「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

In a P-channel MOS transistor 50 having an SOI structure, an element formation region 20 the surrounding of which is isolated by an element isolation region is provided with a gate electrode 7, a P^+ drain layer 8, a P^+ source layer 9, a P^+ source layer 11, and an N^+ layer 10.例文帳に追加

ＳＯＩ構造Ｐｃｈ ＭＯＳトランジスタ５０は、周囲を素子分離領域で分離された素子形成領域２０に、ゲート電極７、Ｐ^＋ドレイン層８、Ｐ^＋ソース層９、Ｐ^＋ソース層１１、及びＮ^＋層１０が設けられる。 - 特許庁

To provide an organic EL element capable of emitting light for a long period with a prescribed luminance and capable of extending its lifetime in an organic EL element in which an organic layer having at least a hole transporting layer, a luminous layer, and an electron transporting layer is clipped by a pair of electrodes.例文帳に追加

少なくとも正孔輸送層，発光層及び電子輸送層を有する有機層を一対の電極で挟持した有機ＥＬ素子において、所定の輝度で長時間発光する長寿命化が可能な有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

In the light-emitting element 100, a first main surface of a compound semiconductor layer 50 having the emission layer 24 is set to be a light extraction surface, and the element substrate 7 is connected to the second main surface side of the compound semiconductor layer 50 via the metal layer 10.例文帳に追加

発光素子１００は、発光層部２４を有した化合物半導体層５０の第一主表面を光取出面とし、該化合物半導体層５０の第二主表面側に金属層１０を介して素子基板７が結合される。 - 特許庁

The lithium ion battery includes a positive electrode element containing a positive electrode layer formed on a current collector, a negative electrode element 13 containing a negative electrode layer 13b formed on a current collector, and a separator arranged between the positive electrode layer and the negative electrode layer and containing an electrolyte.例文帳に追加

集電板上に形成された正極層を含む正極素子と、集電板上に形成された負極層１３ｂを含む負極素子１３と、正極層及び負極層の間に配置され、電解液を含むセパレータと、を有する。 - 特許庁

Described herein is: the method for manufacturing the nitride semiconductor layer by stacking, on a silicon nitride layer, a first nitride semiconductor layer having a surface inclined with respect to the surface of the silicon nitride layer and then stacking a second nitride semiconductor layer on the first nitride semiconductor layer; the nitride semiconductor element and nitride semiconductor light-emitting element each including the nitride semiconductor layer; and the method for manufacturing the nitride semiconductor element.例文帳に追加

窒化珪素層上に窒化珪素層の表面に対して傾いた表面を有する第１の窒化物半導体層を積層した後に、第１の窒化物半導体層上に第２の窒化物半導体層を積層する窒化物半導体層の製造方法、その窒化物半導体層を含む窒化物半導体素子および窒化物半導体発光素子ならびにその窒化物半導体素子の製造方法である。 - 特許庁

The optical semiconductor element 1 includes: an insulating layer 4 that covers the side faces of the waveguide core layer 3a and the upper face of the slab layer 3b; and a second semiconductor layer 5 provided in the sides of the waveguide core layer 3a and the upper surface of the slab layer 3b via the insulating layer 4.例文帳に追加

光半導体素子１は、その導波路コア層３ａの側面、及びスラブ層３ｂの上面を被覆する絶縁層４を備え、更に、導波路コア層３ａの側方で、スラブ層３ｂの上方に、絶縁層４を介して設けられた第２半導体層５を備える。 - 特許庁

The magnetic memory includes an inter-layer insulating layer 26 provided on a substrate 20, a conductive base layer 11 provided on the inter-layer insulating layer 26, and a magneto-resistance element provided on the base layer 11 and including two magnetic layers 12 and 13 and a nonmagnetic layer 13 sandwiched therebetween.例文帳に追加

磁気メモリは、基板２０上に設けられた層間絶縁層２６と、層間絶縁層２６上に設けられた導電性の下地層１１と、下地層１１上に設けられ、かつ２つの磁性層１２、１３と、これらに挟まれた非磁性層１３とを有する磁気抵抗素子とを含む。 - 特許庁

The light receiving element has a PIN structure having a p^+-layer 2, a p-type epitaxial growth layer 3 formed on the p^+-layer, an n-type epitaxial growth layer 4 formed on the p-type epitaxial growth layer 3, and an n^+-diffusion layer 5 formed on the n-type epitaxial growth layer 4.例文帳に追加

受光素子は、Ｐ^＋層２と、Ｐ^＋層上に形成されるＰ型エピタキシャル成長層３と、Ｐ型エピタキシャル成長層３上に形成されたＮ型エピタキシャル成長層４と、Ｎ型エピタキシャル成長層４上に形成されるＮ^＋拡散層５から構成されるＰＩＮ構造を有する。 - 特許庁

In the GaN-based semiconductor laser element, an active layer is formed as a quantum well structure including a GaInN barrier layer 36 and a GaInN well layer 38, and a planar crystal defect prevention layer 40 made of an AlGaN layer is provided on an upper surface or a lower surface, or between both the surfaces of the barrier layer and the well layer.例文帳に追加

活性層は、ＧａＩｎＮ障壁層３６と、ＧａＩｎＮ井戸層３８との量子井戸構造として構成されて、障壁層と井戸層の上面もしくは下面もしくはその双方との間にＡｌＧａＮ層からなる面状結晶欠陥抑制層４０を介在させている。 - 特許庁

In the spin polarized electron generating element consisting of a substrate, a buffer layer, and a distorted superlattice layer formed on the buffer layer, an intermediate layer is interposed between the substrate and the buffer layer, the intermediate layer being made of crystal having a lattice constant larger than that of crystal constituting the buffer layer.例文帳に追加

基板と、バッファ層と、バッファ層上に形成された歪み超格子層とを有するスピン偏極電子発生素子において、基板とバッファ層との間に、バッファ層を構成する結晶の格子定数よりも大きな格子定数を有する結晶から成る中間層を介在させた。 - 特許庁

The semiconductor element comprises an epitaxial layer using a solid phase epitaxy process, a first metal layer on the epitaxial layer, a nitride barrier metal on the first metal layer, a second metal layer on the barrier metal and metal silicide formed between the epitaxial layer, and the first metal layer.例文帳に追加

固相エピタキシー工程を用いたエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層上の第１金属層と、前記第１金属層上の窒化物系バリヤメタルと、前記バリヤメタル上の第２金属層と、前記エピタキシャル層と第１金属層との間に形成された金属シリサイドとを含む。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element according to an embodiment comprises a first semiconductor layer of a first conductivity type, a first electrode layer, a luminescent layer, a second semiconductor layer of a second conductivity type, a third semiconductor layer of the second conductivity type and a second electrode layer connected to the first semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態に係る半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第１電極層と、発光層と、第２導電形の第２半導体層と、第２導電形の第３半導体層と、第１半導体層に接続される第２電極層と、を備える。 - 特許庁

A tightly adhered layer 2 is formed on a hard coat layer 1A on of the substrate 1, and on this tightly adhered layer 2, a transparent electrode layer 3, the organic electric field luminous layer 4 and a metal-electrode layer 5 are laminated as the function part, and further a protective layer 6 is formed to constitute the organic electric field luminous element 10.例文帳に追加

基板１のハードコート層１Ａ上に密着層２を形成し、この密着層２上に機能部として透明電極層３、有機電界発光層４および金属電極層５を積層し、さらに保護層６を形成して有機電界発光素子１０が構成される。 - 特許庁

The semiconductor element 1 includes a semiconductor layer 5 formed of a semiconductor material, and a metal layer 18 jointed to one surface of the semiconductor layer 5, wherein the metal layer 18 includes a magnetic layer 16, and the magnetic layer 16 includes a layer formed of an alloy containing at least Fe and Ni.例文帳に追加

半導体素子１は、半導体材料からなる半導体層５と、半導体層５の一方の面に接合された金属層１８とを備え、金属層１８は、磁性体層１６を有し、磁性体層１６は、少なくともＦｅ及びＮｉを含む合金からなる層を有する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element comprises a laminated structure having a GaN crystal layer formed via a buffer layer or directly on the Si substrate and having a p-type layer, an n-type layer and a light emitting layer disposed between the p-type layer and the n-type layer so as to emit light by current injection.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に、バッファ層を介してまたは直接的に、ＧａＮ系結晶層からなる積層構造を形成し、該積層構造は、電流注入によって発光可能なように、ｐ型層と、ｎ型層と、これらの間に位置する発光層とを有する。 - 特許庁

In a semiconductor laser element 100, a buffer layer 2, an undopped GaN layer 3, an n-type GaN first contact layer 4, an n-type AlGaN first clad layer 5, a light emitting layer 6, a p-type AlGaN second clad layer 7, and a p-type GaN second contact layer 8 are sequentially formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、サファイア基板１上にバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮ第１コンタクト層４、ｎ−ＡｌＧａＮ第１クラッド層５、発光層６、ｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層７、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層８が順に形成されてなる。 - 特許庁

The protective layer 5 has a first layer 6 which covers the magnet element assembly 3 and contains rare earth elements, a second layer 7 which covers the first layer and does not contain the rare earth elements substantially, and an oxide layer 8 which covers the second layer and has an oxide layer 8 having a distinct composition with the first and second layers.例文帳に追加

保護層５は、磁石素体３を覆い希土類元素を含有する第１の層６と、第１の層を覆い希土類元素を実質的に含有しない第２の層７と、第２の層を覆い第１及び第２の層とは異なる組成を有する酸化物層８とを備えている。 - 特許庁

A unidirectional anti-fuse element comprises: a cathode electrode layer 1 connected with a cathode electrode terminal K; a semiconductor layer 2 consisting of a p-type impurity layer 21 and an n-type impurity layer 22; an insulation layer 3; an anode electrode 4 connected with an anode electrode layer A by a bonding wire 5; and a sealing resin layer 6.例文帳に追加

１はカソード電極端子Ｋに接続されたカソード電極層、２はｐ型不純物層２１及びｎ型不純物層２２よりなる半導体層、３は絶縁層、４はボンディングワイヤ５によってアノード電極端子Ａに接続されたアノード電極層、６は封止樹脂層である。 - 特許庁

The thin film magnetic head includes at least an MR read-out head element having: the lower shield layer; the upper shield layer; and an MR layer formed between the lower shield layer and the upper shield layer, and the thin film magnetic head is provided with a lower antiferromagnetic layer laminated and bonded to only the end edge part of the lower shield layer.例文帳に追加

下部シールド層、上部シールド層並びに下部シールド層及び上部シールド層間に形成されたＭＲ層を有するＭＲ読出しヘッド素子を少なくとも含む薄膜磁気ヘッドであって、下部シールド層の端縁部にのみ接合して積層されている下部反強磁性層を備えている。 - 特許庁

At least a pinned layer 3 in a ferromagnetic tunnel junction element having a lamination structure consisting of a foundation layer 1/a 0 to 5 nm-thick antiferromagnetic layer 2/the pinned layer 3/an insulating layer 4/a free layer 5 is shaped so that magnetic anisotropy arises more than that in the shape of the free layer 5.例文帳に追加

下地層１／厚さが０〜５ｎｍの反強磁性層２／ピンド層３／絶縁層４／フリー層５からなる積層構造を有する強磁性トンネル接合素子における少なくともピンド層３の形状を上記フリー層５の形状より磁気異方性が現れる形状とする。 - 特許庁

A nitride semiconductor light-emitting element 11 comprises a substrate 13, a buffer layer 15, a nitride semiconductor layer 16 (clad layer) added with Si, a nitride semiconductor layer 17 (light-emitting layer) added with Eu and Mg as impurities and a nitride semiconductor layer 19 (clad layer) added with Mg.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子１１は、基板１３と、バッファ層１５と、Ｓｉが添加された窒化物半導体層１６（クラッド層）と、不純物としてＥｕ及びＭｇが添加された窒化物半導体層１７（発光層）と、Ｍｇが添加された窒化物半導体層１９（クラッド層）と、を備えている。 - 特許庁

The semiconductor module has a semiconductor element 5, a lower dielectric layer board 6 mounting the semiconductor element 5 on the surface, an upper dielectric layer board 2 provided on the lower dielectric layer board 6 having a cavity 9 for housing the semiconductor element 5, and a metal cover 1 for covering the semiconductor element 5 and the upper dielectric layer board 2.例文帳に追加

半導体素子５と、半導体素子５を表面に実装する下部誘電体層基板６と、半導体素子５の収容するためのキャビティ９を有して下部誘電体層基板６上に設けられる上部誘電体層基板２と、半導体素子５及び上部誘電体層基板２を覆う金属カバー１とを有する。 - 特許庁

It is achieved by setting the intervals of the n^+-type diffusion layer 12 and the p^+-type diffusion layer 14 shorter at the end of the element as compared with those in the central part of the element or by setting the areas of the n^+-type diffusion layer 12 and the p^+-type diffusion layer 14 larger at the end of the element as compared with those in the central part of the element.例文帳に追加

その設定は、ｎ^＋型拡散層１２の間隔及びｐ^＋型拡散層１４の間隔を素子中央部に比較して素子端部において小さくすることにより、又はｎ^＋型拡散層１２の面積及びｐ^＋型拡散層１４の面積を素子中央部に比較して素子端部において大きくすることにより達成される。 - 特許庁

To provide a solid oxide fuel battery cell with high manufacturing yield and excellent durability equipped with an element diffusion preventing layer between a solid electrolyte layer and an oxygen electrode layer with element diffusion from the oxygen electrode layer to the solid electrolyte effectively restrained and exfoliation between the element diffusion preventing layer and the oxygen electrode layer due to difference of thermal expansion coefficient effectively prevented.例文帳に追加

固体電解質層と酸素極層との間に元素拡散防止層が設けられ、酸素極層から固体電解質層への元素拡散が有効に抑制されるとともに、熱膨張係数差による元素拡散防止層と酸素極層との剥離が有効に防止され、製造歩留まりが高く且つ優れた耐久性を示す固体電解質型燃料電池セルを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor thin-film element including a semiconductor single-crystal layer other than Si including a semiconductor element on an Si single-crystal layer, to provide a semiconductor wafer, and to provide the semiconductor thin-film element.例文帳に追加

Ｓｉ結晶層上に半導体素子を備えたＳｉ以外の半導体単結晶層を備えた半導体薄膜素子の製造方法並びに半導体ウエハ、及び、半導体薄膜素子を提供する。 - 特許庁

The opto-electric hybrid substrate 1 includes: an optical circuit layer 2 on which an optical waveguide 21 is formed; and the optical element mounting substrate (photoelectric composite module) 10 which is furnished on the optical circuit layer 2 and includes an light receiving/emitting element (optical element) 7.例文帳に追加

光電気混載基板１は、光導波路２１が形成された光回路層２と、その上方に設けられ、受発光素子（光素子）７を内蔵する光素子搭載基板（光電気複合モジュール）１０とを有する。 - 特許庁

The recording part 10 is constituted of a spatial modulation element 20 and a driving device 22 and the spatial modulation part 20 is constituted of a liquid crystal display element layer 36 having a memory property and an organic photoelectric conductive switching element layer 34.例文帳に追加

記録部１０は空間変調素子２０と駆動装置２２とから構成され、空間変調素子２０はメモリ性のある液晶表示素子層３６と有機光電導スイッチング素子層３４とから構成されている。 - 特許庁

To provide a method of preparing a coating liquid for element isolation material, which hardly generates peeling between a substrate and an element isolation layer or cracks thereof, and which forms a flat element isolation layer on a substrate having a concave groove.例文帳に追加

基板と素子分離層との剥離やクラックが発生し難く、凹状の溝を有する基板上に平坦な素子分離層を形成することができる素子分離材料用塗布液の作製方法等を提供する。 - 特許庁

The monitor element 22 is formed on a substrate 20 across a lower gap layer 27 and a lower shield layer 26 formed below the magneto- resistance effect element 21 is not formed below the monitor element 22.例文帳に追加

モニター素子２２を基板２０上に下部ギャップ層２７を介して形成し、磁気抵抗効果素子２１の下側に形成されている下部シールド層２６を、前記モニター素子２２の下側に形成しないようにする。 - 特許庁

The second resin insulating layer 5 on the side where the heater element 1 is mounted covers the metal layer 3 and contacts to an end edge of the heater element 1, and has a thickness the same as or greater than that of the heater element 1.例文帳に追加

発熱素子１実装側の前記第２樹脂絶縁層５は、金属層３を覆い且つ発熱素子１端縁に接しており、発熱素子１上面と同等以上の高さとなる厚みを有している。 - 特許庁

The method and apparatus thermally develop the photosensitive element by heating a composition layer of the photosensitive element to cause a portion of the layer to liquefy and providing a development medium to the element to remove the liquefied composition.例文帳に追加

感光性要素の組成物層を加熱して層の一部分を液化させ、かつ感光性要素に現像媒体を提供して液化された組成物を除去することによって、感光性要素を熱現像する。 - 特許庁

The thermoelectric device is provided with a thermoelectric element 1 mainly composed of a thermoelectric material, a paired material 3 connecting to the thermoelectric element 1, a solder layer 5 interposing between the thermoelectric element 1 and the paired material 3 for connecting the thermoelectric element to the paired material 3, and a dispersion suppressing layer 7 interposed between the thermoelectric element 1 and the solder layer 5.例文帳に追加

熱電デバイスは、熱電材料を主要成分とする熱電素子１と、熱電素子１に接合される相手材３と、熱電素子１と相手材３との間に介在し熱電素子１と相手材３とを接合する半田層５と、熱電素子１と半田層５との間に介在する拡散抑制層７とを具備している。 - 特許庁

To provide a semiconductor resistor element and a semiconductor module with the semiconductor resistor element which can suppress a change in a resistance value of a resistor element layer due to a potential difference between a potential of the resistor element layer and a potential of a semiconductor substrate, power source line, signal line or the like which are disposed around the resistor element layer, without causing useless current and signal distortion or the like.例文帳に追加

無駄な電流や信号の歪み等を発生させることなく、抵抗素子層の電位と、その周辺の半導体基板や電源線、信号線等の電位との電位差によって抵抗素子層の抵抗値が変化してしまうことを抑えることのできる半導体抵抗素子及び半導体抵抗素子を有する半導体モジュールを提供する。 - 特許庁

The CPP type magnetoresistive effect element has a multilayer ferry spin valve structure including an underlying layer, a fixed ferromagnetic layer, a nonmagnetic metal intermediate layer and a free ferromagnetic layer wherein the free ferromagnetic layer is composed of CoFeAl or CoMnAl of specified composition and the underlying layer consists of an amorphous metal lower layer and a nonmagnetic metal upper layer.例文帳に追加

下地層、固定強磁性層、非磁性金属中間層、自由強磁性層を含む積層フェリスピンバルブ構造を有し、自由強磁性層を特定組成のＣｏＦｅＡｌまたはＣｏＭｎＡｌとしたＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子であって、下地層がアモルファス金属下層と非磁性金属上層とから成る。 - 特許庁

As a structure capable of controlling the potential of the buffer layer 2 made of an n-GaN layer, the semiconductor element employs a structure in which a source electrode 6 is buried in an epitaxial layer (channel layer 3 and electron supplying layer 4) formed on the buffer layer 3 and is extended to the depth reaching the buffer layer 2 so as to be in ohmic contact with the buffer layer 2.例文帳に追加

n-GaN層から成るバッファ層２の電位を制御できる構造として、ソース電極６が、バッファ層２とオーミック接触するように、バッファ層３上に形成されるエピタキシャル層（チャネル層３と電子供給層４）に埋め込まれてバッファ層２に達する深さまで延びている構成が採られている。 - 特許庁

In a semiconductor laser element 100, a buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an n-type crack preventive layer 5, an n-type AlGaN first clad layer 6, an MQW light emitting layer 7, a p-type AlGaN second clad layer 8, and a p-type contact layer 9 are formed sequentially on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、サファイア基板１上に、バッファ層２、アンドープのＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮ層４、ｎ−クラック防止層５、ｎ−ＡｌＧａＮからなる第１クラッド層６、ＭＱＷ発光層７、ｐ−ＡｌＧａＮからなる第２クラッド層８、ｐ−コンタクト層９が順に形成されてなる。 - 特許庁

In an organic layer 21 of this white organic EL element 20, a blue luminescent layer 13, a first hole blocking layer 15a, a Dye layer 14, a second hole blocking layer 15b, a first green luminescent layer 16a, a third hole blocking layer 15c and a second green luminescent layer 16b are stacked from the side of a positive electrode.例文帳に追加

白色有機ＥＬ素子２０の有機層２１には、陽極側から青色発光層１３、第１のホールブロッキング層１５ａ、Ｄｙｅ層１４、第２のホールブロッキング層１５ｂ、第１の緑色発光層１６ａ、第３のホールブロッキング層１５ｃ、および第２の緑色発光層１６ｂを積層する。 - 特許庁

The magnetoresistive element 10 includes a stabilization layer 11, a nonmagnetic layer 13, a spin-polarization layer 12 provided between the stabilization layer 11 and the nonmagnetic layer 13, and having magnetic anisotropy in a direction perpendicular to a film surface, and a magnetic layer 14 provided on a side of the nonmagnetic layer 13 opposite to a side on which the spin-polarization layer 12 is provided.例文帳に追加

磁気抵抗素子１０は、安定化層１１と、非磁性層１３と、安定化層１１と非磁性層１３との間に設けられ膜面に垂直な方向の磁気異方性を有するスピン分極層１２と、非磁性層１３に対してスピン分極層１２とは反対側に設けられた磁性層１４とを含む。 - 特許庁

In the thin film EL element, a lower electrode layer 2, lower insulating layer 3, first buffer layer 51, luminous layer 4, second buffer layer 52, upper insulating layer 6, and upper electrode layer 7 are laminated in order on a glass substrate 1, and the El emission from the luminous layer 4 is output through the glass substrate 1.例文帳に追加

この薄膜ＥＬ素子は、ガラス基板１上に、下部電極層２、下部絶縁層３、第１バッファ層５１、発光層４、第２バッファ層５２、上部絶縁層６および上部電極層７を順次積層することにより形成されており、発光層４からのＥＬ発光はガラス基板１を介して出力される。 - 特許庁

A photoelectric conversion element 10 includes a semiconductor layer 11, a dye layer 12 formed on one surface of the semiconductor layer 11, a transparent electrode layer 13 formed on the other surface of the semiconductor layer 11, a counter electrode 14 countering the dye layer 12, and an electrolyte layer 15 interposed between the dye layer 12 and the counter electrode 14.例文帳に追加

光電変換素子１０は、半導体層１１、半導体層１１の一方の面に設けられた色素層１２、半導体層１１の他方の面に設けられた透明電極層１３、色素層１２に対向して配された対極１４、及び色素層１２と対極１４との間に配された電解質層１５を具備する。 - 特許庁

The organic EL element 10 is formed with a laminated film including a positive electrode (a first electrode layer) 4, an organic EL layer (an organic functional layer) 3, and a negative electrode (a second electrode layer) 7, and so structured that a phase solution preventing layer 181 is provided between a hole injection/transport layer 5 and a luminous layer 8 of the organic EL layer 3.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬ素子１０は、陽極（第１の電極層）４と、有機ＥＬ層（有機機能層）３と、陰極（第２の電極層）７とを含む積層膜を具備し、前記有機ＥＬ層３の正孔注入／輸送層５と発光層８との間に、相溶防止層１８１が設けられた構成を備えている。 - 特許庁

The semiconductor laser element 30 comprises an active layer 5, a heavily doped p-type first clad layer 8 formed on the active layer 5, a first undoped layer 7 formed between the active layer 5 and the heavily doped p-type first clad layer 8, and a second undoped layer 9 formed on the heavily doped p-type first clad layer 8.例文帳に追加

この半導体レーザ素子３０は、活性層５と、活性層５上に形成される高濃度ｐ型第１クラッド層８と、活性層５と高濃度ｐ型第１クラッド層８との間に形成される第１アンドープ層７と、高濃度ｐ型第１クラッド層８上に形成される第２アンドープ層９とを備えている。 - 特許庁

In a semiconductor laser element 501, an N-clad layer 11, an N-optical guide layer 12, an MQW layer 13, a P-cap layer 14, a P-optical guide layer 15, a P-clad layer 16, an N-current block layer 17 and a P-contact layer 18 are laminated in order on one surface of a transparent substrate 100.例文帳に追加

半導体レーザ素子５０１は、透明基板１００の一方の面上にｎ−クラッド層１１、ｎ−光ガイド層１２、ＭＱＷ活性層１３、ｐ−キャップ層１４、ｐ−光ガイド層１５、ｐ−クラッド層１６、ｎ−電流ブロック層１７およびｐ−コンタクト層１８が順に積層されてなる。 - 特許庁

An MTJ element 31 comprises an antiferromagnetic layer 26, an AP2 layer, a SyAF pinned layer 27 composed of a coupling layer and an AP1 layer, a tunnel barrier layer 28 composed of an AlOx, a free layer 29, and a capping layer 30 including NiFeM (M is a metal atom the oxidation potential of which is higher than that of nickel atom and iron atom), in this order.例文帳に追加

このＭＴＪ素子３１は、反強磁性層２６と、ＡＰ２層、結合層およびＡＰ１層からなるＳｙＡＦピンド層２７と、ＡｌＯｘからなるトンネルバリア層２８と、フリー層２９と、ＮｉＦｅＭ（Ｍは、ニッケル原子および鉄原子よりも高い酸化電位の金属原子）を含むキャップ層３０とを順に備える。 - 特許庁

The organic EL element is obtained by successively laminating a hole transport layer 3, a luminous layer 4, an electron transport layer 5, a negative electrode layer 6 and a collector electrode layer 7 on a glass substrate 1, on which a positive electrode layer 2 has been laminated, and forming the negative electrode layer 6 and collector electrode layer 7 with a conductive composition containing a particulate silver compound, respectively.例文帳に追加

陽極層２が積層されたガラス基板１にホール輸送層３、発光層４、電子輸送層５、陰極層６、集電電極層７が順次積層され、陰極層６および集電電極層７が粒子状銀化合物を含む導電性組成物で形成された有機ＥＬ素子。 - 特許庁