「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain an active layer and an element structure having excellent light emitting efficiency in a short wavelength region of 380 nm in a semiconductor element, particularly in a light emitting element using a nitride semiconductor and a laser element.例文帳に追加

半導体素子、特に窒化物半導体を用いた発光素子、レーザ素子において、３８０ｎｍの短波長域における発光効率に優れた活性層、及び素子構造を実現する。 - 特許庁

To provide an electrode substrate and a photoelectric conversion element capable of avoiding short circuit due to direct contact between an electrolyte layer or an electric charge transferring layer of a photoelectric conversion element and a transparent conductive layer or a metal wiring layer, and suppressing the degradation of the output characteristic of the photoelectric conversion element.例文帳に追加

光電変換素子の電解質層または電荷移送層と、透明導電層や金属配線層との直接接触による短絡を回避すると共に、光電変換素子の出力特性の低下をも抑制できる電極基板および光電変換素子を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a current constriction structure is disposed in the laser element 30, and thicknesses of an n-type optical guide layer 22 and a p-type optical guide layer 24 in the laser element 20 are larger than those of an n-type optical guide layer 32 and a p-type optical guide layer 34 in the laser element 30.例文帳に追加

そして、レーザ素子部３０には電流狭窄構造が設けられており、レーザ素子部２０のｎ型光ガイド層２２およびｐ型光ガイド層２４の厚みがレーザ素子部３０のｎ型光ガイド層３２およびｐ型光ガイド層３４の厚みよりも大きくなっている。 - 特許庁

In the method of manufacturing the microlens for the color imaging element, a color filter layer 18 is formed on a flattening layer 16 formed on a photoelectric conversion element 12 in a semiconductor substrate 10 of the imaging element 14, then a photosensitive lens material layer 20 is formed on the filter layer.例文帳に追加

カラー撮像素子のマイクロレンズ製造方法では、撮像素子１４の半導体基板１０の光電変換素子１２上に形成された平坦化層１６の上にカラーフィルター層１８が形成され、次にこのフィルター層上に感光性レンズ材料層２０が形成される。 - 特許庁

The solid state imaging element is constituted by forming an element isolating layer 17 embedded in the groove formed in a semiconductor substrate 16, forming a conductive material layer 26 embedded within this element isolating layer 17, and utilizing such conductive material layer 26 as wiring.例文帳に追加

半導体基板１６に形成された溝内に素子分離層１７が埋め込まれて形成され、この素子分離層１７の内部に導電性材料層２６が埋め込まれて形成され、この導電性材料層２６が配線として用いられる固体撮像素子を構成する。 - 特許庁

The light emitting element 12B in which a blue color light is strengthened and the light emitting element 12R in which a red color light is strengthened have a common pixel electrode layer 18 (18B, 18R) on a side of the reflection layer 14 and also have a common insulating transparent layer 16 between the reflection layer 14 and the light emitting element 12.例文帳に追加

青色の光が強められる発光素子１２Ｂと、赤色の光が強められる発光素子１２Ｒでは、反射層１４側の画素電極層１８（１８Ｂ，１８Ｒ）が共通であり、反射層１４と発光素子１２の間の絶縁性透明層１６も共通である。 - 特許庁

An element area 122 is formed in a part of the active layer 106 of an SOI substrate 100 wherein a p-type base layer 102, an embedded insulating layer 104, and an active layer 106 are stacked, and an element area isolation insulating wall 124 is formed around the element area.例文帳に追加

ｐ型基層１０２と埋め込み絶縁層１０４と活性層１０６が積層されているＳＯＩ基板１００の活性層１０６の一部に素子領域１２２が形成されており、素子領域を一巡する素子領域分離用絶縁壁１２４が形成されている。 - 特許庁

The ferromagnetic semiconductor element includes a substrate 11, a titanium dioxide layer 15 provided on the substrate 11, a transition-element-doped titanium dioxide layer 12 provided on the titanium dioxide layer 15, an electrolyte 13 provided on the transition-element-doped titanium dioxide layer 12, and a gate electrode 14 provided to contact with the electrolyte 13.例文帳に追加

基板１１と、基板１１上に設けた二酸化チタン層１５と、二酸化チタン層１５上に設けた遷移元素ドープ二酸化チタン層１２と、遷移元素ドープ二酸化チタン層１２上に設けた電解液１３と、電解液１３と接触するよう設けたゲート電極１４と、を含む。 - 特許庁

This optical member of the present invention is provided with a light dispersion layer 4 formed between the luminescent layer 2 of the each EL element 10 and a light emitting face of the each EL element 10, and the light dispersion layer 4 is arranged to correspond to arrangement for respectives (2a, 2b, 2c) in the luminescent layer 2 of the each EL element 10.例文帳に追加

本発明に係る光学部材は、ＥＬ素子１０の発光層２とＥＬ素子１０の出射面との間に形成された光拡散層４を備え、光拡散層４は、各ＥＬ素子１０の発光層２のそれぞれ（２ａ、２ｂ、２ｃ）の配置に対応して配置されている。 - 特許庁

The light emitting device is provided with a substrate 1, a light emitting element 4 provided on the substrate 1, a light resonance layer 2 which is located on the outside of the light emitting element 4 and resonates the light emitted from the light emitting element 4, and an intermediate layer 3 interposed between the light resonance layer 2 and the light emitting layer 4.例文帳に追加

基板１と、基板１上に備わった発光素子４と、発光素子４の外側に位置し、発光素子４から放出される光を共振させる光共振層２と、光共振層２と発光素子４との間に介在される中間層３とを備える発光装置である。 - 特許庁

The organic EL element A1, having an organic layer 3, and a transparent electrode layer 2 and a metal electrode layer 5 for sandwiching the organic layer 3, includes dielectric layers 4A, 4B interposed between the organic layer 3 and the transparent electrode layer 2 as well as the metal electrode layer 5.例文帳に追加

有機層３と、有機層３を挟む透明電極層２および金属電極層５と、を有する有機ＥＬ素子Ａ１であって、有機層３と透明電極層２および金属電極層５との間に介在する誘電体層４Ａ，４Ｂを備える。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element comprises a first semiconductor layer of a first conductivity type, a second semiconductor layer of a second conductivity type, a luminescent layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, a first electrode layer, and a second electrode layer.例文帳に追加

半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。 - 特許庁

In a semiconductor element, an AlGaN buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN contact layer 4, an n-type InGaN crack preventing layer 5, an n-type AlGaN clad layer 6, an MQW active layer 7, and a p-type AlGaN clad layer 8 are successively on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１上にＡｌＧａＮバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮコンタクト層４、ｎ−ＩｎＧａＮクラック防止層５、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層６、ＭＱＷ活性層７およびｐ−ＡｌＧａＮクラッド層８が順に形成されている。 - 特許庁

The capacitor element 4 includes a diffusion layer 12b in the surface region of the semiconductor substrate 10, a gate insulating layer 15b on the diffusion layer 12b, a second polysilicon layer 13b on the gate insulating layer 15b, and a second silicide layer 14b on the second polysilicon layer 13b.例文帳に追加

容量素子４は、半導体基板１０の表面領域の拡散層１２ｂと、拡散層１２ｂ上のゲート絶縁層１５ｂと、ゲート絶縁層１５ｂ上の第２ポリシリコン層１３ｂと、第２ポリシリコン層１３ｂ上の第２シリサイド層１４ｂとを備える。 - 特許庁

The compound semiconductor light emitting element comprises a lower clad layer, an In-containing active layer formed on the clad layer, an evaporation preventing layer formed on the active layer, and an upper clad layer formed on the evaporation preventing layer.例文帳に追加

本発明の化合物半導体発光素子は、下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に形成されたＩｎを含む活性層と、前記活性層上に形成された蒸発防止層と、前記蒸発防止層上に形成された上部クラッド層とを含むものである。 - 特許庁

The second optical semiconductor element 20 includes: a first cladding layer 23; an optical active layer 21 and a second optical waveguide layer 22 that are optically connected to each other; a second cladding layer 24 on the optical active layer 21; and a thin third cladding layer 27 on the second optical waveguide layer 22.例文帳に追加

第２光半導体素子２０は、第１クラッド層２３、光学的に接続された光活性層２１及び第２光導波路層２２、光活性層２１上の第２クラッド層２４、及び第２光導波路層２２上の薄い第３クラッド層２７を含む。 - 特許庁

According to an embodiment, a semiconductor light-emitting element comprises a first semiconductor layer including a layer of a first conductivity type, a second semiconductor layer including a layer of a second conductivity type and a light-emitting layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、第１導電形の層を含む第１半導体層と、第２導電形の層を含む第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

The light-emitting layer contains a parent material of a compound composed of a second group element and a 16th group element or a 12th group element and a 16th group element, and an impurity element of an emission center.例文帳に追加

発光層は、第２族の元素と第１６族の元素を含む化合物または第１２族の元素と第１６族の元素を含む化合物である母体材料と発光中心である不純物元素とを含んでいる。 - 特許庁

Therefore, if the middle element is tilted by collision between the striking element and the middle element and collision between the middle element and the tip end tool, impact is absorbed by the elastic member layer, so that the middle element is prevented from colliding with an inner wall of the cylinder.例文帳に追加

これにより打撃子と中間子の衝突、中間子と先端工具の衝突により中間子が傾いても弾性部材層にて衝撃を吸収し、シリンダの内壁に衝突することはない。 - 特許庁

The rare earth magnet 1 is provided with a magnet element material 2 including a rare earth element and a metal element other than the rare earth element, and a protecting layer 4 formed on the front surface of this magnet element material 2.例文帳に追加

好適な実施形態の希土類磁石１は、希土類元素及び希土類元素以外の金属元素を含む磁石素体２と、この磁石素体２の表面上に形成された保護層４とを備える。 - 特許庁

A non-magnetic metal element layer being an underlayer is provided between the substrate 2 and the amorphous magnetic layer 4, and average roughness Ra of this non-magnetic metal element layer surface is in a range of 0.7∼2.0 nm.例文帳に追加

また、基板２と非晶質磁性層４との間に下地層３である非磁性金属元素層を備え、この非磁性金属元素層表面の平均粗さＲａが、０．７〜２．０ｎｍの範囲となっている。 - 特許庁

The oxide semiconductor light emitting element is provided with a p-type MgZnO carrier barrier layer 4 between a nondoped CdZnO emission layer 3 and a p-type MgZnO clad layer 5 in a ZnO based light emitting diode element 10.例文帳に追加

ＺｎＯ系発光ダイオード素子１０におけるノンドープＣｄＺｎＯ発光層３とｐ型ＭｇＺｎＯクラッド層５との間に、ｐ型ＭｇＺｎＯキャリア障壁層４を設けている。 - 特許庁

An interfacial surface between the impurity layer 103 and the silicide layer 106B is lower than the upper surface of the element isolation region 102, and the silicide layer 106B covers an upper part corner of the element isolation region 102.例文帳に追加

不純物層１０３とシリサイド層１０６Ｂとの界面は、素子分離領域１０２の上面よりも低く、シリサイド層１０６Ｂは素子分離領域１０２の上部コーナーを覆っている。 - 特許庁

The upper layer structure is provided with at least one occlusal element 38 having a given occlusal surface, and especially, the upper layer structure is supported on the lower layer structure through a connecting element such as a connecting material 26.例文帳に追加

上層構造は所与の咬合面を有する少なくとも１つの咬合要素３８備え、この上層構造は特に結合材料２６等の結合要素を介して下層構造上に支持される。 - 特許庁

Whether or not any inter-layer connection element necessary for the layer change of a return current route exists within a check range including the detected check point is decided by an inter-layer connection element check means 120.例文帳に追加

層間接続要素チェック手段１２０により、検出されたチェックポイントを含むチェック範囲内にリターン電流ルートの層変更に必要な層間接続要素が存在するか否かを判定する。 - 特許庁

This superconducting cable is provided with the core material, a conductor layer with a superconducting element wire wound spirally around the core material, an electrically insulated layer, and a magnetic shielding layer around which a superconducting element wire is spirally wound.例文帳に追加

芯材と、芯材上に超電導素線を螺旋状に巻き付けた導体層と、電気絶縁層と、超電導素線を螺旋状に巻き付けた磁気遮蔽層とを具える超電導ケーブルである。 - 特許庁

A continuous potential gradient linearly descending in the incidence-side resistance element layer 13 and projection-side resistance element layer 15 generates a Z-directional uniform electric field at a liquid crystal layer 18.例文帳に追加

入射側抵抗体層１３及び出射側抵抗体層１５でＺ方向に直線状に降下する連続的な電位勾配は、液晶層１８にＺ方向の均一な電界を生じさせる。 - 特許庁

The element further comprises a nitride semiconductor layer group constituted of, for example, a conductive layer 3 or the like containing at least one selected from the group consisting of Al, Ga and In on the layer 2 in addition to performing function as an element.例文帳に追加

そして、下地層２上に、素子としての機能を果たし、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎの少なくとも一つを含む、例えば導電層３などから構成される窒化物半導体層群を形成する。 - 特許庁

The dielectric layer is patterned, the first electric conductive layer of the region is exposed where a third fuse element (F3) is arranged, while leaving a dielectric layer (4i) in the region where a second fuse element (F2) is arranged.例文帳に追加

誘電体層をパターニングし、第２ヒューズ素子（Ｆ２）が配置される領域に誘電体層（４ｉ）を残すと共に、第３ヒューズ素子（Ｆ３）が配置される領域の第１導電層を露出させる。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element including an organic layer sandwiched in between two electrodes, the organic electroluminescent element contains a compound represented by general formula (1), in at least one layer of the organic layer.例文帳に追加

２つの電極間に挟持された有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、有機層の少なくとも１層に、下記一般式（１）で示される化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

An element layer 30 composed of a group III nitride-based compound semiconductor layer is formed on a sapphire substrate 10, and a second separating groove 22 is formed on a second surface 12 on a side where the element layer is formed.例文帳に追加

サファイア基板１０上にIII族窒化物系化合物半導体層から成る素子層３０を形成し、素子層が形成されている側の第２の面１２に第２の分離溝２２が形成される。 - 特許庁

The connection wiring 6 includes a first polysilicon layer 13a above a substrate 10, and a first silicide layer 14a which connects the resistance element 3 and the capacitor element 4 and is on the first polysilicon layer 13a.例文帳に追加

接続配線６は、基板１０上方の第１ポリシリコン層１３ａと、抵抗素子３と容量素子４とを接続し第１ポリシリコン層１３ａ上の第１シリサイド層１４ａとを備える。 - 特許庁

To provide a luminous element that is capable of more increasing a substantial reflectance ratio with a metal layer and is superior in light extraction efficiency, in the luminous element in which the luminous layer is covered with the metal layer.例文帳に追加

発光層部を金属層で覆った発光素子において、金属層による実質的な反射率をより高めることができ、ひいては光取出し効率により優れた発光素子を提供する。 - 特許庁

The element further comprises a nitride semiconductor layer group constituted of, for example, a conductive layer 3 or the like containing at least one selected from among a group, consisting of Al, Ga and In on the layer 2 in addition to performing function as an element.例文帳に追加

そして、下地層２上に、素子としての機能を果たし、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎの少なくとも一つを含む、例えば導電層３などから構成される窒化物半導体層群を形成する。 - 特許庁

Internal stress, acting on the element forming layer 20 formed on the seed crystal layer 13, is distributed by the second opening 13a2, and the occurrence of cracking in the element forming layer 20 is suppressed.例文帳に追加

第２の開口１３ａにより種結晶層１３上に形成された素子形成層２０に働く内部応力が分散され、素子形成層２０にクラックが発生することが抑制される。 - 特許庁

The optical element for the liquid crystal projector has a polarizing element and an optically anisotropic layer and the optical average director of the optically anisotropic layer are not parallel to the plane direction and normal direction of the optically anisotropic layer.例文帳に追加

偏光素子と光学異方層を有し、光学異方層の光学的な平均ダイレクタが、光学異方層の平面方向および法線方向と平行でない液晶プロジェクタ用光学素子。 - 特許庁

Subsequently, a piezoelectric composite oxide layer 5 containing a lead element is formed on the lower electrode layer 4 via a heating process and an upper electrode layer 6 is formed thereon thus manufacturing a piezoelectric element 1.例文帳に追加

次いで、下部電極層４上に、鉛元素を含有する圧電性複合酸化物層５を加熱工程を経て形成し、その上に上部電極層６を形成することによって、圧電素子１を得る。 - 特許庁

A gap, formed between the semiconductor element 5 and the nickel plating layer on the circuit layer 3 by the supporting protrusion 9, is filled with solder to form a solder layer 6 for fixing the semiconductor element 5 in place.例文帳に追加

支持突起９によって半導体素子５と回路層３上のニッケルメッキ層の間にできた隙間にはんだを充填し、そこに半導体素子５を固定するためのはんだ層６を形成する。 - 特許庁

Bump electrodes 60 integrally formed with the wiring layer 50 and protruding from the wiring layer 50 toward the insulating resin layer 40 are electrically connected to the element electrodes provided in the semiconductor element 20.例文帳に追加

配線層５０と一体的に形成され、配線層５０から絶縁樹脂層４０側に突出している突起電極６０は、半導体素子２０に設けられた素子電極と電気的に接続されている。 - 特許庁

This separator for the fuel cell is formed by being laminated in order of a base material layer, an intermediate layer and a conductive thin film layer, and prevents diffusion of the element between the conductive thin film layer and the base material layer, by arranging a mixed layer in at least one between the base material layer and the intermediate layer and between the intermediate layer and the conductive thin film layer.例文帳に追加

基材層、中間層及び導電性薄膜層の順に積層されてなり、基材層と中間層との間、及び、中間層と導電性薄膜層との間の少なくとも一方に混合層を設けることにより、導電性薄膜層と基材層との間での元素拡散を防止する燃料電池用セパレータである。 - 特許庁

The magneto-resistive element, formed on a substrate and having a spin-valve magneto-resistive structure including a free layer and a pinned layer separated by a non-magnetic spacer layer, includes layers of a third ferromagnetic layer-a second antiparallel coupling layer-a second ferromagnetic layer-a first antiparallel coupling layer-a first ferromagnetic layer-an antiferromagnetic layer formed on the top of said spacer layer.例文帳に追加

基板上に形成され、非磁性スぺーサ層により分離されているフリー層と固定層を含むスピンバルブ磁気抵抗構造において、前記スぺーサ層の上部に、第３強磁性層−第２反平行結合層−第２強磁性層−第１反平行結合層−第１強磁性層−反強磁性層を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a coating liquid for an element separation material or the like, capable of forming an element separation layer having high breakdown voltage.例文帳に追加

絶縁破壊電圧の高い素子分離層を形成することができる素子分離材料用塗布液等を提供する。 - 特許庁

The central layer 2 contains an easily sinterable metallic element(s) as the main component(s) and a hardly sinterable metallic element(s) as an auxiliary component(s).例文帳に追加

中心層２は、易焼結性金属元素を主成分とし、難焼結性金属元素を副成分とする。 - 特許庁

The first plasma generating element 7A and the second plasma generating element 7B have dielectrics 101 and insulating layer 102.例文帳に追加

第一プラズマ発生素子７Ａと第二プラズマ発生素子７Ｂは、ともに誘電体１０１と絶縁層１０２とを備える。 - 特許庁

FORMING METHOD OF PHASE-CHANGE MATERIAL LAYER, FORMING METHOD OF PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT USING THE METHOD, AND PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

相変化物質層の形成方法、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法、及び相変化記憶素子 - 特許庁