「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a piezoelectric element and the like whose adhesion with a protective film and piezoelectric layer is improved.例文帳に追加

保護膜と圧電体層との密着性が向上した圧電素子等を提供すること。 - 特許庁

To provide a group-III nitride semiconductor optical element capable of reducing strain of an active layer.例文帳に追加

活性層の歪みを低減可能なIII族窒化物半導体光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a sliding layer not containing lead or a bearing element corresponding thereto.例文帳に追加

鉛を含有しない滑り層もしくはこれに対応する軸受要素を提供する。 - 特許庁

RADIATION SENSITIVE COMPOSITION FOR FORMING COLORED LAYER, COLOR FILTER AND COLOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

着色層形成用感放射線性組成物、カラーフィルタおよびカラー液晶表示素子 - 特許庁

The resistance heating element layer 82 is formed of a molybdenum silicide, a tungsten silicide or the like.例文帳に追加

抵抗発熱体層８２は、例えば、モリブデン珪化物、タングステン珪化物等で形成される。 - 特許庁

The semiconductor optical element 1 includes an optical waveguide portion 16 composed of a crystal layer.例文帳に追加

半導体光素子１は、結晶層により構成される光導波路部１６を含む。 - 特許庁

The spacing of the photoelectric conversion element 3 and the first shading layer 5 is made into a multiple of b/a.例文帳に追加

光電変換素子３と第１の遮光層５との間隔をｂ／ａ倍とする。 - 特許庁

A capacitor element having an anode lead-out line 3 and a cathode lead-out layer 6 is formed.例文帳に追加

陽極導出線３と陰極引出層６と有するコンデンサ素子を形成する。 - 特許庁

An STI 108 is formed on the element isolated region on the layer 101.例文帳に追加

また、ＢＯＸ層１０１上の素子分離領域には、ＳＴＩ１０８が形成されている。 - 特許庁

LAMINATE INCLUDING PARTICLE DISPERSION LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND OPTICAL MODULATION ELEMENT例文帳に追加

粒子分散層を含む積層体およびその製造方法、並びに光変調素子 - 特許庁

The oxide layer 12 can be formed by naturally or artificially oxidizing the element constituting the semiconductor.例文帳に追加

ここで、酸化物層12は自然酸化、人工酸化のどちらで形成されたものでも良い。 - 特許庁

A halogen element, for example, fluorine or chlorine is introduced into the p-type contact layer 45.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層４５には、ハロゲン元素、例えばフッ素又は塩素が導入されている。 - 特許庁

To provide a piezoelectric element having a piezoelectric layer having both of reliability and piezoelectric characteristics.例文帳に追加

信頼性および圧電特性を兼ね備えた圧電体層を有する圧電素子を提供する。 - 特許庁

The solar cell element has the silicon semiconductor substrate 1 and an aluminum electrode layer 8.例文帳に追加

太陽電池素子はシリコン半導体基板１とアルミニウム電極層８とを備える。 - 特許庁

The magnetresistance effect element 1 includes a first magnetization fixed layer 2 having a fixed magnetization direction.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１は、磁化の方向が固定された第１磁化固定層２を含む。 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, AND MANUFACTURING METHOD FOR NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法 - 特許庁

A variable resistance element X of this invention includes electrodes 1 and 2 and an oxide layer 3.例文帳に追加

本発明の抵抗変化型素子Ｘは電極１，２および酸化物層３を有する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, SUBSTRATE FOR NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER GROWTH AND NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

半導体発光素子、窒化物半導体層成長用基板及び窒化物半導体ウェーハ - 特許庁

To level the ruggedness of this element wiring area, a planarization layer 5 is deposited.例文帳に追加

この素子配線エリア表面の凹凸を埋める為平坦化層５が成膜されている。 - 特許庁

A gallium-nitride semiconductor region 3 for HEMT element is formed on the buffer layer 2.例文帳に追加

バッファ層２の上にＨＥＭＴ素子用の窒化ガリウム系半導体領域３を形成する。 - 特許庁

CMOS INTEGRATED CIRCUIT ELEMENT WITH BURIED SILICON GERMANIUM LAYER, SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

埋め込みシリコンゲルマニウム層をもつＣＭＯＳ集積回路素子及び基板とその製造方法 - 特許庁

To provide a variable resistance memory element having a buffer layer formed on a lower electrode.例文帳に追加

下部電極上に形成されたバッファ層を備える可変抵抗メモリ素子を提供する。 - 特許庁

A photospacer is formed on the overcoat layer at a position corresponding to the TFD element.例文帳に追加

フォトスペーサは、ＴＦＤ素子に対応する位置に且つオーバーコート層上に形成されている。 - 特許庁

The first optical wavelength conversion layer 24 is disposed on the emission surface of the light emitting element.例文帳に追加

第１の光波長変換層２４は、発光素子の出射面上に設けられている。 - 特許庁

P-TYPE SEMICONDUCTOR DISPERSING ELEMENT, P-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER, PN JUNCTION, AND ENERGY CONVERTER例文帳に追加

Ｐ型半導体分散体、Ｐ型半導体層、ＰＮ接合体及びエネルギー変換体 - 特許庁

AL BASE MATERIAL, METAL SUBSTRATE WITH INSULATING LAYER USING THE SAME, SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND SOLAR CELL例文帳に追加

Ａｌ基材、それを用いた絶縁層付金属基板、半導体素子および太陽電池 - 特許庁

To provide a III nitride compound semiconductor element having an underlying layer of novel arrangement.例文帳に追加

新規な構成の下地層を有するIII族窒化物系化合物半導体素子を提供する。 - 特許庁

A magnetoresistive effect element 2 includes a magnetoresistive effect layer deposited between electrodes 21 and 28.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子２は、電極２１，２８間に積層された磁気抵抗効果層を持つ。 - 特許庁

Finally, a semiconductor light emitting element 560 is grown on the second semiconductor layer 550a.例文帳に追加

最後に、第２の半導体層５５０ａ上に半導体発光素子５６０を成長させる。 - 特許庁

LIQUID PHASE GROWTH METHOD, SILICON LAYER FORMED BY THE SAME, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

液相成長法、液相成長法によって形成されるシリコン層及び半導体素子 - 特許庁

METHOD FOR FORMING DIELECTRIC LAYER IN CAPACITOR ELEMENT FOR SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR AND APPARATUS THEREOF例文帳に追加

固体電解コンデンサ用コンデンサ素子における誘電体層の形成方法及びその装置 - 特許庁

On the metal film 7, a diode element 13 including an n-type wide gap semiconductor layer is provided.例文帳に追加

金属膜７上に、ｎ型ワイドギャップ半導体層を含むダイオード素子１３を備える。 - 特許庁

A multilayer sealing structure having a liquid layer is installed on an outer peripheral part of the organic EL element.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の外周部に液体層を有する多層封止構造を設ける。 - 特許庁

The semiconductor light receiving element PD1 is provided with a layer structure LS and a glass substrate 1.例文帳に追加

半導体受光素子ＰＤ１は、層構造体ＬＳと、ガラス基板１とを備える。 - 特許庁

A thin film layer is formed between each electrode member (13, 14) and thermoelectric conversion element body.例文帳に追加

電極部材(13、14)と熱電変換素子本体の間には薄膜層が形成される。 - 特許庁

ELEMENT FOR ULTRA HIGH FREQUENCY USING POROUS SILICON OXIDE LAYER, AND ITS FORMATION METHOD例文帳に追加

多孔性酸化シリコン層を用いて形成した超高周波用素子及びその形成方法 - 特許庁

METHOD FOR VAPOR PHASE GROWING BORON PHOSPHIDE LAYER, BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

リン化硼素層の気相成長方法、リン化硼素系半導体素子およびＬＥＤ - 特許庁

To obtain a new oxazole compound suitable as an organic layer for an organic light emitting element.例文帳に追加

有機発光素子の有機層として好適な新規なオキサゾール化合物を提供する。 - 特許庁

The resistance element 3 includes a third polysilicon layer 13c above the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

抵抗素子３は、半導体基板１０の上方の第３ポリシリコン層１３ｃを備える。 - 特許庁

Each converter element (12) comprises a piezoelectric layer (22) and one or more sound matching layers (24, 26).例文帳に追加

各変換器素子（１２）は、圧電層（２２）と一つ以上の音響整合層（２４，２６）を含む。 - 特許庁

BISMUTH LAYER-LIKE PEROVSKITE STRUCTURE FERROELECTRIC THIN FILM ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ビスマス層状ペロブスカイト構造強誘電体薄膜素子および該薄膜素子の製造方法 - 特許庁

A thin film layer 22 including an ink jetting element 24 is formed on the upper face of a silicon substrate 20.例文帳に追加

インク射出要素(24)を含む薄膜層(22)が、シリコン基板(20)の上面に形成される。 - 特許庁

BORON PHOSPHIDE BASE SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND BORON PHOSPHIDE BASE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

リン化硼素系半導体層、その製造方法、及びリン化硼素系半導体素子 - 特許庁

The counter substrate includes a common electrode layer facing the active element array substrate.例文帳に追加

対向基板は、能動素子アレイ基板に対向する共通電極層を有している。 - 特許庁

The magnet member 2 comprises: a magnet element body 4, and a first coating layer 6.例文帳に追加

本願発明に係る磁石部材２は、磁石素体４と、第１被覆層６と、を有する。 - 特許庁