「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a display element containing a cap structured not to have a moisture absorbent layer and an element component in contact with each other.例文帳に追加

吸湿剤層と素子構成要素とが接触しないように構成されたキャップを含む表示素子を提供する。 - 特許庁

To provide an intermediate layer formation substance for an organic electroluminescent element and an organic electroluminescent element using the same.例文帳に追加

有機電界発光素子用の中間層形成物質及びそれを用いた有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

An edge 14 of a chip element 12 is immersed in a first paste layer 31 to form an electrode film M on the chip element 12.例文帳に追加

第１ペースト層３１にチップ素子１２の端部１４を浸漬して、電極膜Ｍをこのチップ素子１２に形成する。 - 特許庁

An LED element emitting blue light is used for the LED element 25, and the sealing resin layer 27 contains a YAG-based phosphor.例文帳に追加

ＬＥＤ素子２５は青色発光のＬＥＤ素子を用い、封止樹脂層２７はＹＡＧ系蛍光体を含有する。 - 特許庁

The liquid crystal display element is characterized in that the element has a liquid crystal layer comprising the liquid crystal composition.例文帳に追加

本発明の液晶表示素子は、上記の液晶組成物よりなる液晶層を有することを特徴とする。 - 特許庁

A TMR element 4 is a magnetoresistance effect element comprising a magnetism sensitive layer 44 where a magnetization direction changes by spin implantation.例文帳に追加

ＴＭＲ素子４は、スピン注入によって磁化方向が変化する感磁層４４を含む磁気抵抗効果素子である。 - 特許庁

For this reason, when the platinum group element is formed on the seeding layer with a spattering method, the platinum group element disperses in the surface.例文帳に追加

このためシード層上に白金族元素をスパッタ法により形成すると白金族元素が面内で分散する。 - 特許庁

An oxide of such an element as Ta, Hf, Si, Ni or Co, or an rare earth element (e.g., Gd or Ce) is employed in the high resistance layer 3A.例文帳に追加

高抵抗層３Ａとしては、Ｔａ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｃｏの各元素や、希土類元素（例えばＧｄやＣｅ）等の酸化物を用いる。 - 特許庁

The mirror 10D is disposed on the optical path between a light emitting element 125, the core layer 100 and a light receiving element 129.例文帳に追加

このミラー１０Ｄは、発光素子１２５、コア層１００、および受光素子１２９の間の光路上に設けられる。 - 特許庁

This gas adsorption element 1 is an element where the surface of a metal 2 has a carbon material layer 3 having gas occlusion capacity.例文帳に追加

ガス吸着エレメント１は、ガス吸蔵能を有する炭素材層３を金属２の表面に有するエレメントである。 - 特許庁

To provide a semiconductor element having a superior element characteristic which contains a semiconductor layer where dislocation density is reduced sufficiently.例文帳に追加

十分に転位密度が低減された半導体層を含む良好な素子特性を有する半導体素子を提供する。 - 特許庁

The polishing is stopped by the TMR element 18 as a stop layer and the TMR element 18 is exposed through self-alignment.例文帳に追加

そして、ＴＭＲ素子１８をストップレイヤーとして研磨を停止し、自己整合的にＴＭＲ素子１８を露出させる。 - 特許庁

To provide a pressure wave generating element capable of preventing oxidization of a heating element layer while realizing high output.例文帳に追加

高出力化を図りつつ発熱体層の酸化を防止することができる圧力波発生素子を提供する。 - 特許庁

The semiconductor element 2 is mounted on a substrate 1, and the resin filling layer 4 is formed around the semiconductor element 2.例文帳に追加

半導体素子２が基板１上に搭載され、半導体素子２の周囲に樹脂充填層４が設けられる。 - 特許庁

The luminous layer 4 contains an organic platinum-group element compound constructed of a phenantolidine derivative and a platinum-group element.例文帳に追加

発光層４は、フェナントリジン誘導体と白金族元素とから構成される有機白金族元素化合物を含む。 - 特許庁

The TFD element is a switching element strong to contamination of an alkali component and formed on the compression stress layer.例文帳に追加

ＴＦＤ素子は、アルカリ成分の汚染に対して強いスイッチング素子であり、圧縮応力層上に形成されている。 - 特許庁

FORMING METHOD OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, PRODUCTION METHOD OF SEMICONDUCTOR LIGHT ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR LIGHT ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の形成方法、半導体光素子の製造方法及び半導体光素子。 - 特許庁

The low-work-function layer is constituted of an intermetallic compound of nickel as a component element of the base material and a rare-earth element.例文帳に追加

低仕事関数層は、基材の構成元素であるニッケルと希土類元素との金属間化合物から構成される。 - 特許庁

The rare earth magnet 1 comprises a magnet element 3, and a protective layer 5 covering the surface of the magnet element 3.例文帳に追加

希土類磁石１は、磁石素体３と、その磁石素体３の表面を被覆する保護層５とを備えている。 - 特許庁

The layer 5 is constituted of a III-V compound semiconductor containing an at least nitrogen element as a V group element.例文帳に追加

活性層５は、Ｖ族として少なくとも窒素元素を含むＩＩＩ−Ｖ系化合物半導体から構成されている。 - 特許庁

The element may be a thin-film transistor, a light emitting element having a layer containing an organic compound, an element having liquid crystal, a memory element, a thin-film diode, a photoelectric conversion element comprising a silicon PIN junction, or a silicon resistance element.例文帳に追加

上記構成において、前記素子は、薄膜トランジスタ、有機化合物を含む層を有する発光素子、液晶を有する素子、メモリー素子、薄膜ダイオード、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子、またはシリコン抵抗素子であってもよい。 - 特許庁

Moreover, the surface of the electrode layer 6 of the piezoelectric element 15 is covered as a whole, with a compound layer which is of the same component as or whose main component is the same as that of the piezoelectric layer 5.例文帳に追加

また、圧電素子１５の電極層６の表面は、圧電層５と同一成分、又は主成分が同一の化合物層で全体的に覆う。 - 特許庁

The magnetoresistive effect element comprises antiferromagnetic layers 1a and 1b, magnetizing fixed layers 2a and 2b, a magnetizing free layer 3, a nonmagnetic layer 4, and a magnetizing fixed layer 5.例文帳に追加

反強磁性層１ａ、１ｂ、磁化固定層２ａ、２ｂ、磁化自由層３、非磁性層４及び磁化固定層５を具備する磁気抵抗効果素子を用いる。 - 特許庁

In a second fixed magnetic layer 14c and a free magnetism layer 16 interior, the atomic% of an element Z is made small in a nearer region in a nonmagnetic substance layer 15.例文帳に追加

第２固定磁性層１４ｃ及びフリー磁性層１６内部において、元素Ｚの原子％を非磁性材料層１５に近い領域で小さくする。 - 特許庁

A light transparent positive electrode layer 3, an organic luminous layer 4, and a light reflective cathode layer 5 are made to exist in the whole surface of one picture element region.例文帳に追加

光透過性の陽極層３、有機発光層４、および光反射性の陰極層５を、一画素領域の面内全体に存在させる。 - 特許庁

To provide a means for uniformly forming a p-type layer, an i-type layer, and an n-type layer each formed as a very thin film in organic semiconductor layers of a photoelectric conversion element.例文帳に追加

光電変換素子の有機半導体層の極めて薄い膜厚のＰ型層やＩ型層、Ｎ型層を均一に形成する手段を提供する。 - 特許庁

A positive hole transportation layer 5, a luminous layer 6, an electron transportion layer 7 and a cathode 8 are formed in sequence on the mounting face of an element substrate 1 to form a display part 9.例文帳に追加

素子基板１の実装面上に正孔輸送層５、発光層６、電子輸送層７、陰極８の順に形成し、表示部９を形成する。 - 特許庁

In one configuration, the knitted element has an area with a first layer and a second layer at least partially coextensive with the first layer.例文帳に追加

１つの形態では、編み要素は、第1の層および第１の層と少なくとも部分的に同一の広がりを持つ第2の層を有する領域を有する。 - 特許庁

This MEMS element has a beam 36 formed of a multi-layer, and a stress balance adjusting layer 41 for restraining the deflection of the beam 36 is formed in the multi-layer.例文帳に追加

複数層によるビーム３６を有し、複数層の中にビーム３６のたわみを抑制するための応力バランス調整層４１が形成されて成る。 - 特許庁

This organic EL element has the hole injection layer 70 and a luminescent layer on an anode 23, and also has a cathode on the luminescent layer.例文帳に追加

陽極２３上に正孔注入層７０と発光層とを有し、発光層上に陰極を有してなる有機ＥＬ装置の製造方法である。 - 特許庁

The thermal battery comprises a plurality of element batteries equipped with a negative electrode layer, a positive electrode layer, and an electrolyte layer containing a supporting body, and the supporting body is made of a ceramic porous body.例文帳に追加

熱電池が、負極層と、正極層と、保持体を含む電解質層とを具備する素電池複数個を有し、保持体がセラミック多孔体からなる。 - 特許庁

An EL emission layer 5 is placed between a rear substrate and a liquid crystal layer of the liquid crystal display element where the liquid crystal layer is located between a front substrate and the rear substrate 1.例文帳に追加

フロント基板とリア基板１の間に液晶層が位置する液晶表示素子の前記液晶層とリア基板の間にＥＬ発光層５を配設する。 - 特許庁

Next, by partially etching the Si layer 13 and the SiGe layer 11 a support body hole h1 is formed on the element isolation layer 3 inside a bird's beak.例文帳に追加

次に、Ｓｉ層１３とＳｉＧｅ層１１とを部分的にエッチングして、バーズビークから内側の素子分離層３上に支持体穴ｈ１を形成する。 - 特許庁

This organic electroluminescence element is formed by arranging an anode 2, a light-emitting layer 5, an electron hole checking layer 6, an electron transport layer 7 and a cathode 8, in this order on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に、陽極２、発光層５、正孔阻止層６、電子輸送層７及び陰極８がこの順で形成された有機電界発光素子。 - 特許庁

An element-mounting substrate 20 has a double-layered wiring structure with a first wiring layer 40 and a second wiring layer 50 laminated through the insulating layer 60.例文帳に追加

素子搭載用基板２０は、第１の配線層４０および第２の配線層５０が絶縁層６０を介して積層された二層配線構造を有する。 - 特許庁

A TMR element 70 has a laminated structure of a first ferromagnetic layer 24, a tunnel barrier layer 30 and a second ferromagnetic layer 42 laminated in this order.例文帳に追加

ＴＭＲ素子７０は、第１の強磁性層２４と、トンネルバリア層３０と、第２の強磁性層４２とが順に積層された構造を有する。 - 特許庁

A thin film magnetic head is the CPP-GMR element where the total film thickness of a pinned layer 7, a nonmagnetic intermediate layer 8, and a free layer 9 is ≥10nm.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドは、ピンド層７、非磁性中間層８、およびフリー層９の合計膜厚が１０ｎｍ以上のＣＰＰ-ＧＭＲ素子である。 - 特許庁

To prevent inter-layer delamination or inter-layer cracks after burning due to the variation of pressurizing forces at the time of lamination in a multi- layer piezoelectric element in which the number of lamination is large.例文帳に追加

積層数の多い多層圧電素子において、積層時の加圧力のばらつきによる層間のデラミネーションや焼成後の層間クラックを防止する。 - 特許庁

By the above, organic layers (hole transport layer 52, organic light emitting layer 54, electron transport layer 56) of the organic EL element are deteriorated and light emitting function is eliminated.例文帳に追加

これによって、有機ＥＬ素子の有機層（正孔輸送層５２、有機発光層５４、電子輸送層５６）の機能が劣化し、発光機能がなくなる。 - 特許庁

An EL element 100 is formed by stacking in order an anode 2, a hole injection layer 3, a light-emitting layer 4, an electron injection layer 5, and a cathode 6 on a substrate 1.例文帳に追加

ＥＬ素子１００は、基板１上に、陽極２、正孔注入層３、発光層４、電子注入層５、陰極６を順次積層してなる。 - 特許庁

The oxide layer 243 has a current constriction effect while the metal layer 241 suppresses intrusion of unwanted metal element into the interior of the interposed layer 24.例文帳に追加

酸化物層２４３は電流狭窄効果をもたらす一方、金属層２４１は介在層２４の内部への不要な金属元素の浸入を抑制する。 - 特許庁

An antenna element includes a cover layer disposed over a radiator layer, has a first ground plane disposed on the radiator layer, and has an aperture inside the ground plane.例文帳に追加

アンテナ素子は、放射層上に配置されたカバー層を含み、放射層上には第１接地面が配置され、接地面内部にはアパーチャを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element capable of suppressing peeling from a semiconductor layer of a current block layer which is brought into contact with the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層と接触する電流ブロック層が半導体層から剥離するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

A wiring layer 30 is provided, as a conductor layer having a predetermined pattern on a principal surface opposite to a principal surface having a semiconductor element 40 of an insulating resin layer 20.例文帳に追加

配線層３０は、絶縁樹脂層２０の半導体素子４０と反対側の主表面に所定パターンを有する導体層として設けられている。 - 特許庁

An end of an upper face of the element isolation insulating layer 51 adjacent to the floating electrode layer 32 is positioned in a level lower than the upper face of the floating electrode layer 32.例文帳に追加

浮遊電極層３２に隣接する素子分離絶縁層５１の上面の端部は、浮遊電極層３２の上面よりも低い高さに位置する。 - 特許庁