「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

A routing wiring layer 35a is provided on the semiconductor element 10.例文帳に追加

半導体素子１０上に引き回し配線層３５ａが設けられている。 - 特許庁

The magnetoresistive element is supplied as a spin valve having a synthetic free layer.例文帳に追加

合成自由層を有するスピンバルブとして磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁

An insulating resin layer functioning as a second adhesive layer 10 is filled between the first semiconductor element 5 and the second semiconductor element 9.例文帳に追加

第１の半導体素子５と第２の半導体素子９との間には、第２の接着層１０として機能する絶縁性樹脂層が充填されている。 - 特許庁

PHOTOELECTRIC CONVERSION LAYER STACKED SOLID-STATE IMAGING ELEMENT AND ITS SIGNAL CORRECTION METHOD例文帳に追加

光電変換層積層型固体撮像素子及びその信号補正方法 - 特許庁

FABRICATION OF SEMICONDUCTOR-INSULATION LAYER AND ELEMENT HAVING IT例文帳に追加

半導体—絶縁層の製造方法及びそれを有する素子の製造方法 - 特許庁

5B element is contained as a major compound element on an interface (middle layer 104), between the p-type semiconductor layer 103 and the p-side electrode 105.例文帳に追加

ｐ型半導体層１０３とｐ側電極１０５との界面（中間層１０４）には、主要な構成元素として５Ｂ族元素が含まれる。 - 特許庁

GROWTH METHOD OF SEMICONDUCTOR LAYER AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

半導体層の成長方法および半導体発光素子の製造方法 - 特許庁

The second layer contains at least a rare earth element and oxygen wherein the content ratio of rare earth element to iron is larger than that in the first layer.例文帳に追加

また、第２の層は、少なくとも希土類元素及び酸素を含み、且つ、鉄に対する希土類元素の含有割合が第１の層よりも大きい層である。 - 特許庁

ZnO OXIDE BASED SEMICONDUCTOR LAYER, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ＺｎＯ系半導体層とその製造方法、及び、半導体発光素子 - 特許庁

CAPACITOR HAVING DIELECTRIC LAYER INCLUDING GROUP-17 ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

１７族元素を含む誘電層を有するキャパシタおよびその製造法 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL LAYER例文帳に追加

窒化物半導体素子および窒化物半導体結晶層の成長方法 - 特許庁

AMINE MODIFIED GELATIN LAYER IMPROVED IN ADHESION OF PHOTOGRAPHIC ELEMENT AFTER ANNEALING例文帳に追加

アニーリング後の写真素子の接着性を改良するアミン変性ゼラチン層 - 特許庁

ORGANIC ELECTRONIC STRUCTURE ELEMENT WITH SOLUTION TREATMENT HAVING IMPROVED ELECTRODE LAYER例文帳に追加

改善された電極層を有する溶液処理された有機電子構造素子 - 特許庁

To provide an organic EL element having a good electron injection/transport layer.例文帳に追加

良好な電子注入輸送層を有する有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF EPITAXIAL CONSTITUENT ELEMENT LAYER LINE, AND PHOTOELECTRIC SEMICONDUCTOR CHIP例文帳に追加

エピタキシャル構成素子層列の製造方法および光電半導体チップ - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND WAFER WITH SILICON CARBIDE LAYER例文帳に追加

炭化珪素半導体素子の製造方法および炭化珪素層付ウェハ - 特許庁

HOT-WORKED ALUMINUM ALLOY AND BASE LAYER AND BEARING ELEMENT MADE FROM THE ALLOY例文帳に追加

熱間加工アルミニウム合金、その合金から作られた基層と軸受素子 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND GROWTH OF NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化物系半導体発光素子及び窒化物半導体層の成長方法 - 特許庁

VARIABLE RESISTANCE MEMORY ELEMENT HAVING BUFFER LAYER FORMED ON LOWER ELECTRODE例文帳に追加

下部電極上に形成されたバッファ層を備える可変抵抗メモリ素子 - 特許庁

The iron oxide of the seeding layer has low wettability to the platinum group element.例文帳に追加

シード層のＦｅ酸化物は白金族元素に対して濡れ性が低い。 - 特許庁

The light absorption layer reduces reflection of the surrounding light in the display element.例文帳に追加

光吸収層は表示素子中の周囲光の反射を低減させる。 - 特許庁

The organoelectroluminescent element has a layer containing this bisaminophenylmethane compound.例文帳に追加

このビスアミノフェニルメタン系化合物を含む層を有する有機電界発光素子。 - 特許庁

LIQUID CRYSTAL OPTICAL ELEMENT, TEST METHOD FOR ITS BOUNDARY LAYER AND MENU DISPLAY SYSTEM例文帳に追加

液晶光学素子と境界層の検査方法およびメニュー表示システム - 特許庁

Since the insulating layer 34 can be formed easily in a thin high-quality single-crystal layer, the luminous efficiency of the light emitting element can be improved and the element can be driven with a low voltage.例文帳に追加

絶縁層３４として良質の単結晶の薄い層を容易に作ることができ、発光効率が良く低電圧駆動が可能となる。 - 特許庁

To reduce the thickness of a semiconductor layer without reducing the breakdown voltage of an element.例文帳に追加

素子の耐圧を下げることなく、半導体層の層厚を小さくする。 - 特許庁

To provide a white light emitting element having a light emitting layer containing silicon.例文帳に追加

ケイ素を含む発光層を備えた白色光発光素子を提供する。 - 特許庁

SUPPORTING BODY HAVING THERMALLY STABLE BASE COATING LAYER FOR IMAGE FORMING ELEMENT例文帳に追加

像形成要素のための熱安定性下塗り層を含んでなる支持体 - 特許庁

The direction of alignment layer treatment of the light path deflection element 4a is almost the same as that of alignment layer treatment of the light path deflection element 4b.例文帳に追加

光路偏向素子４ａの配向膜の配向処理方向と、光路偏向素子４ｂの配向膜の配向処理方向とは、ほぼ一致している。 - 特許庁

A read element 41 and a write element 42 are arranged between a low thermal expansion material layer 43 at lower side and an upper low thermal expansion material layer 44.例文帳に追加

読み出し素子４１および書き込み素子４２は下側低熱膨張材層４３および上側低熱膨張材層４４の間に配置される。 - 特許庁

CIRCULARLY POLARIZED LIGHT SEPARATING LAYER, OPTICAL ELEMENT, ILLUMINATOR AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE例文帳に追加

円偏光分離層、光学素子、照明装置及び液晶表示装置 - 特許庁

An organic EL element 100 is formed on a first flattened layer 18.例文帳に追加

第１の平坦化層１８上に有機ＥＬ素子１００が形成される。 - 特許庁

This magnetic detection element is provided with an element part T1 for providing a magnetoresistive effect, and both-side parts 22 positioned on both sides of the element part T1 in a track width direction, and including a Ta substrate layer 24, an amorphous cutoff layer 25, an alignment control layer 26, and a hard bias layer 27 stacked sequentially from the bottom.例文帳に追加

気抵抗効果を発揮する素子部Ｔ１と、前記素子部Ｔ１のトラック幅方向の両側に位置し、下からＴａ下地層２４、アモルファス遮断層２５、配向制御層２６、及びハードバイアス層２７の順に積層された両側部２２とを有する。 - 特許庁

In this device 30, a nonvolatile random access memory(NVRAM) structure comprises an implantation element 32 in a single-crystal silicon substrate 34, an insulating layer 36 on the substrate 34, an silicon-on-insulator(SOI) layer 38 on the insulating layer 36, and a sense element 40 in an SOI layer 38 overlapping the implanting element.例文帳に追加

不揮発性ランダム・アクセス・メモリ（ＮＶＲＡＭ）構造が、単結晶シリコン基板内の注入要素と、基板の上の絶縁層と、絶縁層の上のシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）層と、注入要素の上に重なるＳＯＩ層内のセンス要素とを含む。 - 特許庁

A photoelectric conversion device comprises: a first semiconductor layer having a compound semiconductor containing a group I element, a group III element, and a group VI element; and a second semiconductor layer that is disposed on the first semiconductor layer and forms a pn junction with the first semiconductor layer.例文帳に追加

Ｉ族元素、III族元素およびVI族元素を含む化合物半導体を有する第１の半導体層と、該第１の半導体層上に配置された、該第１の半導体層とともにｐｎ接合を形成する第２の半導体層とを備えている。 - 特許庁

The substrate for the light-emitting element includes a semiconductor layer (an n-type semiconductor layer, a light-emitting layer, a p-type semiconductor layer, and a substrate) including the light-emitting layer, and a two-dimensional diffraction grating (a photonic crystal structure layer 3) disposed at an interval from the light-emitting layer.例文帳に追加

発光素子用基板は、発光層を含む半導体層（ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層、基板）と、発光層から間隔を隔てて配置された２次元回折格子（フォトニック結晶構造層３）とを備える。 - 特許庁

The active region 5 includes a semiconductor including at least an indium element, a gallium element, and a nitrogen element, and includes, for example, an InGaN layer.例文帳に追加

活性領域５は、少なくともインジウム元素、ガリウム元素および窒素元素を含む半導体から成っており、例えばＩｎＧａＮ層を含む。 - 特許庁

An alignment layer 30 contains a moisture capturing element (for example, a passive state forming element) together with silicon oxide.例文帳に追加

配向膜３０が、酸化ケイ素と共に水分捕獲元素（例えば、不動態形成元素）を併せて含んでいる。 - 特許庁

The surface of the element substrate of each light-emitting element 2 is bonded to the backside 3b of the substrate 3 by an adhesive layer 4.例文帳に追加

基板３の裏面３ｂに各発光素子２の素子基板の表面を接着層４で接着する。 - 特許庁

To provide an element substrate where a metal layer having a fine pattern is formed precisely, and to provide a manufacturing method of the element substrate.例文帳に追加

微細パターンの金属層が精度良く形成された素子基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This polarizing reflection element is used as a selective reflection layer in a semitransmission type liquid crystal display element.例文帳に追加

そして、半透過型の液晶表示素子においては、この偏光反射素子を選択反射層として用いる。 - 特許庁

The transmission and reception of the ultrasonic wave are performed through a gas layer between the transmitting element and receiving element and the test object 100.例文帳に追加

送信子及び受信子と試験体１００との間の気層を介して超音波を送受信する。 - 特許庁

To suppress application of heat to an MTJ (Magnetic Tunnel Junction) element while forming the MTJ element in a wiring layer located in a lower tier.例文帳に追加

下層の配線層にＭＴＪ素子を形成しつつ、ＭＴＪ素子に熱が加わることを抑制する。 - 特許庁

The adhesive layer 4 bonds the front surface of an element substrate of each light-emitting element 2 on the backside of the translucent substrate 3.例文帳に追加

接着層４は、透光基板３の裏面に各発光素子２の素子基板の表面を接着する。 - 特許庁

To provide a polarization conversion element having a bonding layer with stable quality, and a production method of such polarization conversion element.例文帳に追加

接合層の品質が安定した偏光変換素子、及び偏光変換素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

GROWTH METHOD OF SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加

半導体層の成長方法、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子および電子機器 - 特許庁