating layer 9.例文帳に追加

また、シリコーン樹脂が第１絶縁層８を覆って導体セグメント４の絶縁被膜４０１に至るように塗布されて第２絶縁層９を形成している。 - 特許庁

The flat cable 10 is equipped with an upper insulating layer 20 with projecting ribs 25, a lower insulating layer 30, and conductors 40 sandwiched between the both insulating layers.例文帳に追加

本発明のフラットケーブル１０は、突出するリブ２５を有する上側絶縁層２０と、下側絶縁層３０と、両絶縁層間に挟まれた導体４０とを備えている。 - 特許庁

An insulating layer portion 11 is folded like bellows, and a first electrode layer portion 21 or a second electrode layer portion 22 is provided on each of surface ends of a base 12 formed by the insulating layer portion 11.例文帳に追加

絶縁層部１１は蛇腹状に折り畳まれ、絶縁層部１１が形成する基部１２の各端面に第一電極層部２１または第二電極層部２２が設けられている。 - 特許庁

FILM DEPOSITION METHOD FOR INSULATING FILM LAYER BY PLASMA GENERATOR, FILM DEPOSITION METHOD FOR CONDUCTIVE FILM LAYER BY PLASMA GENERATOR, INSULATING FILM LAYER, CONDUCTIVE FILM LAYER, AND PLASMA GENERATOR例文帳に追加

プラズマ発生装置による絶縁性膜層の成膜方法、プラズマ発生装置による導電性膜層の成膜方法、絶縁性膜層、導電性膜層およびプラズマ発生装置 - 特許庁

The multi-core cable is provided with conductors 10 with a plurality of cores, an insulating layer 20 coating the conductors 10 in bundle, a shielding layer 30 provided outside the insulating layer 20, and a sheath 40 provided outside the shielding layer 30.例文帳に追加

複数心の導体10と、これら導体10を一括被覆する絶縁層20と、絶縁層20の外側に設けられたシールド層30と、シールド層30の外側に設けられたシース40とを有する。 - 特許庁

The thin-film transistor 1 is constituted of an insulating substrate 2, a gate electrode 3, a gate insulating film 4, a semiconductor layer 5 of a lower layer, a source electrode 6, a drain electrode 7 and an upper layer semiconductor layer 8.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１は、絶縁基板２、ゲート電極３、ゲート絶縁膜４、下層の半導体層５、ソース電極６、ドレイン電極７、上層の半導体層８からなっている。 - 特許庁

The second wiring layer 40 may be formed after the surface of the insulating layer 30 is roughened, or the second wiring layer 40 may be formed without roughening the surface of the insulating layer 30.例文帳に追加

絶縁層３０の表面を粗化した後に第２配線層４０を形成してもよいし、絶縁層３０の表面を粗化せずに第２配線層４０を形成してもよい。 - 特許庁

An inductor layer 2 provided with an inductor 7, an organic insulating material layer 3, a capacitor layer 4 provided with capacitor 6, and a low dielectric layer 5 are laminated in this order on an insulating substrate 1.例文帳に追加

絶縁基板１上に、インダクタ７が設けられたインダクタ層２，有機絶縁物層３，コンデンサ６が設けられたコンデンサ層４および低誘電体層５が順に積層されている。 - 特許庁

An opening 11 is formed so as to reach the insulating layer 4 from the back plate 6 formed on the organic layer 5 and the insulating layer 4 and installed in the vicinity of the organic layer 5.例文帳に追加

開口部１１は、有機層５及び絶縁層４上に形成される背面電極６から絶縁層４に達するように形成されるとともに、有機層５の近傍に設けられる。 - 特許庁

In this case, an interface between layers denotes an interface between an insulating layer and an adhesive layer, the insulating layer is formed of polyimide resin, and the protective member is formed of metal which forms a conductor wiring layer.例文帳に追加

なお、層の界面が、絶縁層と接着層の界面であること、絶縁層が、ポリイミド樹脂であること、保護部材が、導体配線層である金属からなることも含まれる。 - 特許庁

The first lamination part 110 includes a block insulating layer 113, a charge storage layer 114, and an n-type semiconductor layer 116 formed in contact with a sidewall of a tunnel insulating layer 115.例文帳に追加

第１積層部１１０は、ブロック絶縁層１１３、電荷蓄積層１１４、及びトンネル絶縁層１１５の側壁の側壁に接して設けられたｎ−型半導体層１１６を備える。 - 特許庁

Moreover on those layers, a first insulating layer 71, a first metal layer 72, a second insulating layer 73, and a second metal layer 74 are formed in each predetermined area in order.例文帳に追加

これらの上に更に各々所定領域において第１絶縁層７１，第１金属層７２，第２絶縁層７３および第２金属層７４が順に形成されている。 - 特許庁

A 1st insulating layer, a light absorbing layer using W, and a 2nd insulating layer are provided on a semiconductor layer, and irradiation is performed by a lamp with the peak wavelength in the vicinity of 1 μm.例文帳に追加

半導体層上に第一絶縁層、Ｗをもちいた光吸収層、第二絶縁層を設け、波長１μｍ付近にピーク波長を有するランプ照射をおこなう。 - 特許庁

Level differences corresponding to an insulating layer 30 and the wiring layer 31 are formed in a fourth insulating layer 33 covering the third wiring layer 31 and a passivation film 35.例文帳に追加

３層目の配線層３１上を被覆する第４の絶縁層３３及びパッシベーション膜３５にも、第３の絶縁層３０及び配線層３１に対応する段差が形成される。 - 特許庁

A first insulating layer 41, a first metal layer 42, a second insulating layer 43, and a second metal layer 44 are further formed respectively in turn on in each prescribed region further on these layers.例文帳に追加

これらの上に更に各々所定領域において第１絶縁層４１，第１金属層４２，第２絶縁層４３および第２金属層４４が順に形成されている。 - 特許庁

The semiconductor package 1 is constituted by stacking a first conductive layer 12, a first insulating layer 14, a second conductive layer 15, and a second insulating layer 16 in order on a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

本発明の半導体パッケージ１は、半導体基板１１に第一導電層１２、第一絶縁層１４、第二導電層１５、第二絶縁層１６を順に重ねてなる。 - 特許庁

In the stage where the formation of the electric insulating layer 2 and interposed layer 3 against all connecting portions 93, the thermosetting process is performed to the electric insulating layer 2 and intermediating layer 3.例文帳に追加

全ての接続部９３に対する電気絶縁層２，介在層３の形成が完了した段階で、電気絶縁層２，介在層３に対する加熱硬化処理が行われる。 - 特許庁