「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor laser element 1 has a first conductivity clad layer 13, a second conductivity clad layer 17, and a quantum well active layer 15 sandwitched by the layer 13 and the layer 17.例文帳に追加

半導体レーザ素子１は、第１導電型クラッド層１３と、第２導電型クラッド層１７と、第１導電型クラッド層１３と第２導電型クラッド層１７とに挟まれた量子井戸活性層１５とを有している。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor element 20 is provided with a buffer layer 2 formed on a sapphire (0001) substrate 1, a channel layer 3 made of an undoped GaN layer, and an electron supplying layer 4 made of an undoped AlGaN layer.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体素子２０は、サファイア（０００１）基板１上に形成されたバッファ層２と、アンドープＧａＮ層から成るチャネル層３と、アンドープＡｌＧａＮから成る電子供給層４とを備える。 - 特許庁

The single-crystal silicon layer is stuck on the top surface, consisting of the 1st inter-layer insulating film 12 formed of the 1st insulator layer 12A and 2nd insulator layer 12B and this single-crystal silicon layer is used to form a transistor element.例文帳に追加

第１の絶縁体層１２Ａと第２の絶縁体層１２Ｂとからなる第１層間絶縁膜１２の表面上に単結晶シリコン層を貼り合わせ、単結晶シリコン層を用いてトランジスタ素子を形成する。 - 特許庁

A P-type drift layer 10 expands in an N-type epitaxial layer 3 under an N-type body layer under a source layer 17 through a lower part of an element isolation insulating film 9 from a lower part of a drain layer 18.例文帳に追加

ドレイン層１８の下方から、素子分離絶縁膜９の下方を経由して、ソース層１７の下部のＮ型ボディ層の下方のＮ型エピタキシャル層３中に拡がったＰ型ドリフト層１０が形成されている。 - 特許庁

This memory element has: a first conductive layer including a plurality of insulators; an organic compound layer over the first conductive layer including the insulators; and a second conductive layer over the organic compound layer.例文帳に追加

本発明の記憶装置の一は、複数の絶縁物を含む第１の導電層と、複数の絶縁物を含む第１の導電層上に有機化合物層と、有機化合物層上に第２の導電層とを有する。 - 特許庁

The liquid crystal display element has at least two layers in between the liquid crystal layer, and an electrode layer arranged by coating or vapor deposition, wherein at least one layer thereof is a flat layer with 1μm or smaller unevenesses on the electrode-layer side surface.例文帳に追加

液晶層と塗布又は蒸着により設けた電極層の間に少なくとも２つの層を有し、その内少なくとも一方の層は電極層側の面の凹凸が、１μｍ以下の平坦層である。 - 特許庁

In the ZnO semiconductor element, an n-type Mg_ZZnO layer 2, an undoped MgZnO layer 3, an MQW active layer 4, an undoped Mg_XZnO layer 5 and an acceptor-doped Mg_YZnO layer 6 are sequentially laminated on a ZnO substrate 1.例文帳に追加

ＺｎＯ基板１上にｎ型Ｍｇ_ＺＺｎＯ層２、アンドープＭｇＺｎＯ層３、ＭＱＷ活性層４、アンドープＭｇ_ＸＺｎＯ層５、アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ層６が順に積層されている。 - 特許庁

The light reflection layer (28) includes a copper layer (31a), a copper plated layer (31b) covering the copper layer (31a), and metal layers (32, 33) laminated on the copper plated layer (31b) and reflecting light emitted from the light emitting element (41).例文帳に追加

前記光反射層(28)は、銅層(31a)と、前記銅層(31a)を被覆する銅めっき層(31b)と、前記銅めっき層(31b)の上に積層されるとともに前記発光素子(41)が発する光を反射させる金属層(32, 33)と、を含んでいる。 - 特許庁

The semiconductor optical element according to one embodiment is provided with a first conductive type lower cladding layer, a second conductive type upper cladding layer and an active layer provided between the lower cladding layer and the upper cladding layer.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る半導体光素子は、第１導電型の下部クラッド層と、第２導電型の上部クラッド層と、下部クラッド層と上部クラッド層の間に設けられた活性層とを備えている。 - 特許庁

The magnetic memory includes a magnetoresistive element 10 including a fixed layer 12 whose magnetization direction is fixed, a recording layer 14 whose magnetization direction is variable and a nonmagnetic layer 13 disposed between the fixed layer 12 and the recording layer 14.例文帳に追加

磁気メモリは、磁化方向が固定された固定層１２と、磁化方向が可変の記録層１４と、固定層１２と記録層１４との間に設けられた非磁性層１３とを含む磁気抵抗素子１０を具備する。 - 特許庁

A symbol mark display part 10 buried and arranged in a mode setting dial 7 comprises a flexible printed board layer 11, a driving circuit layer 12, a negative electrode layer 13, an organic EL element layer 14, and a transparent positive electrode layer 15.例文帳に追加

モード設定ダイヤル７に埋め込み配置されるシンボルマーク表示部１０は、フレキシブルプリント基板層１１、駆動回路層１２、陰電極層１３、有機ＥＬ素子層１４及び透明陽電極層１５から構成される。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element 20 has a pixel electrode layer 21, an organic photoelectric conversion layer 23, a first electron blocking layer 24, a second electron blocking layer 25, and a transparent electrode layer 26 laminated in order.例文帳に追加

本発明は、画素電極層２１、有機光電変換層２３、第１の電子ブロック層２４、第２の電子ブロック層２５及び透明電極層２６が順次積層された有機光電変換素子２０である。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises an n-type first semiconductor layer, a p-type second semiconductor layer, and a light-emitting layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態に係る半導体発光素子は、ｎ形の第１半導体層と、ｐ形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を備える。 - 特許庁

A magnetic random access memory according to an embodiment has a magnetic resistance effect element, on which a first magnetic layer, a first interface magnetic layer, a non-magnetic layer, a second interface magnetic layer, and a second magnetic layer are sequentially laminated.例文帳に追加

実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリは、第１の磁性層、第１の界面磁性層、非磁性層、第２の界面磁性層、及び第２の磁性層が順に積層された磁気抵抗効果素子を有する。 - 特許庁

The solder is cooled to form a solder layer 40, and is jointed with the light emitting element.例文帳に追加

冷却して半田層４０を形成することにより発光素子と接合する。 - 特許庁

The base material is used for the substrate and/or the protective layer of the EL element.例文帳に追加

このガスバリア性有機基材をＥＬ素子の基板および／または保護層に用いる。 - 特許庁

The heat generating element 1 has a form wherein a heat generating layer 3 is formed on a base material 2.例文帳に追加

発熱体１は基材２上に発熱層３が形成された形態である。 - 特許庁

The impurity concentration of a (p) type anode layer 50 of the diode element region J2 is lower than the impurity concentration of a (p) type body layer 30 of the IGBT element region J1.例文帳に追加

また、ダイオード素子領域Ｊ２のp型のアノード層５０の不純物濃度が、ＩＧＢＴ素子領域Ｊ１のp型のボディ層３０の不純物濃度と比較して低い。 - 特許庁

A light-emitting device 1 has the light-emitting element 11 and a translucent layer 12.例文帳に追加

発光装置１は、発光素子１１および透光性層１２を有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a structure including a customized layer stacked on a shared layer, can arbitrarily form a capacitance element or a resistive element, and is highly productive.例文帳に追加

共用層にカスタマイズ層が積層されている構造で、容量素子や抵抗素子を自在に形成できて生産性が良好な半導体装置を提供する。 - 特許庁

VERTICAL ALIGNMENT TYPE LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT LAYER AND VERTICAL ALIGNMENT TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

垂直配向型液晶配向膜および垂直配向型液晶表示素子 - 特許庁

The supporting substrate 70 is stuck on the element 20 side of the element layer 11 while interposing an inter-layer insulating film 61 and metallic wiring layers 62A, 62B and 62C.例文帳に追加

素子層１１の固体撮像素子２０側には、層間絶縁膜６１および金属配線層６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃを間にして支持基板７０が貼り合わせられている。 - 特許庁

An insulating layer 16 is formed on the facing surface 25a to the base plate 11 of the power generating element 1, and the power generating element 1 is fixed to the base plate 11 through an adhesive layer 17.例文帳に追加

発電要素１のベース板１１との対向面２５ａに絶縁層１６を被着するとともに、ベース板１１と接着剤層１７を介して固着する。 - 特許庁

A semiconductor element 8 having an adhesive layer is picked up and adhered to a wiring board.例文帳に追加

接着層付き半導体素子８をピックアップして配線基板に接着する。 - 特許庁

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION FOR COLORED LAYER FORMATION, COLOR FILTER AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

着色層形成用感放射線性組成物、カラーフィルタ及び液晶表示素子 - 特許庁

To provide a composition suitable for the use in a light-absorbing layer for a display element and a new configuration of the light-absorbing layer suitable for the use in the display element.例文帳に追加

表示素子用の光吸収層での使用に適した組成物および表示素子での使用に適した光吸収層の新しい構成を提供する。 - 特許庁

An electrically conductive layer 22 forming a sense part 28 of the element part is formed on the substrate 10 and the region, where the element part on the conductive layer 22 is formed, is etched.例文帳に追加

前記基板１０上に、素子部のセンス部２８を形成する導体層２２を形成し、該導体層上の前記素子部が形成される領域をエッチングする。 - 特許庁

The plasma generating element 7 is provided with a dielectric body 101 and an insulating layer 102.例文帳に追加

プラズマ発生素子７は、誘電体１０１と絶縁層１０２とを備えている。 - 特許庁

The protective layer 40 is made of platinum group element of at least about 70 weight %.例文帳に追加

保護層（４０）は、少なくとも約７０重量パーセントの白金族元素である。 - 特許庁

The pre- sintering element body 10a, for example, is composed of a laminating body of the dielectric layer 2 and an internal electrode layer 3, and becomes an element body of the laminated ceramic capacitor.例文帳に追加

前記焼結前素子本体１０ａは、たとえば誘電体層２と内部電極層３との積層体で構成され、積層セラミックコンデンサの素子本体となる。 - 特許庁

The thermosensitive body 14 has the thermosensitive element 2, and an inside protection layer 51 and an outside protection layer 52 for sealing the thermosensitive element 2 together with a part of electrode wires 21.例文帳に追加

感温体１４は、感温素子２と、感温素子２を電極線２１の一部と共に封止する内側保護層５１及び外側保護層５２とを有する温度センサ。 - 特許庁

To sufficiently seal a light-emitting element by a gas barrier layer hardly cracked or separated.例文帳に追加

割れたり剥離したりし難いガスバリア層で発光素子を十分に封止する。 - 特許庁

ADHESION PROMOTOR, ELECTROACTIVE LAYER, ELECTROACTIVE ELEMENT CONTAINING THE SAME AND ITS METHOD例文帳に追加

接着促進剤、電気活性層及びそれを含む電気活性素子とその方法 - 特許庁

Alternatively, the fitting is structured to be equipped with an optical system leading the light from the LED element to the phosphor layer between the LED element and the phosphor layer.例文帳に追加

或いは又、上記ＬＥＤ素子と蛍光体層との間にて、ＬＥＤ素子からの光を蛍光体層に導く光学系を備えるように灯具を構成する。 - 特許庁

The element-side substrate 1 mounts a detector 20, on which a conductive layer is formed.例文帳に追加

素子側基板１は、検出部２０を搭載し、導電層が形成されている。 - 特許庁

The end of the element 12 is led out from the layer 30 of electrode material paste.例文帳に追加

そして、電極材料ペーストの層３０から素子１２の端部が引き出される。 - 特許庁

To suppress irregularities in quantity of light emitted from a light-emitting layer of a semiconductor light-emitting element and suppress an area decrease of the light-emitting layer in the semiconductor element.例文帳に追加

半導体発光素子の発光層から出力される光量のむらを抑制し、且つ、半導体発光素子における発光層の面積の減少を抑制する。 - 特許庁

This organic EL element has a structure where the organic layer 2 is sandwiched between the anode 1 and the cathode 3.例文帳に追加

陽極１と陰極３とで有機層２を挟んだ構造となっている。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element has each layer comprising a group III nitride compound semiconductor.例文帳に追加

各層がIII族窒化物系化合物半導体から成る半導体発光素子である。 - 特許庁

A second semiconductor element is bonded on the first semiconductor element 5 through a second adhesive layer (insulating adhesive layer) 9 whose thickness is 50 μm or more.例文帳に追加

第１の半導体素子５上には、厚さが５０μｍ以上の第２の接着剤層（絶縁性接着剤層）９を介して第２の半導体素子が接着されている。 - 特許庁

To provide a light detection element having an extremely thin semiconductor layer.例文帳に追加

本発明は、非常に薄い半導体層を備えた光検出要素を提供する。 - 特許庁

Additionally, the impurity density of a p-type anode layer 50 in the diode element region J2 is low compared to the impurity density of a p-type body layer 30 in the IGBT element region J1.例文帳に追加

また、ダイオード素子領域Ｊ２のp型のアノード層５０の不純物濃度が、ＩＧＢＴ素子領域Ｊ１のp型のボディ層３０の不純物濃度と比較して低い。 - 特許庁

The liquid crystal optical lens has a first and second element substrates, and a liquid crystal layer.例文帳に追加

液晶光学レンズは、第１および第２素子基板と、液晶層とを備える。 - 特許庁

COMPOSITION FOR FORMING HARD COAT LAYER, HARD COAT FILM, OPTICAL ELEMENT AND IMAGE DISPLAY DEVICE例文帳に追加

ハードコート層形成用組成物、ハードコートフィルム、光学素子および画像表示装置 - 特許庁

The light-emitting diode element 5 is attached to the conductive layer 3 of the module substrate 4.例文帳に追加

発光ダイオード素子５は、モジュール基板４の導電層３上に取り付けられる。 - 特許庁