「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an organic electroluminescent element preventing damage to an organic layer while maintaining a transmission factor in a second electrode layer deposited on the top of the organic layer.例文帳に追加

有機層の上部に蒸着される第２電極層の透過率を保ちつつも有機層の損傷を防止できる有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element has: a support substrate; a first electrode; a first conductivity type layer; a light emitting layer; a second conductivity type layer; and a second electrode.例文帳に追加

半導体発光素子は、支持基板と、第１電極と、第１導電形層と、発光層と、第２導電形層と、第２電極と、を有する。 - 特許庁

The pit 8 of the resin layer 54 is made greater than the liquid-resistance layer 40 and the resin layer 54 at the bypass liquid passage 47 is removed, then a heating element substrate is formed.例文帳に追加

樹脂層５４には、ピット８を耐液体層４０より大きくするとともに、バイパス流路４７の部分を除去し、発熱素子基板を形成する。 - 特許庁

After depositing at least a metal layer 35A of IVA group or a metal layer of VA group, a resistor material layer 35B is deposited thus forming a heating element 35.例文帳に追加

少なくともIVＡ属の金属層３５Ａ又はＶＡ属の金属層を堆積した後、抵抗体材料３５Ｂを堆積して発熱素子３５を形成する。 - 特許庁

This organic electric field light-emitting element comprises an anode 12, first insulting layer 14, organic material light emitting layer 15, second insulating layer 17 and cathode 19 formed on a substrate 11.例文帳に追加

有機電界発光素子は、基板11上に形成された陽極12、第１絶縁層14、有機物発光層15、第2絶縁層17、陰極19を有する。 - 特許庁

The element chip 20 comprises a nitride semiconductor laminate structure section 1 composed of an n-type GaN layer 2, a p-type GaN layer 3, and an n-type GaN layer 4.例文帳に追加

素子チップ２０は、ｎ型ＧａＮ層２と、ｐ型ＧａＮ層３と、ｎ型ＧａＮ層４とからなる窒化物半導体積層構造部１を備えている。 - 特許庁

The cover layer is formed with Ag having a reflectance higher than that of Cu composing the element attaching part 3 and the cover layer is laminated on the barrier layer.例文帳に追加

素子取付け部３をなしたＣｕの反射率よりも高い反射率を有するＡｇでカバー層を形成し、この層をバリア層に積層する。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element includes a first semiconductor layer, a light-emitting part, a second semiconductor layer, and an In-containing intermediate layer.例文帳に追加

実施形態によれば、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、Ｉｎ含有中間層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

Further, The lower magnetic shield layer 2 and the upper magnetic shield layer 9 are not formed in a region in which the inspection element 5 and the lead electrode layer 10 are formed.例文帳に追加

さらに検査素子５と引出電極層１０の形成されている領域には、下部磁気シールド層２及び上部磁気シールド層９を形成しない。 - 特許庁

To provide a wiring substrate preventing a through wiring in an insulating film from exfoliating from a wiring layer arranged in a layer lower than the insulating film, or a wiring of a semiconductor element layer.例文帳に追加

絶縁膜中の貫通配線が、絶縁膜よりも下層に配置されている配線層あるいは半導体素子層の配線と剥離するのを防ぐ。 - 特許庁

The metal-contained layer is patterned to form a constituent element of the semiconductor device, and a semiconductor layer is deposited in contact with the metal-contained layer.例文帳に追加

金属含有層をパターン付けして、半導体デバイスの構成要素を形成し、金属含有層と接触させるために半導体層を付着させる。 - 特許庁

To provide a method and device for determining the element composition of a thin-layer measurement layer in an analysis specimen having a thin-layer laminated structure.例文帳に追加

薄層の積層構造を有する分析試料中の薄層測定層の元素組成を決定することをすることができる方法および装置を提供する。 - 特許庁

According to this constitution, crystallinity deterioration, especially a layer generating crack can be restrained in an element structure using AlGaN in each clad layer and an optical guide layer.例文帳に追加

この構成により、各クラッド層、光ガイド層にＡｌＧａＮを用いた素子構造において、結晶性悪化、特にクラックの発生層を抑制できる。 - 特許庁

To obtain an electrophotographic electric charge generating element containing a solid electrolyte layer and having improved image discriminating property and layer adhesiveness by forming an undercoat layer not substantially containing a free active group.例文帳に追加

改善された画像識別性及び層接着性を有する固体電解質層を含んでなる電子写真電荷発生要素の提供。 - 特許庁

This application provides an organic electroluminescent element 5 formed by stacking a translucent base material 1, a transparent conductive layer 2, an organic luminescent layer 3, and a negative electrode layer 4 in that order.例文帳に追加

透光性基材１、透明導電層２、有機発光層３、陰極層４をこの順に積層して形成される有機エレクトロルミネッセンス素子５。 - 特許庁

The element area isolation insulating wall 124 penetrates the active layer 106 and the embedded insulating layer 104 to a p-type base layer 102.例文帳に追加

素子領域分離用絶縁壁１２４は、活性層１０６の表面から埋め込み絶縁層１０４を貫通してｐ型基層１０２に至っている。 - 特許庁

The organic EL element in which a hole transporting layer 3, an organic light-emitting layer 4, and an electron transporting layer 5 are installed between a positive electrode 1 and a negative electrode 2 in this order.例文帳に追加

陽極１と陰極２の間にホール輸送層３、有機発光層４、電子輸送層５をこの順に設けた有機ＥＬ素子に関する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor light element, in which a contact area between a semiconductor layer and an electrode layer on an upper surface of a waveguide ridge is prevented from decreasing and etching damage in the semiconductor layer is prevented thereby.例文帳に追加

導波路リッジの上表面で半導体層と電極層との接触面積の減少を防ぎ半導体層のエッチング損傷を防止する。 - 特許庁

The routed wiring 16 formed on the element board 10 includes a 1st wiring layer 181, a 2nd wiring layer 182, and a 3rd wiring layer 183.例文帳に追加

素子基板１０上に形成された引廻し配線１６は、第１配線層１８１と、第２配線層１８２と、第３配線層１８３とを有する。 - 特許庁

A storage layer ML of a memory element RM is formed of a first layer ML1 on the side of a lower electrode BE and a second layer ML2 on the side of an upper electrode TE.例文帳に追加

メモリ素子ＲＭの記憶層ＭＬを、下部電極ＢＥ側の第１の層ＭＬ１と上部電極ＴＥ側の第２の層ＭＬ２で形成する。 - 特許庁

To prevent deterioration of an organic light-emitting layer in an organic EL element wherein a liquid crystal layer formed in an injection process is used as a carrier transport layer.例文帳に追加

注入プロセスにより形成される液晶層をキャリア輸送層として用いた有機ＥＬ素子において、有機発光層の劣化を防止する。 - 特許庁

The lower-layer chip and intermediate-layer chip are composed of power semiconductor elements, and the upper-layer chip is composed of a control circuit element or sensor circuit.例文帳に追加

前記下層チップと前記中間層チップをパワー半導体素子により構成し、前記上層チップを制御回路素子または、センサ回路により構成している。 - 特許庁

When the inter-layer jump is made, a liquid crystal element 23 for spherical aberration correction is previously optimized to the cover layer thickness of the L1 layer as a movement destination.例文帳に追加

また、この層間ジャンプ時に、球面収差補正用の液晶素子２３を予め移動先であるＬ１層のカバー層厚さに対して最適化しておく。 - 特許庁

To provide an organic system electroluminescent element using a fullerene layer as an electron transport layer in place of a current problematic organic molecule system electron transport layer.例文帳に追加

現在の問題ある有機分子系電子輸送層に代えて、フラーレン層を電子輸送層として用いる有機系電界発光素子を提供する。 - 特許庁

A magnetic oscillation element has a first electrode, a second electrode, a first magnetic layer, a second magnetic layer, and a first spacer layer.例文帳に追加

実施形態によれば、第１電極と第２電極と第１磁性層と第２磁性層と第１スペーサ層とを備えた磁気発振素子が提供される。 - 特許庁

To secure hydrophilicity of an ITO layer and an SiN (inorganic silicon compound) layer as well as water repellency of a resin layer, in a manufacturing method of an organic EL element or the like.例文帳に追加

有機ＥＬ素子等の製造工程において、ＩＴＯ層とＳｉＮ（無機珪素化合物）層の親水性を確保し、樹脂層の撥水性を確保する。 - 特許庁

Then, an amorphous silicon layer which is an element formation region 103 is formed on the foundation layer 102, and the layer is crystallized by laser irradiation or other method.例文帳に追加

下地層１０２上に素子形成領域１０３の非晶質シリコン層を形成し、非晶質シリコン層をレーザ照射などによって結晶化させる。 - 特許庁

The nitride light-emitting element 11 includes a first conductivity type nitride semiconductor layer 13, a second conductivity type nitride semiconductor layer 15, and an active layer 17.例文帳に追加

窒化物発光素子１１は、第１導電型の窒化物半導体層１３と、第２導電型の窒化物半導体層１５と、活性層１７とを備える。 - 特許庁

A red semiconductor laser element is equipped with an n-type AlGaInP bottom cladding layer 4, a GaInP/AlGaInP multiple quantum well active layer 5, and a GaInP etching stop layer 7.例文帳に追加

赤色半導体レーザ素子は、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層４、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層５およびＧａＩｎＰエッチングストップ層７を備えている。 - 特許庁

A light emitting layer of the semiconductor laser element has a multi-quantum well structure made up of a barrier layer 4a and a well layer 4b laminated alternately.例文帳に追加

半導体レーザ素子の発光層は、光ガイド層４ｃ上に、障壁層４ａおよび井戸層４ｂが交互に積層された多重量子井戸構造を有する。 - 特許庁

Moreover, it is preferable practically that the element has a semiconductor thin layer to which impurities are not added between the well layer and the barrier layer which contain the impurities.例文帳に追加

更に、不純物を含有する前記障壁層と前記井戸層の間に不純物を添加しない半導体薄層を有することが実用的に好ましい。 - 特許庁

The polarized light separating element 10 is equipped with a cholesteric liquid crystal layer 1 and a nematic liquid crystal layer 2 directly joined on the cholesteric liquid crystal layer 1.例文帳に追加

偏光分離素子１０は、コレステリック液晶層１と、コレステリック液晶層１上に直接接合されたネマチック液晶層２とを備えている。 - 特許庁

A nitriding layer of not less than Hv 900 made of a compound layer and a diffusion hardening layer by nitriding is formed on a surface of a rolling element made of a steel material.例文帳に追加

鋼材からなる転動体の表面に、窒化処理によって化合物層と拡散硬化層とからなるＨｖ９００以上の窒化層を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing the electrode of a semiconductor element which inhibits peeling between a silicide layer and a metal layer (eutectoid layer of Ni and P) in the electrode.例文帳に追加

電極におけるシリサイド層と金属層（ＮiとＰとの共析層）との間の剥がれを防止する半導体素子の電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

The diode part shares the drain layer and the drift layer with the element part, and has a plurality of second trenches penetrating through the surface of the base region and contacting with the drift layer.例文帳に追加

ダイオード部は、ドレイン層とドリフト層とにおいて素子部と共有し、ベース領域の表面を貫通して、ドリフト層に接する複数の第２トレンチを有する。 - 特許庁

The organic electroluminescent element comprises at least one light-emitting unit layer 2 containing an organic material between a positive electrode layer 1 and a negative electrode layer 5.例文帳に追加

陽極層１と陰極層５との間に、有機材料を含む発光ユニット層２を少なくとも１以上備えた有機エレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁

A thickness of each silicon monocrystalline layer on the first insulating layer 111 and the second insulating layer 112 is decided in accordance with characteristics of a formed element.例文帳に追加

第１の絶縁層１１１上、第２の絶縁層１１２上における各シリコン単結晶層の厚さは、形成される素子の特性に応じて決められる。 - 特許庁

In the TMR effect element 10, a lower electrode layer 12, a magnetization fixing layer 13 and a lower magnetic layer 14 are sequentially formed on a substrate 11.例文帳に追加

ＴＭＲ効果素子１０においては、基板１１上に、下部電極層１２、磁化固定層１３、下部磁性層１４が順に形成されている。 - 特許庁

The active layer of the semiconductor laser element 220 has a quantum well structure comprised of a well layer made of InGaAs and barrier layers pinching the well layer.例文帳に追加

上記半導体レーザ素子２２０の活性層は、ＩnＧaＡsである井戸層とその井戸層を挟むバリア層で構成された量子井戸構造をしている。 - 特許庁

To obtain an AlGaInP based semiconductor laser element in which diffusion of dopant from a clad layer to a semiconductor active layer is controlled without thickening an anti-diffusion layer.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子において、拡散防止層を厚くすることなくクラッド層から半導体活性層へのドーパントの拡散を抑制する。 - 特許庁

On the polysilicon layer 8, a low-resistance layer 9 is formed, mainly composed of a metal element that constitutes a gate electrode 10 in collaboration with the polysilicon layer 8.例文帳に追加

ポリシリコン層８の上には、ポリシリコン層８とともにゲート電極１０を構成する金属元素主体の低抵抗層９が形成されている。 - 特許庁

The diamond electronic element 1 has an oxide insulating layer 12 disposed on one surface side of a drift layer 23 so as to enclose a circumference of the Schottky electrode layer 15.例文帳に追加

ダイヤモンド電子素子１では、ドリフト層２３の一面側において、ショットキー電極層１５の周囲を囲むように酸化物絶縁層１２が配置されている。 - 特許庁

The liquid crystal display element has a block layer comprising polyvinyl alcohol having 80 to 100 mol% saponification between an application type electrode layer and the liquid crystal layer.例文帳に追加

塗布型電極層と液晶層の間にけん化度８０ｍｏｌ％以上１００ｍｏｌ％以下のポリビニールアルコールからなるブロック層を有する液晶表示素子。 - 特許庁

Also, the piezoelectric element 22 includes at least a first electrode layer 222, a second electrode layer 226, and a piezoelectric layer 223 positioned between them.例文帳に追加

また、圧電体素子２２は、少なくとも、第１の電極層２２２と、第２の電極層２２６と、これらの間に位置する圧電体層２２３とを有している。 - 特許庁

In the IC element, a conductor constituting an electric coil 3 has a multilayer structure that comprises a metal sputter layer or a metal evaporation layer 6 and a metal plating layer 7.例文帳に追加

ＩＣ素子については、コイル３を構成する導体を、金属スパッタ層又は金属蒸着層６と金属めっき層７とを有する多層構造にした。 - 特許庁