「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

The polishing pad 12 may have further a polishing laminated element 6 laminated with a supporting layer 11 as a composing element.例文帳に追加

研磨パッド１２は、さらに支持層１１を積層した研磨用積層体６を構成要素としても良い。 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR MULTI-LAYER STRUCTURE, ITS MANUFACTURING METHOD, COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING IT, AND LUMINOUS ELEMENT例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体積層構造体、その製造方法、及びそれを用いた化合物半導体素子、発光素子 - 特許庁

To suppress curving of a semiconductor device, having a semiconductor element built in an insulating layer, near the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子を絶縁層内に内蔵する半導体装置において、半導体素子近傍の反りを抑制する。 - 特許庁

The metal layer 3 is formed on the other surface of the photoelectric converting element in contact with the photoelectric converting element 1.例文帳に追加

金属層３は、光電変換素子１の他方の表面に光電変換素子１に接して形成される。 - 特許庁

The organic EL element has a luminescent layer formed of the composition for the organic EL element.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子は、上記の有機エレクトロルミネッセンス素子用組成物により形成された発光層を有する。 - 特許庁

A silicon substrate having a silicon CMOS element is prepared (12), and an insulating layer is formed on the top of the element (14).例文帳に追加

シリコンＣＭＯＳ素子を有するシリコン基板を準備し（１２）、該素子の上部に絶縁層を形成する（１４）。 - 特許庁

The metal layer 2 is formed on one surface of the photoelectric converting element in contact with the photoelectric converting element 1.例文帳に追加

金属層２は、光電変換素子１の一方の表面に光電変換素子１に接して形成される。 - 特許庁

ELECTRODE FOR ELECTROCHEMICAL ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRICAL DOUBLE LAYER CAPACITOR USING ELECTRODE FOR ELECTROCHEMICAL ELEMENT例文帳に追加

電気化学素子用電極、その製造方法および該電気化学素子用電極を用いた電気二重層キャパシタ - 特許庁

PATTERN FORMING METHOD, ELECTRON ELEMENT HAVING PATTERN FORMATION LAYER USING THE SAME, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT例文帳に追加

パターン形成方法並びにそれを用いてパターン形成した層を有する電子素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子 - 特許庁

One electrode of the organic EL element 23 is commonly used as a metallic layer 22b on the heat absorbing side of the Peltier element 22.例文帳に追加

有機ＥＬ素子２３は一方の電極がペルチェ素子２２の吸熱側の金属層２２ｂと共用されている。 - 特許庁

The semiconductor laser element (semiconductor element) 10 is provided with a semiconductor element layer 12, and an electrode layer 13 arranged on the major surface of the semiconductor element layer 12, wherein level differences 10c and 10d extending in the Y direction and level differences 10e and 10f extending in the X direction are formed on the major surface of the semiconductor element layer 12.例文帳に追加

この半導体レーザ素子（半導体素子）１０は、半導体素子層１２と、半導体素子層１２の主表面上に配置された電極層１３とを備え、半導体素子層１２の主表面には、Ｙ方向に延びる段差部１０ｃおよび１０ｄと、Ｘ方向に延びる段差部１０ｅおよび１０ｆとが形成されている。 - 特許庁

The magnetoresistive element comprises: a first ferromagnetic tunnel junction element where a first fixed layer, a first tunnel insulating film and a first free layer are laminated; and a second ferromagnetic tunnel junction element where a second fixed layer, a second tunnel insulating film and a second free layer are laminated, the second ferromagnetic tunnel junction element being connected to the first ferromagnetic tunnel junction element in series.例文帳に追加

磁気抵抗素子は、第１固定層、第１トンネル絶縁膜および第１自由層が積層される第１強磁性トンネル接合素子と、第２固定層、第２トンネル絶縁膜および第２自由層が積層され、第１強磁性トンネル接合素子に直列に接続される第２強磁性トンネル接合素子とを有している。 - 特許庁

The photoelectric conversion device is provided with the photoelectric conversion element and an element isolation region disposed to a semiconductor substrate, and has a plurality of inter-layer insulating layers including a first inter-layer insulating layer disposed most closely to the semiconductor substrate and a second inter-layer insulating layer disposed covering the first inter-layer insulating layer.例文帳に追加

光電変換装置は、半導体基板に配された光電変換素子と素子分離領域とを有し、半導体基板に最も近接して配された第１の層間絶縁層と、第１の層間絶縁層を覆って配された第２の層間絶縁層と、を含む複数の層間絶縁層とを有する。 - 特許庁

The magnetoresistive effect element includes a first magnetic layer 14; a tunnel barrier layer 16 provided on the first magnetic layer; a second magnetic layer 18a provided on the tunnel barrier layer and containing CoFe; and a nonmagnetic layer 19, provided on the second magnetic layer and containing nitrogen and at least one element selected from the group consisting of B, Ta, Zr, Al, and Ce.例文帳に追加

第１磁性層１４と、第１磁性層上に設けられたトンネルバリア層１６と、トンネルバリア層上に設けられＣｏＦｅを含む第２磁性層１８ａと、第２磁性層上に設けられ、Ｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｃｅのうちの少なくとも１つの元素および窒素を含む非磁性層１９と、を備えている。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser element 100 (semiconductor light-emitting element) includes: an active layer 14 containing In; a p-type cladding layer 18 formed on the active layer 14; and an undoped AlGaN layer 16 and a p-type AlGaN layer 17 formed between the active layer 14 and the p-type cladding layer 18.例文帳に追加

この窒化物半導体レーザ素子１００（半導体発光素子）は、Ｉｎを含む活性層１４と、活性層１４上に形成されたｐ型クラッド層１８と、活性層１４とｐ型クラッド層１８との間にそれぞれ形成された、アンドープＡｌＧａＮ層１６およびｐ型ＡｌＧａＮ層１７とを備えている。 - 特許庁

The nitrile rubber-metal laminated gasket material is constituted by successively laminating a surface treatment agent layer, which contains a zirconium element, a phosphorus element and an aluminum element, a silica-containing resinous vulcanized adhesive layer and a nitrile rubber layer on a stainless steel sheet.例文帳に追加

ステンレス鋼板上に、ジルコニウム元素、リン元素およびアルミニウム元素を含有する表面処理剤層、シリカ含有樹脂系加硫接着剤層およびニトリルゴム層を順次積層してなるニトリルゴム-金属積層ガスケット素材。 - 特許庁

The fluororubber-metal laminated gasket material is constituted by successively laminating a surface treatment agent layer, which contains a zirconium element, a phosphorus element and an aluminum element, a silica-containing resinous vulcanized adhesive layer and a fluororubber layer on a stainless steel sheet.例文帳に追加

金属鋼板上に、ジルコニウム元素、リン元素およびアルミニウム元素を含有する表面処理剤層、シリカ含有樹脂系加硫接着剤層およびフッ素ゴム層を順次積層してなるフッ素ゴム-金属積層ガスケット素材。 - 特許庁

The element layer 1 is provided with a plurality of organic EL elements 10 which are arranged at different locations within the flat surface of the layer 1.例文帳に追加

素子層１は、各々が平面内の異なる位置に配置された複数の有機ＥＬ素子１０を有する。 - 特許庁

The substrate is made of a material having a thermal coefficient of expansion that is larger than that of the stress relaxation layer and the element formation layer.例文帳に追加

基板は、応力緩和層および素子形成層よりも熱膨張係数の大きな材料からなる。 - 特許庁

To provide an abnormality diagnostic device which is suitable for an oxygen sensor having a diffusion layer in an outer layer part of a detection element.例文帳に追加

検出素子の外層部に拡散層を有する酸素センサに好適な異常診断装置を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing an organic electroluminescent element forms an organic layer such as a light emitting layer by using the composition.例文帳に追加

この組成物を用いて発光層等の有機層を形成する有機電界発光素子の製造方法。 - 特許庁

To provide an abnormality diagnosing device suitable for an oxygen sensor which has a diffusion layer in the outer layer part of a detection element.例文帳に追加

検出素子の外層部に拡散層を有する酸素センサに好適な異常診断装置を提供する。 - 特許庁

Moreover, this element is provided with a first electrode 3 so as to catch the second diamond layer 2 and the first diamond layer 1.例文帳に追加

また、第２のダイヤモンド層２と第１のダイヤモンド層１を挟むように第１の電極３が設けられている。 - 特許庁

A reproduction head of the thin film magnetic head has an MR element 9, a lower shield layer 6 and an upper shield layer.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドの再生ヘッドは、ＭＲ素子９と、下部シールド層６および上部シールド層を有している。 - 特許庁

Each sub picture element includes its light emitting layer 16 and a color filter 192 superposed on the light emitting layer 16.例文帳に追加

各サブ画素は、その発光層１６と、その発光層１６に重なっているカラーフィルタ１９２とを有する。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a semiconductor element, having a metallic wiring layer formed by utilizing an interface adjustment layer.例文帳に追加

界面調節層を用いて金属配線層を形成する半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this method of producing the semiconductor element, an AlN foundation layer is formed preferably 9-18 nm thick on a (La0.29Sr0.71)(Al0.65 Ta0.35) O3 substrate having a perovskite layer.例文帳に追加

ペロブスカイト構造の(La_0.29Sr_0.71)(Al_0.65Ta_0.35)O_3基板上に、AlN下地層を好ましくは９〜１８ｎｍの厚さに形成する。 - 特許庁

To improve the property of an element and reduce processing manhours by enabling the transfer of an electrode layer and an organic layer at the same time.例文帳に追加

電極層と有機層を同時に転写可能とし、素子特性の向上とプロセス工数の低減を画る。 - 特許庁

A hard magnetic layer 9 is arranged to pinch the MR element and applies a bias magnetic field to the free layer 27.例文帳に追加

硬質磁性層９は、ＭＲ素子７を挟むように配置されて、フリー層２７にバイアス磁界を印加する。 - 特許庁

This electron emitting element 1 includes the electron accelerating layer 4 formed of a particulate layer containing at least an insulator particulate.例文帳に追加

電子放出素子１は、電子加速層４が、少なくとも絶縁体微粒子を含む微粒子層からなる。 - 特許庁

COMPOSITION FOR FORMING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD OF PRODUCING P-TYPE DIFFUSION LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT例文帳に追加

ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 - 特許庁

The capacitor element 10 includes an anode 11 including a valve-action metal, a dielectric layer 12 and a cathode layer 13.例文帳に追加

コンデンサ素子１０は、弁作用金属を含む陽極１１と、誘電体層１２と、陰極層１３とを有する。 - 特許庁

The photoelectric conversion element has a photoelectric conversion layer consisting of a semiconductor layer with a dye absorbed by it.例文帳に追加

本発明は、半導体層に色素が吸着されてなる光電変換層を有する光電変換素子である。 - 特許庁

An upper face of the element isolation insulating layer 33 is positioned in a level lower than an upper face of a floating electrode layer 32.例文帳に追加

素子分離絶縁層３３の上面は、浮遊電極層３２の上面よりも低い高さに位置する。 - 特許庁

A laminated wiring section 31 comprises a resin insulation layer 33 and an element mounting area 61 on its surface layer.例文帳に追加

積層配線部３１は、樹脂絶縁層３３を有し、素子搭載領域６１をその表層に有する。 - 特許庁

To enhance the uniformity of the film thickness of a functional layer (for instance, a light-emitting layer) of an operation element.例文帳に追加

本発明の目的は、動作素子の機能層（例えば発光層）の膜厚の均一性を高めることにある。 - 特許庁

The optical switching element 1 includes: a substrate 8; a cladding layer 9; an optical waveguide layer 10; and an electric field applying section.例文帳に追加

光スイッチ素子１は、基板８と、クラッド層９と、光導波路層１０と、電界印加部とを備えている。 - 特許庁

A P-N junction element concerning the present invention is provided with a P-type organic composite layer and an N-type organic composite layer.例文帳に追加

本発明に係るＰ−Ｎ結合素子は、Ｐ型有機複合層と、Ｎ型有機複合層と、を備える。 - 特許庁

N-TYPE DIFFUSION LAYER FORMING COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING N-TYPE DIFFUSION LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT例文帳に追加

ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 - 特許庁

P-TYPE DIFFUSION LAYER FORMING COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE DIFFUSION LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT例文帳に追加

ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 - 特許庁

The red semiconductor laser element 20 is stacked on the conductive layer 32a with the fusible layer H in between.例文帳に追加

導電層３２ａ上には融着層Ｈを介して赤色半導体レーザ素子２０が積層されている。 - 特許庁

The element layer consisting of Mg_xZn_1-xO (here: 0≤x≤1) is grown on the buffer layer 11 through epitaxial growth.例文帳に追加

該バッファ層１１上にＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（ただし、０≦ｘ≦１）からなる素子層をエピタキシャル成長する。 - 特許庁

On both end parts of the fuse element 14, there is provided a terminal electrode 20 with a nickel-plated layer and a solder-plated layer formed.例文帳に追加

可溶体１４の両端部にはニッケルメッキ層と半田メッキ層が形成された端子電極２０を有する。 - 特許庁

The second interface layer does not exist in the first interface layer, and includes an additional element different from Si, O, and N.例文帳に追加

第２の界面層は第１の界面層内になくかつＳｉ、Ｏ及びＮと異なる添加元素を有する。 - 特許庁

IMAGE FORMING ELEMENT CONTAINING ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER CONTAINING ACICULAR METAL-CONTAINING PARTICLES AND TRANSPARENT MAGNETIC RECORDING LAYER例文帳に追加

針状金属含有粒子を含有する導電層および透明磁気記録層を含有している像形成要素 - 特許庁