「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

The flattened tunnel magnetoresistance element has a ground layer consisting of double layers of a MgO amorphous layer 2 and a MgO (001) high alignment layer 3.例文帳に追加

平坦化トンネル磁気抵抗素子であって、ＭｇＯアモルファス層２とＭｇＯ（００１）高配向層３の二重層からなる下地層を有する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the capacitor element, after forming a metal wiring layer 4 on an insulation layer 2, the surface of the layer 4 is smoothed by a plasma projection using, e.g. an argon gas.例文帳に追加

絶縁層２上に金属配線層４を形成した後、たとえばアルゴンガスを用いたプラズマ照射により表面を平滑化する。 - 特許庁

The magnetoresistive effect device 5 is equipped with a base layer 21, a perpendicularly biased magnetic field impression layer 22, a coupling layer 23 and an MR element 50 which are stacked sequentially.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置５は、順に積層された下地層２１、縦バイアス磁界印加層２２、結合層２３、ＭＲ素子５０を備えている。 - 特許庁

A first light shielding layer 21 and a second light shielding layer 22 are deposited on an element substrate 10, and a resist mask is formed on the second light shielding layer 22.例文帳に追加

素子基板１０に第１遮光層２１、及び第２遮光層２２を成膜して、第２遮光層２２上にレジストマスクを形成する。 - 特許庁

The light emitting element includes a light emitting structure, a buffer layer on the light emitting structure, and a filter layer on the buffer layer.例文帳に追加

本発明に従う発光素子は、発光構造物と、上記発光構造物の上にバッファ層と、上記バッファ層の上にフィルタ層と、を含む。 - 特許庁

The light emitting element 100 has a p-electrode 103, a p-type layer 104, an active layer 105, and an n-type layer 106 on a ceramic substrate 101.例文帳に追加

発光素子１００は、セラミック基板１０１上にｐ電極１０３、ｐ型層１０４、活性層１０５、ｎ型層１０６を有している。 - 特許庁

The planar light-emitting element has a light-emitting active layer 105 caught by a first conductivity-type semiconductor layer 104 and a second conductivity-type semiconductor layer 106.例文帳に追加

面型発光素子は、第一の導電型の半導体層104と第二の導電型の半導体層106に挟まれた発光活性層105を有する。 - 特許庁

A lower side core layer 33 is vertically extended from the above of a first magnetic material layer 31 to be formed above a magnetoresistance effect element layer 22.例文帳に追加

下部コア層３３が、第１の磁性材料層３１上から垂直に延び、磁気抵抗効果素子層２２上にまで形成されている。 - 特許庁

This reflection type liquid crystal display element is provided with a first liquid crystal layer 1, a second liquid crystal layer 2 and a third liquid crystal layer 3.例文帳に追加

本発明の反射型の液晶表示素子は、第１の液晶層１と、第２の液晶層２と、第３の液晶層３とを有する。 - 特許庁

The organic EL element is formed by successively laminating a first electrode layer 16, an organic EL layer 17 as a light emitting layer, and a second electrode 18 on the base plate 12.例文帳に追加

有機ＥＬ素子13は、第１電極層16、発光層としての有機ＥＬ層17、第２電極層18の順に基板12上に積層されている。 - 特許庁

The organic EL element 13 is laminated from a first electrode layer 15, the organic EL layer 16 and a second electrode layer 17 in this order on the substrate 12.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１３は、第１電極層１５、有機ＥＬ層１６、第２電極層１７の順に基板１２上に積層されている。 - 特許庁

A gold-plated layer, having a thickness of 5 μm or more, is formed on one of two electrodes sandwiching an active layer of a semiconductor laser element 26 which is closer to the active layer.例文帳に追加

半導体レーザ素子26の活性層を挟む２電極のうち、活性層に近い電極上に金メッキ層を５μｍ以上形成する。 - 特許庁

This manufacturing method of an organic LED element comprises the steps of forming a cathode 9 in which a first conductive layer 9a, a buffer layer 9b, and a second conductive layer 9c are laminated in this order.例文帳に追加

陰極９は、第１の導電層９ａ、バッファ層９ｂおよび第２の導電層９ｃが順次積層されて形成される。 - 特許庁

The element is provided with a glass substrate 1 on which an anode 2, a CuPc film 3, hole transporting layer 4, light emitting layer 5, electron transporting layer 6, and a cathode 7 are laminated.例文帳に追加

ガラス基板１上に陽極２、ＣｕＰｃ膜３、正孔輸送層４、発光層５、電子輸送層６、陰極７が積層されている。 - 特許庁

An active layer 16 and a p-type GaN layer 17 are grown successively on the layer 15, and a light-emitting element structure is formed.例文帳に追加

このｎ型ＧａＮ層１５上に活性層１６およびｐ型ＧａＮ層１７を順次成長させ、発光素子構造を形成する。 - 特許庁

The semiconductor laser element comprises: an active layer 6, and a p-side semiconductor layer formed on the active layer 6 and has a wurtzite crystal structure.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、活性層６と、活性層６上に形成され、ウルツ鉱型結晶構造を有するｐ側半導体層とを備える。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 1 comprises: a substrate side reflection layer 3 formed on a substrate 2; a luminous layer 5; and an electrode side reflection layer 8.例文帳に追加

半導体発光素子１は、基板２上に形成された基板側反射層３と、発光層５と、電極側反射層８とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a circuit layer having an active element formed in a Si substrate and also includes a SiC layer provided in the lower side of the circuit layer.例文帳に追加

Si基板に形成された能動素子からなる回路層と、前記回路層の下側に設けられたSiC層と、を有する半導体装置など。 - 特許庁

On the top surface of this inter-layer insulating film 12, the single-crystal silicon layer is stuck and the single-crystal silicon layer forms the transistor element.例文帳に追加

この第１層間絶縁膜１２の表面上に単結晶シリコン層を貼り合わせ、単結晶シリコン層によりトランジスタ素子を形成する。 - 特許庁

This reflective electrochromic element is provided with a substrate 10, a reflective photochromic layer 20, a catalyst layer 30 and an oxygen movement preventing layer 50.例文帳に追加

基板１０と、反射調光層２０と、触媒層３０と、酸素移動防止層５０とを有する、反射調光エレクトロクロミック素子である。 - 特許庁

A mixed valence compound is contained in the functional layer of the light-emitting element having the functional layer and the light-emitting layer containing organic compound material.例文帳に追加

機能層及び有機化合物材料を含む発光層を有する発光素子において、その機能層に混合原子価化合物を含む。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises an n-type semiconductor layer, an electrode, a p-type semiconductor layer, and a light-emitting layer.例文帳に追加

実施形態によれば、ｎ形半導体層と、電極と、ｐ形半導体層と、発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

An insulation layer 15 covers the MTJ element MTJ and the cap layer 16, and its top face is flush with that of the cap layer 16.例文帳に追加

絶縁層１５は、ＭＴＪ素子ＭＴＪ及びキャップ層１６を覆い、その上面は、キャップ層１６の上面と同じレベルに存在する。 - 特許庁

The Fabry-Perot type semiconductor laser element 10 has an active layer 17, and a clad layer 13 having a refractive index lower than the one of the active layer.例文帳に追加

ファブリーペロー型の半導体レーザ素子１０は、活性層１７と、活性層よりも低い屈折率を有するクラッド層１３を有している。 - 特許庁

The piezoelectric element 2 has a piezoelectric layer 7, and a displacement transmitting layer 6 for transmitting the displacement of the piezoelectric layer 7 to a liquid object.例文帳に追加

圧電素子２は、圧電体層７と、この圧電体層７の変位を液体対象物に伝えるための変位伝達層６とを有している。 - 特許庁

The nitride semiconductor element includes a nitride semiconductor laminate structure portion 2 having an n-type layer 3, a p-type layer 4, and an n-type layer 5.例文帳に追加

この窒化物半導体素子は、ｎ型層３、ｐ型層４およびｎ型層５を有する窒化物半導体積層構造部２を備えている。 - 特許庁

If a single layer of the blue color light-emitting layer and the electron transport layer are combined, a blue light-emitting organic EL element of a high color purity can be realized.例文帳に追加

青色発光層単層と上記電子輸送層を組み合わせれば、色純度の高い青色発光有機ＥＬ素子を実現できる。 - 特許庁

Thereby, the sheet material 2 mounted on the lowermost first element abuts the carbon paste layer 22B which is the second element from below, the sheet material 2 mounted on the second element abuts on the carbon paste layer 32B which is the third element from below, and the sheet material 2 mounted on the third element abuts on the carbon paste layer 42B which is the uppermost element.例文帳に追加

このことにより、最下層の１枚目の素子に載置されたシート材２と下から２枚目の素子のカーボンペースト層２２Ｂとが当接し、２枚目の素子に載置されたシート材２と下から３枚目の素子のカーボンペースト層３２Ｂとが当接し、３枚目の素子に載置されたシート材２と最上層の素子のカーボンペースト層４２Ｂとが当接している状態となる。 - 特許庁

The channels are ant channels formed in an element wire itself constituting the outsidemost layer or channels formed between adjacent mushroom protruded element wires by using the element wire constituting the outsidemost layer for alternate arrangement of an outer face smooth element wire and a mushroom protruded element wire.例文帳に追加

溝は、最外層を構成する素線自体に形成されたアリ溝からなるか、最外層を構成する素線で、外面平滑素線とキノコ状突起付素線とを交互に配列させることで、隣り合うキノコ状突起付素線の間に形成される溝である。 - 特許庁

When it is detected that the barrier layer of the TMR element is defective, a voltage higher than a bias voltage is applied to this TMR element to short-circuit the barrier layer, and thereafter, the TMR element is used as the GMR element of a CPP structure.例文帳に追加

ＴＭＲ素子がバリア層不良であることを検知した場合にこのＴＭＲ素子にバイアス電圧よりも高い電圧を印加してバリア層を短絡させ、以後はＴＭＲ素子をＣＰＰ構造のＧＭＲ素子として使用する。 - 特許庁

In an element isolating process for forming a plurality of isolated element regions, a semiconductor layer (SOI layer) is removed by etching from the element isolating region, using the stacked films of a nitride film (Si3N4) and an oxide film (SiO2) as an element isolating mask.例文帳に追加

複数の素子領域を分離形成する素子分離工程において、窒化膜（Ｓｉ_3Ｎ_4）と酸化膜（ＳｉＯ_2）との積層膜を素子分離マスクとして、素子分離領域から半導体層（ＳＯＩ層）をエッチングにより除去する。 - 特許庁

A recording layer 71a of a MIJ element 21a consists of high crystalline magnetic anisotropic material, exchange-coupled with a magnetic layer 2 covering write-in wiring 1 for writing information in the MIJ element 21a, and sum of magnetic volumes of a magnetic layer part opposing to the recording layer of the MIJ element and the recording layer is smaller than magnetic volume of the other magnetic layer parts.例文帳に追加

ＭＴＪ 素子２１ａ の記録層７１ａ は、高結晶磁気異方性材料からなり、ＭＴＪ 素子２１ａ に情報を書き込むための書き込み配線１ を覆う磁性層２ と交換結合しており、ＭＴＪ 素子の記録層に対向する磁性層部分と記録層の磁気ボリュームの和がその他の磁性層部分の磁気ボリュームよりも小さい。 - 特許庁

The organic EL element 100 sequentially includes a hole implantation electrode 2, a hole implantation layer 3, a hole transporting layer 4, a buffer layer BF, an orange light emitting layer 5, a blue light emitting layer 6, an electron transporting layer 7, and an electron implantation electrode 8.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１００は、ホール注入電極２、ホール注入層３、ホール輸送層４、バッファ層ＢＦ、橙色発光層５、青色発光層６、電子輸送層７および電子注入電極８を順に含む。 - 特許庁

The organic electroluminescent element is constituted in such a way that a transparent electrode layer, an organic material layer including an organic light-emitting material layer, a non-transparent electrode layer, an insulating layer, a metal layer, and a resin film are laminated in this order on the surface of a transparent substrate.例文帳に追加

透明基板の表面に、透明電極層、有機発光材料層を含む有機材料層、不透明電極層、絶縁層、金属層、そして樹脂フイルムがこの順に積層された構成の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

The variable wavelength element section has an n-InP lower clad layer 18, a variable wavelength layer 20, an i-InP layer 22, an active layer 24, a p-InP spacer layer 26, a p-diffraction grating 28, and a p-InP buried layer 30 on the substrate.例文帳に追加

波長可変素子部は、基板上に、ｎ−ＩｎＰ下部クラッド層１８、波長可変層２０、ｉ−ＩｎＰ層２２、活性層２４、ｐ−ＩｎＰスペーサ層２６、ｐ−回折格子２８、及びｐ−ＩｎＰ埋め込み層３０を備える。 - 特許庁

Firstly, at least a first epitaxial layer being a p^+ collector layer 1, a second epitaxial layer being a n^+ buffer layer 2, and a third epitaxial layer being an n^- drift layer 3 are laminated as a reverse-side element structure on a surface of a silicon substrate 30.例文帳に追加

まず、シリコン基板３０の表面に、裏面素子構造として、少なくともｐ^+コレクタ層１となる第１エピタキシャル層、ｎ^+バッファ層２となる第２エピタキシャル層、およびｎ^-ドリフト層３となる第３エピタキシャル層を積層する。 - 特許庁

The charge trap memory device includes a tunnel insulating layer provided on a substrate, a charge trap layer provided on the tunnel insulating layer, and a blocking insulating layer provided on the charge trap layer, wherein the blocking insulating layer is composed of a substance containing a lanthanide element.例文帳に追加

基板上に形成されたトンネル絶縁膜と、トンネル絶縁膜上に形成された電荷トラップ層と、電荷トラップ層上にランタン族元素を含む物質からなるブロッキング絶縁膜と、を備える電荷トラップ型メモリ素子である。 - 特許庁

A group III nitride semiconductor light-emitting element has a structure in which an n-type contact layer 11, an ESD layer 12, an n-type cladding layer 13, a light-emitting layer 14, a p-type cladding layer 15, and a p-type contact layer 16 are stacked on a sapphire substrate 10.例文帳に追加

III 族窒化物半導体発光素子は、サファイア基板１０上に、ｎ型コンタクト層１１、ＥＳＤ層１２、ｎ型クラッド層１３、発光層１４、ｐ型クラッド層１５、ｐ型コンタクト層１６が積層された構造である。 - 特許庁

Here, the magnetization fixed layer 63 in the first MR element has a synthetic structure including a pinned layer 631, a bonding layer 632, and a pinned layer 633 in an antiferromagnetic coupling with the pinned layer 631 in order from the intervention layer 62 side.例文帳に追加

ここで、第１のＭＲ素子における磁化固着層６３は、介在層６２の側から順にピンド層６３１と、結合層６３２と、ピンド層６３１と反強磁性結合するピンド層６３３とを含むシンセティック構造を有する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element 10 includes: a lower electrode layer 11; a semiconductor substrate 12; a lower clad layer 13; an active layer 16; a cap layer 17; a level difference confinement layer 19; current constriction structures 21A and 21B; and an upper electrode layer 23.例文帳に追加

半導体発光素子１０は、下部電極層１１、半導体基板１２、下部クラッド層１３、活性層１６、キャップ層１７、段差閉じ込め層１９、電流狭窄構造２１Ａ，２１Ｂ、および上部電極層２３を含む。 - 特許庁

The MTJ element (1) includes: a first magnetic layer (10); a second magnetic layer (20); a tunnel barrier layer (30) positioned between the first magnetic layer (10) and the second magnetic layer (20); and a first half metal layer (40) formed by a half metal material.例文帳に追加

ＭＴＪ素子（１）は、第１磁性層（１０）と、第２磁性層（２０）と、第１磁性層（１０）と第２磁性層（２０）との間に位置するトンネルバリア層（３０）と、ハーフメタル材料で形成された第１ハーフメタル層（４０）と、を備える。 - 特許庁

The waveguide type semiconductor element (2) is provided with an impurity layer (8) in contact with the waveguide layer (6) in at least a gap out of gaps between the p-type cladding layer (18) and the waveguide layer (6) and between the n-type cladding layer (4) and the waveguide layer (6).例文帳に追加

この導波路型半導体素子（２）は、ｐ型クラッド層（１８）と導波層（６）との間およびｎ型クラッド層（４）と導波層（６）との間の少なくとも一方に、導波層（６）に接する不純物層（８）を備える。 - 特許庁

The element body part 2 includes an element protection layer 4 consisting of a first protective layer 41 covering two diffusion side corner parts 221 formed with a gas introduction port 361 of the diffusion resistance layer 36 and a second protective layer 42 covering the whole outer periphery of the element body part 2 including the first protective layer 41.例文帳に追加

素子本体部２には、拡散抵抗層３６のガス導入口３６１が形成された２つの拡散側角部２２１をそれぞれ覆う第１保護層４１と、第１保護層４１を含む素子本体部２の外周全体を覆う第２保護層４２とからなる素子保護層４が設けられている。 - 特許庁

In the manufacturing method of the electroluminescent element, the high-luminance electroluminescent element is obtained by compressing a phosphor layer 4 formed especially by coating particles, the phosphor layer 4 containing an electron radiation source 11, a dielectric layer, and the like in the electroluminescent element by cold isotropic compression and hence improving the functions of a luminous layer and the dielectric layer.例文帳に追加

本発明の製法は、電界発光素子の、特に、粒子を塗布して形成される、蛍光体層・電子放出源を含む蛍光体層・誘電体層などを、冷間等方圧縮により、圧縮させることにより、発光層や誘電体層の機能を向上し、高輝度発光素子を提供するものである。 - 特許庁

The silicide layer 15 is formed at interval from the element separation region 13.例文帳に追加

シリサイド層１５は、素子分離領域１３と間隔をおいて形成されている。 - 特許庁