「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an optical semiconductor element that increases planarity of an active layer, and includes a cladding layer preventing surface oxidation.例文帳に追加

活性層の平坦性を高くすると共に、表面酸化しないクラッド層を備えた光半導体素子とする。 - 特許庁

The photoelectron element is formed by interposing an electron transport layer 3 and a hole transport layer 4 between a pair of electrodes 2, 5.例文帳に追加

光電気素子は、一対の電極２，５間に電子輸送層３と正孔輸送層４を挟んで形成される。 - 特許庁

Further, the reinforcement layer 30 is reinforced by arranging a reinforcement element such as polyethylene naphthalate cord in the reinforcement layer 30.例文帳に追加

また、補強層３０内に、ポリエチレンナフタレートコード等の補強素子を配列させて補強層３０を補強する。 - 特許庁

For example, the fuse element is manufactured by using indium tin oxide for the first layer and aluminum for the second layer.例文帳に追加

例えば、第１の層としてインジウム錫酸化物、第２の層としてアルミニウムを用いてヒューズ素子を作製する。 - 特許庁

Further, a first silicon nitride film 102 (stress relaxation layer) is formed on an element region of the layer 101.例文帳に追加

さらに、ＢＯＸ層１０１の素子領域上に、第１のシリコン窒化膜１０２（応力緩和層）が形成されている。 - 特許庁

The optical element 10 comprises a metal hydride layer 12 kept in contact with a hydrogen supplying layer 13.例文帳に追加

光学素子１０は、水素供給層１３と接触している水素化金属の層１２から構成される。 - 特許庁

The element has an n-type GaN layer having 3 μm or less in the n-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

また、本発明の発光素子は、前記ｎ型窒化物半導体層は、３μｍ以下のｎ型ＧａＮ層を含む。 - 特許庁

A transparent electrode layer 7 is formed in each pixel region on the switching element 5 via an insulating layer 6.例文帳に追加

このスイッチング素子５には、絶縁層６を介して透明電極層７が画素領域毎に形成される。 - 特許庁

An organic electroluminescent element includes on a substrate an organic functional layer containing an anode, a cathode and a light-emitting layer.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板上に、陽極と陰極と発光層を含む有機機能層とを有する。 - 特許庁

A surface emitting laser element is provided with a first substrate arranged between a first electrode layer and a first reflection layer.例文帳に追加

面発光レーザー素子は、第１電極層と第１反射層との間に配置された第１基板を備える。 - 特許庁

It is preferable that the semiconductor light-emitting element includes an n-type semiconductor layer formed between the substrate and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ここで、基板とｐ型半導体層との間に設置されたｎ型半導体層を含むことが好ましい。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises a structure, a first electrode layer, an electrode layer, and an inorganic film.例文帳に追加

実施形態に係る半導体発光素子は、構造体と、第１電極層と、電極層と、無機膜と、を備える。 - 特許庁

This overcurrent protective element is provided with a polymer layer containing conductive fillers and electrodes 11 which are arranged on both sides of the polymer layer.例文帳に追加

導電性フィラーを含むポリマー層と、そのポリマー層を挟んで配置された電極１２とを備える。 - 特許庁

Then the element (140) is made to be peelable from the substrate (100) at the separation layer (120) by projecting laser light upon the layer (120) from the substrate (100) side.例文帳に追加

基板側からレーザー光を照射し、これによって分離層において剥離を生じせしめる。 - 特許庁

To improve uniformity in film thickness of a functional layer (such as a light emitting layer, for example) of an operating element.例文帳に追加

本発明の目的は、動作素子の機能層（例えば発光層）の膜厚の均一性を高めることにある。 - 特許庁

The memory element has: at least a first conductive layer 110; a second conductive layer 112; and a memory layer 111 sandwiched by the first conductive layer 110 and the second conductive layer 112.例文帳に追加

記憶素子を少なくとも第１の導電層１１０と、第２の導電層と１１２、第１の導電層１１０と第２の導電層１１２に挟持されたメモリ層１１１とを有する構成とする。 - 特許庁

The memory element has: at least a first conductive layer 110; a second conductive layer 112; and a memory layer 111 sandwiched by the first conductive layer 110 and the second conductive layer 112.例文帳に追加

記憶素子を少なくとも第１の導電層１１０と、第２の導電層１１２と、第１の導電層１１０と第２の導電層１１２に挟持されたメモリ層１１１とを有する構成とする。 - 特許庁

The fixing layer 23 of the MR element 5 includes: a front-end magnetic layer 331 composed of a magnetic alloy layer with a body-centered cubic structure, and a Heusler alloy layer 332 formed on the front-end magnetic layer 331.例文帳に追加

ＭＲ素子５の固定層２３は、体心立方構造の磁性合金層よりなる下地磁性層３３１と、下地磁性層３３１の上に形成されたホイスラー合金層３３２とを含んでいる。 - 特許庁

The free layer 25 of the MR element 5 includes: a front-end magnetic layer 51 composed of the magnetic alloy layer with the body-centered cubic structure, and a Heusler alloy layer 52 formed on the front-end magnetic layer 51.例文帳に追加

ＭＲ素子５のフリー層２５は、体心立方構造の磁性合金層よりなる下地磁性層５１と、下地磁性層５１の上に形成されたホイスラー合金層５２とを含んでいる。 - 特許庁

Then, a groove at least from the second inter-layer insulating layer into the first inter-layer insulating layer is disposed in the region of the first and second inter-layer insulating layers corresponding to the element isolation region.例文帳に追加

そして、少なくとも第２の層間絶縁層から第１の層間絶縁層内に達する溝が素子分離領域に対応する第１及び第２の層間絶縁層の領域に配されている。 - 特許庁

A battery element is contained in a recessed part of an outer pouch integrally laminated with a cushion resin layer, a resin block layer, a cushion resin layer, a metal foil layer and a surface resin layer, in that order from the inside.例文帳に追加

内側から、緩衝樹脂層、樹脂ブロック層、緩衝樹脂層、金属箔層、表面樹脂層を順に積層一体化されている袋状外装ケースの凹部に電池要素を収納する。 - 特許庁

To provide a magnetic head capable of reducing flaws of the front surfaces of an upper shield layer and a lower shield layer of a magnetic detection element, and capable of preventing the short circuit between the upper shield layer or the lower shield layer and an electrode layer.例文帳に追加

磁気検出素子の上部シールド層及び下部シールド層の前面の傷を低減でき、また、上部シールド層、下部シールド層と電極層間の短絡を低減できる磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

The nitride-based light emitting element has such a structure that a substrate 110, n-type clad layer 130, active layer 140, p-type clad layer 150, lattice cell layer 160, and ohmic contact layer are laminated in order.例文帳に追加

窒素物系発光素子は、基板１１０、ｎ型クラッド層１３０、活性層１４０、ｐ型クラッド層１５０、格子セル層１６０及びオーミック接触層が順次に積層された構造よりなっている。 - 特許庁

This fixing roller is provided with a 1st insulating layer 2, a heat insulating layer 3, a heating element 4, a 2nd insulating layer 5, a mold- released layer base substance 6 and a mold-released layer 7 on the outer peripheral surface of a core bar 1 in this order.例文帳に追加

定着ローラを、芯金１の外周面に第１絶縁層２、断熱層３、発熱体４、第２絶縁層５、離型層基体６、離型層７の順に設けたものとする。 - 特許庁

The organic EL element 100 is equipped with a hole injection electrode 2, a hole transport layer 3, a light-emitting layer 4, a first electron transport layer 5, a metal layer 6, a second electron transport layer 7, and an electron injection electrode 8.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１００は、ホール注入電極２、ホール輸送層３、発光層４、第一電子輸送層５、金属層６、第二電子輸送層７および電子注入電極８を備える。 - 特許庁

On a top surface of the layer 11a formed of the laminated glass ceramic layer constituted of the glass component and the ceramic component, an electrode wiring layer 15 is formed and on the electrode wiring layer, and an LED element 16 is mounted to the electrode wiring layer.例文帳に追加

ガラス成分とセラミックス成分とから構成されるガラスセラミックス層を積層した層１１ａの表面に、電極配線層１５を備え、該電極配線層にＬＥＤ素子１６を搭載する。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element includes a semiconductor layer 20; a light reflecting layer 31 provided on the semiconductor layer 20; and a protective layer 32 formed by electroless plating so as to cover the light reflecting layer 31.例文帳に追加

半導体層２０と、この半導体層２０の上に設けられた光反射層３１と、この光反射層３１を覆うように無電界めっき法により形成された保護層３２とを備える。 - 特許庁

The photosensitive semiconductor element comprises a substrate 1, an intermediate layer 2, and an external layer 5 while the intermediate layer 2 at least partially embedded in the substrate 1 and the external layer 5 in the intermediate layer 2.例文帳に追加

感光性半導体素子は、基板１、中間層２および外部層５からなり、少なくとも部分的に中間層２が基板１の内部に、また外部層５が中間層２の内部に埋め込まれる。 - 特許庁

The organic electroluminescent element is constructed by laminating a hard coating layer 1A, a transparent electrode layer 2, an organic electroluminescent layer 3, a carbon nano-tube layer 4 and a metal electrode layer 5 in that order on a substrate 1.例文帳に追加

有機電界発光素子は、基板１の上に、ハードコート層１Ａ、透明電極層２、有機電界発光層３、カーボンナノチューブ層４および金属電極層５を順に積層して構成されている。 - 特許庁

Consequently, the memory element having the first conductive layer, the second conductive layer, and the memory layer sandwiched by the first conductive layer and the second conductive layer is manufactured simply and quickly, by conducting the preprocessing.例文帳に追加

よって、第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層と第２の導電層に挟持されたメモリ層とを有する記憶素子を、前処理を行うことで簡便に作製することができる。 - 特許庁

A magnetic random access memory is provided with a magnetic resistance element 1 having a recording layer 30, a fixed layer 10 and an intermediate non-magnetic layer 20 disposed between the recording layer and the fixed layer.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、記録層３０と固定層１０と記録層及び固定層間に設けられた中間非磁性層２０とを有する磁気抵抗素子１を備えた磁気ランダムアクセスメモリである。 - 特許庁

The TMR element 10 is constructed on a substrate 1 in such a manner that a conductive layer 2, a lower magnetic layer 3, an oxidation control layer 4, an insulating layer 5, an upper magnetic layer 6, and an electrode pattern 7b, are laminated in this order.例文帳に追加

ＴＭＲ素子１０は、基板１上に導電層２、下部磁性層３、酸化抑制層４、絶縁層５、上部磁性層６、電極パターン７ｂが順に積層された構造をしている。 - 特許庁

The organic electroluminescent element 10 is structured with a transparent electrode layer 2, an organic electroluminescent layer 3, an adhesion layer 4 and a metal electrode layer 5 laminated on a substrate 1, over which, a protecting layer 6 is further formed.例文帳に追加

基板１上に透明電極層２、有機電界発光層３、密着層４および金属電極層５を積層し、さらに保護層６を形成して有機電界発光素子１０が構成される。 - 特許庁

The semiconductor element S comprises a semiconductor layer 20 opposing a gate electrode 12 while sandwiching an insulating layer 14, and a characteristics control layer 22 interposed between the insulating layer 14 and the semiconductor layer 20.例文帳に追加

半導体素子Ｓは、絶縁層１４を挟んでゲート電極１２に対向する半導体層２０と、絶縁層１４と半導体層２０との間に介在する特性制御層２２とを有する。 - 特許庁

A semiconductor layer of a photoelectric conversion element has a multilayer structure constituted of the same semiconductor layer as a semiconductor layer of a switch TFT, and the semiconductor layer of the switch TFT has a single layer constitution.例文帳に追加

光電変換素子の半導体層は、スイッチＴＦＴの半導体層と同一の半導体層から構成された多層構成とし、スイッチＴＦＴの半導体層は単層構成とする。 - 特許庁

In a shield type magnetoresistance effect element using a tunnel joined element consisting essentially of a free layer 6, a barrier layer 5 and a fixed layer 4 as a magnetoresistance effect element, the uppermost and lowest layers of the tunnel joined element are made different from each other in pattern shape and the pattern area of the uppermost layer is made smaller.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子としてフリー層／バリア層／固定層を基本構成とするトンネル接合素子を用いたシールド型磁気抵抗効果素子において、トンネル接合素子を構成する層のうち最上層と最下層とでパターン形状が異なり、そのパターンの面積が最上層の方が小さいようにする。 - 特許庁

The magnetic sensor includes: a magnetoresistance effect element including a magnetized fixed layer, a nonmagnetic intermediate layer, and a magnetization-free layer; a microwave oscillating element for inducing magnetic resonance in the magnetization-free layer of the magnetoresistance effect element; and a microwave detector for detecting microwave output of the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

磁化固定層と、非磁性中間層と、磁化フリー層とを含む磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の磁化フリー層に磁気共鳴を誘起するマイクロ波発振素子と、前記磁気抵抗効果素子のマイクロ波出力を検波するマイクロ波検波器とを具備することを特徴とする磁気センサー。 - 特許庁

The area of the auxiliary element layer 7B is smaller than the area of the main heating element layer 7A, and while the base body and the heated object are being heated by the exothermicity of the main heating element layer, the escape of the heat from the base body 5 is replenished by the exothermicity of the auxiliary heating element layer 7B.例文帳に追加

補助加熱素子層７Ｂの面積が主要加熱素子層７Ａの面積よりも小さく、主要加熱素子層の発熱によって基体および被加熱体を加熱している間に、補助加熱素子層７Ｂからの発熱によって基体５からの熱の逃げを補填するように構成されている。 - 特許庁

The semiconductor-element mounting circuit is provided with the semiconductor element 10 in which element-side electrode (not shown in the figure) is formed on the surface; a stress relaxation layer 40 formed on the semiconductor element 10; a solder layer 50 formed on the layer 40; and the circuit-side electrode 60 connected to the solder layer 50.例文帳に追加

本発明の半導体素子実装回路は、上面に素子側電極（図示せず）が形成された半導体素子１０と、半導体素子１０上に形成された応力緩和層４０と、応力緩和層４０上に形成された半田層５０と、半田層５０に接続された回路側電極６０とを備える。 - 特許庁

The surface acoustic wave element has: a diamond layer, an aluminum nitride layer provided on the diamond layer, a silicon oxide layer provided on the aluminum nitride layer, and a pair of electrodes which are provided between the aluminum nitride layer and the silicon oxide layer and applies a voltage to the aluminum nitride layer.例文帳に追加

本発明の弾性表面波素子は、ダイヤモンド層と、ダイヤモンド層上に設けられた窒化アルミニウム層と、窒化アルミニウム層上に設けられた酸化シリコン層と、前記窒化アルミニウム層と前記酸化シリコン層との間に設けられ窒化アルミニウム層に電圧を印加する一対の電極と、を有している。 - 特許庁

In this thin EL element provided with a pair of a first electrode layer and a second electrode layer interposing a luminescent layer on an insulating base, a thin layer having a quantum size is provided between the luminescent layer and the first electrode layer and between the luminescent layer and the second electrode layer are provided.例文帳に追加

絶縁基板上に発光層を介在した一対の第１の電極層と第２の電極層とを備えてなる薄膜ＥＬ素子において、前記発光層と前記第１の電極層及び前記第２の電極層との間に量子サイズの薄膜層を備えた。 - 特許庁

There is provided a photoelectric conversion element comprising at least a metal oxide semiconductor layer, a buffer layer stacked on the metal oxide semiconductor layer so as to contact the metal oxide semiconductor layer, and a light absorbing layer stacked on the buffer layer on a side opposite to the metal oxide semiconductor layer so as to contact the buffer layer.例文帳に追加

この光電変換素子は、金属酸化物半導体層と、金属酸化物半導体層に接して積層させたバッファー層と、バッファー層に接して金属酸化物半導体層とは反対側に積層させた光吸収層とを少なくとも具備している。 - 特許庁

In this developing device that has a developer carrier 2 where an elastic layer 4 is covered by a conductive layer 5 as a constituting element, an intermediate layer 101 is installed in between the elastic layer 4 and the conductive layer 5 and volume resistivity of the intermediate layer is made greater than the volume resistivity of the elastic layer and that of the conductive layer.例文帳に追加

弾性層４を導電層５が被覆する現像剤担持体２を構成要素とする現像装置において、弾性層４と導電層５の間に中間層１０１を配設し、中間層の体積抵抗率が弾性層、導電層の体積抵抗率より大きくしたものである。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element includes an n-type semiconductor layer and an active layer, has a first p-type semiconductor layer between the n-type semiconductor layer and the active layer, and has a second p-type semiconductor layer at a side opposite to a side having the first p-type semiconductor layer when viewed from the active layer.例文帳に追加

ｎ型半導体層と、活性層と、を含み、ｎ型半導体層と活性層との間に第１のｐ型半導体層を備え、活性層から見て第１のｐ型半導体層がある側とは反対側に第２のｐ型半導体層を備えた半導体発光素子である。 - 特許庁

This semiconductor laser element 500 is composed by successively laminating a buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-contact layer 4, an n-crack prevention layer 5, an n-clad layer 6, a light emitting layer 7, a p-clad layer 8 and a p-first contact layer 9a on a sapphire substrate 1 whose thickness t1 is 500 μm.例文帳に追加

半導体レーザ素子５００は、厚さｔ_1 が５００μｍのサファイア基板１上にバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−コンタクト層４、ｎ−クラック防止層５、ｎ−クラッド層６、発光層７、ｐ−クラッド層８およびｐ−第１コンタクト層９ａが順に積層されてなる。 - 特許庁