「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

IMAGE FORMING ELEMENT CONTAINING METAL OXIDE-BASED PIGMENT AND BINDER ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER例文帳に追加

金属酸化物系顔料−バインダー導電層を含んでなる像形成要素 - 特許庁

The piezoelectric element 100 comprises a base 1, a buffer layer 30 and a driving unit 40.例文帳に追加

圧電素子１００は、基体１と、バッファ層３０と、駆動部４０と、を含む。 - 特許庁

ORGANIC THIN FILM SOLAR CELL ELEMENT AND COATING LIQUID FOR FORMING PHOTOELECTRIC CONVERSION LAYER例文帳に追加

有機薄膜太陽電池素子および光電変換層形成用塗工液 - 特許庁

A semiconductor element of the electric circuit has a semiconductor layer on a gate electrode.例文帳に追加

電気回路の半導体素子はゲート電極上に半導体層を有する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, AND SUBSTRATE WITH PHOTOELECTRIC CONVERSION SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

光電変換素子の製造方法及び光電変換半導体層付き基板 - 特許庁

OXIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING INSULATING LAYER, AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置 - 特許庁

ELECTROLUMINESCENT ELEMENT WITH LEAD BROMIDE SYSTEM LAYERED PEROVSKITE COMPOUND AS LUMINESCENT LAYER例文帳に追加

臭化鉛系層状ペロブスカイト化合物を発光層とした電界発光素子 - 特許庁

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT CONTAINING DIHYDROPHENAZINE DERIVATIVE IN POSITIVE ELECTRODE BUFFER LAYER例文帳に追加

ジヒドロフェナジン誘導体を陽極バッファー層に含有する有機電界発光素子 - 特許庁

This is an organic EL element in which an organic layer 5 is clipped by a a pair of electrodes.例文帳に追加

有機層５を一対の電極で挟持してなる有機ＥＬ素子である。 - 特許庁

An adhesive layer is provided on the substrate so as to cover the control element.例文帳に追加

前記基板上に前記制御素子を覆うように接着層が設けられる。 - 特許庁

The organic electroluminescent element has a luminescent layer made from at least either of the organometal complexes.例文帳に追加

この有機金属錯体を発光層に含有する有機電界発光素子。 - 特許庁

The circuit element 6 is mounted to the predetermined region of the insulating resin layer 5.例文帳に追加

回路素子６は所定の領域の絶縁樹脂層５の上に装着される。 - 特許庁

The reflecting layer 109 is an anode 109 of the organic EL display element 22.例文帳に追加

また、反射層（１０９）は、有機ＥＬ表示素子（２２）のアノード（１０９）である。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT, INCLUDING SURFACE PREPARATION PROCESS FOR PHASE-CHANGE LAYER例文帳に追加

相変化層の表面処理工程を含む相変化メモリ素子の製造方法 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR RUBBING ALIGNMENT LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

配向膜ラビングシステム及び方法、並びに液晶表示素子の製造方法 - 特許庁

LIQUID CRYSTAL ALIGNING AGENT, LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT LAYER, LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT, AND OPTICAL MEMBER例文帳に追加

液晶配向剤、液晶配向膜、液晶表示素子および光学部材 - 特許庁

To manufacture a light emitting element array without separation of a metal reflection layer.例文帳に追加

金属反射層を分離することなく発光素子アレイが作製可能とする。 - 特許庁

The high refractive index layer 4 is made of a TiO_2 film in which a metallic element is doped.例文帳に追加

高屈折率層４は、金属元素をドープしたＴｉＯ_２膜よりなる。 - 特許庁

A heat dissipating plate is fixed onto a protective film 7 via an adhesive layer, and the protective layer has a planarizing layer to cover the organic electroluminescent element part, and a shield layer to interrupt bad influence to the organic electroluminescent element part, when curing the adhesive layer, in this order.例文帳に追加

保護膜７上に接着層を介して放熱板が固定されるとともに、保護膜が、有機エレクトロルミネッセンス素子部を被覆する平坦化層と、接着層を硬化する際の有機エレクトロルミネッセンス素子部への悪影響を遮断するシールド層とをこの順に有する。 - 特許庁

A shield element 20 is positioned between the base re-wiring layer and the adhesive layer and is generally aligned with the opening formed in the base re-wiring layer and the window of the adhesive layer such that only a perimeter of the shield element is attached to the adhesive layer.例文帳に追加

シールド要素２０はベース再配線層と接着剤層との間に配置され、シールド要素の周囲部のみが接着剤層に装着されるように、シールド要素は、ベース再配線層に形成された開口部及び接着剤層の窓部とほぼ位置合わせされる。 - 特許庁

An NPN-HBT is provided with a collector diffusion layer 57 which is formed simultaneously with the N^+ type layer 56 of the element VAR, a collector layer 59, and an Si/SiGe layer 79 which is epitaxially grown simultaneously with the P^+ type layer 21 of the element VAR.例文帳に追加

ＮＰＮ−ＨＢＴは、可変容量素子ＶＡＲのＮ^+ 層５６と同時に形成されたコレクタ拡散層５７と、コレクタ層５９と、可変容量素子のＰ^+ 層２１と同時にエピタキシャル成長により形成されたＳｉ／ＳｉＧｅ層７９とを備えている。 - 特許庁

A high-melting-point layer 16A is formed on one surface of the semiconductor element 5 through a low-melting-point layer 15, and a bonding material layer 17A is formed on the one surface of the semiconductor element 5 to cover the low-melting-point layer 15 and high-melting-point layer 16A.例文帳に追加

半導体素子５の一面上に低融点層１５を介して高融点層１６Ａが形成されていると共に、半導体素子５の一面上に低融点層１５及び高融点層１６Ａを覆うように接合材料層１７Ａが形成されている。 - 特許庁

An image forming element comprises a base material polyester layer, an absorbing polyester layer on the base material layer and a gloss polymer layer on the absorbing layer and the image forming element has a 60° Gardner gloss of higher than 30%.例文帳に追加

基材ポリエステル層、前記基材層の上にある吸収性ポリエステル層、および前記吸収性層の上にある光沢ポリマー層を含んで成る画像形成要素であって、前記要素が３０％を超える６０度ガードナー光沢を有している画像形成要素。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a semiconductor element 12, a conductive layer 18 on which the semiconductor element 12 is mounted and a plurality of conductive wires 16 interposed between the semiconductor element 12 and the conductive layer 18 for connecting the semiconductor element 12 and the conductive layer 18.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体素子１２と、半導体素子１２が搭載される導電層１８と、半導体素子１２と導電層１８との間に介装され、半導体素子１２と導電層１８とを接続する複数の導電性の線材１６とを備える。 - 特許庁

A starting element for a magnetic resistance effect device is provided with a TMR element 20R, a bias magnetic field inductive layer 8R formed to cover the TMR element 20R, and a front flux probing layer 10R formed on the bias magnetic field inductive layer 8R to guide the signal flux the TMR element 20R.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置用素材は、ＴＭＲ素子２０Ｒと、ＴＭＲ素子２０Ｒを覆うように形成されたバイアス磁界誘導層８Ｒと、バイアス磁界誘導層８Ｒの上に形成され、ＴＭＲ素子２０Ｒに信号磁束を導くフロントフラックスプローブ層１０Ｒとを有している。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a support substrate, a bulk element region having a first element formed in a bulk growth layer on the substrate, an SOI element region having an element formed in a silicon layer on an embedding insulating film on the substrate, and a boundary layer disposed in the boundary of these regions.例文帳に追加

半導体装置は、支持基板と、支持基板上のバルク成長層に第１の素子が形成されるバルク素子領域と、支持基板上の埋め込み絶縁膜上のシリコン層に素子が形成されるＳＯＩ素子領域と、これら領域の境界に位置する境界層を有する。 - 特許庁

A stress relaxing layer 42 made of a material same as that of an organic layer of the organic EL element is formed on a cathode 40 of the organic EL element, and a moisture blocking layer 44 made of a material same as that of the cathode 40 is formed on the stress relaxing layer 42.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の陰極４０の上に有機ＥＬ素子の有機層と同じ材料からなる応力緩和層４２を形成し、その上に陰極４０と同じ材料からなる水分ブロック層４４を形成する。 - 特許庁

A conductive layer equipped with a silicide layer 103 is formed on a diffusion layer 105 in a region sandwiched in between element isolation oxide films 104 on a silicon substrate 101, and a polysilicon film 106 is formed on all the surfaces of the element isolation oxide films 104 and the silicide layer 103 (c).例文帳に追加

シリコン基板１０１上の素子分離酸化膜１０４に挟まれた領域内に、拡散層１０５上にシリサイド層１０３を有する導電性層を形成し、その上全面にポリシリコン膜１０６を形成する（ｃ）。 - 特許庁

In the device, out of a three-layer laminate, a hole transporting layer and an electron transporting layer are used as a common layer, and only the luminous layers of a light-emitting element emitting red color, green color, or blue color in one chamber are coated distinctly for each picture element.例文帳に追加

本発明は、３層積層のうち、正孔輸送層と電子輸送層を共通の層として用い、１つのチャンバーで赤色、緑色、または青色を発光する発光素子の発光層のみを画素毎で塗り分ける。 - 特許庁

In this optical waveguide element constituted of a substrate, a buffer layer formed on the substrate, a core formed on the buffer layer, and a cladding layer placed on the core, the optical waveguide element is characterized by a metallic film formed between the substrate and the buffer layer.例文帳に追加

基板と、該基板上に形成したバッファ層と、該バッファ層上に形成したコアと、該コア上に被せたクラッド層とから成る光導波路素子において、前記基板と前記バッファ層との間に金属膜を形成したことにある。 - 特許庁

On the surface of a substrate, a magnetoresistance effect element layer 11 and a reference resistance layer 21 are connected in series and formed thereon, and a reference resistance layer 22 and a magnetoresistance effect element layer 12 are connected in series and formed thereon.例文帳に追加

基板の表面に、磁気抵抗効果素子層１１と参照抵抗層２１とが直列に接続されて形成され、参照抵抗層２２と磁気抵抗効果素子層１２とが直列に接続されて形成されている。 - 特許庁

To provide a formation method of an inter-element separation layer capable of improving controllability in a polishing step of an insulating film formed on a semiconductor substrate and capable of forming the inter-element separation layer having excellent inter-element separation performance.例文帳に追加

半導体基板上に形成された絶縁膜の研磨工程における制御性を向上させ、優れた素子間分離性能を有する素子間分離層を形成する方法を提供する。 - 特許庁

The system comprises a semiconductor layer 10, an element isolation insulating layer 20 that comparts an element formation region 10HV, and an insulated gate field effect transistor 100 provided in the element formation region 10HV.例文帳に追加

半導体層１０と、素子形成領域１０ＨＶを画定する素子分離絶縁層２０と、前記素子形成領域１０ＨＶに設けられた絶縁ゲート型電界効果トランジスタ１００。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element which has a high-density impurity layer formed by ion injection at an element separation region end so that the element separation region does not come into contact with a depletion layer, pixel portions being downscaled.例文帳に追加

素子分離領域に空乏層が接しないように、イオン注入により高濃度不純物層を素子分離領域端に形成した固体撮像素子において、画素部の微細化を図る。 - 特許庁

A heating element generating heat by electromagnetic induction is wrapped up by a resin, and the thickness of a resin layer that is located outside from the heating element is made larger than the thickness of the resin layer that is located inside from the heating element.例文帳に追加

電磁誘導により発熱する発熱体が樹脂でくるまれてなるとともに、該発熱体よりも内側の樹脂層の厚さよりも該発熱体よりも外側の樹脂層の厚さを厚くした。 - 特許庁

To provide a coating liquid for element isolation material which hardly generates peeling between a substrate and an element isolation layer or cracks thereof and can form a flat element isolation layer on a substrate having a concave groove.例文帳に追加

基板と素子分離層との剥離やクラックが発生し難く、凹状の溝を有する基板上に平坦な素子分離層を形成することができる素子分離材料用塗布液等を提供する。 - 特許庁

The semiconductor element 10 is positioned at the element loading position of a circuit board 20, and the solder bump 16 on an electrode layer 14 of the semiconductor element 10 is soldered with an electrode layer 22 of a circuit board 20.例文帳に追加

回路基板２０の素子搭載位置に半導体素子１０を位置合わせし、半導体素子１０の電極層１４上のはんだバンプ１６を回路基板２０の電極層２２にはんだ接合する。 - 特許庁

When the absorption layer is formed in the element, reliability of the element can be improved as well as the service life of the element can be extended by removing moisture.例文帳に追加

吸収層を素子の内部に構成すると、水分の除去によって素子の寿命を延ばせると同時に、素子の信頼性を改善することができる。 - 特許庁

The thin-film resistance contact sensor element is formed on a layer which is higher than the second thin-film resistance heater element and is located closer to the floating surface than to the position of the second heater element.例文帳に追加

薄膜抵抗接触センサ素子は、第２薄膜抵抗ヒータ素子よりも上層に形成されており、第２ヒータ素子よりも前記浮上面に近い。 - 特許庁

With the side in the thickness direction of the evaluation element 5 down, the evaluation element 5 is obliquely polished so as to enlarge the width of the parallel pn layer 2 of the evaluation element 5.例文帳に追加

評価素子５の厚さ方向の辺を下にして、評価素子５の並列ｐｎ層２の幅が拡大するように、評価素子５を斜めに研磨する。 - 特許庁

To provide an element having improved conversion efficiency in a stacked photovoltaic element including an intermediate layer, and to provide a method for manufacturing the stacked photovoltaic element.例文帳に追加

中間層を有する積層型光起電力素子において、変換効率の向上した素子およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the compound semiconductor element, a first element isolation portion 9 reaching a buffer layer 2 from a surface of the element in the thickness direction of a substrate 1 is formed.例文帳に追加

化合物半導体素子において、素子表面から基板１の厚さ方向にバッファ層２まで達する第１の素子分離部９を形成する。 - 特許庁

A movable piece 22a constitutes a first bimetal element and a second bimetal element 24 is laminated on the second bimetal element 24 through an insulation layer 26.例文帳に追加

可動片２２ａは、第１のバイメタル要素を構成し、拡散抵抗層２５上には、絶縁層２６を介して第２のバイメタル要素２４が積層されている。 - 特許庁

The film 13 is a semiconductor thin film which functions as a light absorbing layer, and contains a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element.例文帳に追加

化合物半導体薄膜１３は、光吸収層として機能する半導体薄膜であり、Ｉｂ族元素、IIIｂ族元素およびVIｂ族元素を含む。 - 特許庁

This wire 3 has the element wire 1, and the insulation layer 2 covering the surface of the element wire 1 in a part in the lengthwise direction of the element wire 1.例文帳に追加

本発明に係るワイヤ３は、素線１と、素線１の長さ方向の一部において素線１の表面を覆う絶縁物質層２を有する。 - 特許庁