「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

The cap layer itself functions as a luminous layer, and the luminous wavelength can be selected by an element to be doped.例文帳に追加

上記キャップ層自体が発光層として機能し、発光波長はドープする元素により選択することができる。 - 特許庁

Thereafter, a solid electrolyte layer and an electrode layer are formed in order on each element formation part 15 of the valve metal substrate 7A.例文帳に追加

その後、弁金属基体７Ａの各素子形成部１５に固体電解質層及び電極層を順に形成する。 - 特許庁

Consequently, a storage element can be fabricated without specially providing an insulating layer nor a semiconductor layer between the electrodes.例文帳に追加

これにより、電極間に絶縁層や半導体層を別途設けることなく、記憶素子を作製することができる。 - 特許庁

The organic EL element 10 has a functional layer 5 equipped with at least a luminous layer 9 between a pair of electrodes.例文帳に追加

一対の電極間に、少なくとも発光層９を備えた機能層５を有してなる有機ＥＬ素子１０である。 - 特許庁

On this void nitride semiconductor layer 4, at least a light emitting element forming nitride semiconductor layer.例文帳に追加

このボイド窒化物半導体層の上に少なくとも１層の発光素子形成用窒化物半導体層を形成する。 - 特許庁

The photo- addressable display element 7 is obtained by successively laminating a first electrode, electrochromic layer, photoconductive layer and second electrode.例文帳に追加

光書込み表示素子７は、第一電極、エレクトロクロミック層、光導電層、第二電極を順次積層してなる。 - 特許庁

The terminal 22 is constructed of a first conductor layer 24, a power interruption element (poly-switch) 26, and a second conductor layer 28.例文帳に追加

端子２２は、第１の導体層２４と、電力遮断素子（ポリスイッチ）２６と、第２の導体層２８から構成される。 - 特許庁

This photovoltaic element 10 consists of a structure formed by laminating an underlayer 3, a (p) layer 4, an (i) layer 5, an (n) layer 6, and an electrode 7 one by one on the transparent conductive layer 2 of a substrate 1.例文帳に追加

光起電力素子１０は、下地層３、ｐ層４、ｉ層５、ｎ層６および電極７を基板１の透明導電膜２上に順次積層した構造からなる。 - 特許庁

A heat generating belt 10 has a laminated structure composed of an elastic body layer and a release layer on an insulating base layer 11 and a resistance heating element layer 13, and formed in a rig-like shape.例文帳に追加

発熱ベルト１０は、絶縁基材層１１と抵抗発熱体層１３の上に弾性体層及び離型層からなる積層構造を備え、環状に形成されている。 - 特許庁

A magnetoresistance effect element, in which a sensor current is flowed in a direction perpendicular to a film surface, has an electron reflection layer on at least one of a pin layer, free layer, or nonmagnetic intermediate layer.例文帳に追加

センス電流を膜面に対して垂直方向に流す磁気抵抗効果素子において、ピン層、フリー層あるいは非磁性中間層の少なくともいずれかに電子反射層を設ける。 - 特許庁

In the organic EL element 9 provided with a base plate 1, an electrode layer 2, an organic layer 3, and an electrode layer 4, the organic layer 3 is made to contain a polymer with a glass transition temperature of 90 to 200°C.例文帳に追加

基板１、電極層２、有機層３、電極層４を備える有機ＥＬ素子９において、有機層３にガラス転移温度９０〜２００℃のポリマーを含有させる。 - 特許庁

To prevent a lower-layer wiring layer from being damaged related to a manufacturing method for a semiconductor device comprising a wiring element of a dual damascene structure at the upper part of the lower-layer wiring layer.例文帳に追加

本発明は下層配線層の上部にデュアルダマシン構造の配線要素を備える半導体デバイスの製造方法に関し、下層配線層の損傷を防止することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 10 comprises a buffer layer 14, an n-type GaN layer 16, an InGaN light emitting layer 18, and a p-type GaN layer 32 formed on a sapphire substrate 12.例文帳に追加

半導体発光素子１０は、サファイア基板１２上に、バッファ層１４と、ｎ型ＧａＮ層１６と、ＩｎＧａＮ発光層１８と、ｐ型ＧａＮ層３２とが積層される。 - 特許庁

An organic EL element 100 includes a hole implantation electrode 2, a hole implantation layer 3, an orange light emitting layer 4, a blue light emitting layer 5, an electron transporting layer 6, and an electron implantation electrode 7.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１００は、ホール注入電極２、ホール注入層３、橙色発光層４、青色発光層５、電子輸送層６および電子注入電極７を備える。 - 特許庁

An organic EL apparatus 11 includes an organic EL element 10 having a substrate 12, a positive electrode layer 14, a positive hole carrying layer 20, a light emitting layer 22 and a negative electrode layer 18, and a sealing cap 19.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１１は、基板１２と、陽極層１４・正孔輸送層２０・発光層２２・陰極層１８を含む有機ＥＬ素子１０と、封止キャップ１９とを備える。 - 特許庁

This element has a structure comprising a sapphire substrate 100 overlaid with a GaN buffer layer 101, a bonded polarity inverted layer 102, an Al_xGa_1-xN layer 103 and an n-GaN contact layer 104, as a basis.例文帳に追加

サファイア基板１００上に、ＧａＮバッファ層１０１，ボンド極性反転層１０２，Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層１０３，ｎ−ＧａＮコンタクト層１０４からなる構造を基礎としている。 - 特許庁

The nitride semiconductor element comprises a distortion suppression layer 110 formed on a silicon substrate 101 via an initial layer 102 and an operation layer 120 formed on the distortion suppression layer.例文帳に追加

窒化物半導体素子は、シリコン基板１０１の上に初期層１０２を介して形成された歪み抑制層１１０と、歪み抑制層の上に形成された動作層１２０とを備えている。 - 特許庁

The laser module 20 includes a photonic crystal laser element 1 comprising a substrate, a first conductivity type clad layer, a light-emitting layer, a second conductivity type clad layer, and a photonic crystal layer.例文帳に追加

レーザモジュール２０は、基板と、第１導電型のクラッド層と、発光層と、第２導電型のクラッド層と、フォトニック結晶層とを含むフォトニック結晶レーザ素子１を備えている。 - 特許庁

A semiconductor laser element is provided with an Si clad layer 13, an active layer 14, and a Zn clad layer 15, which are successively laminated upon a GaAs (100) substrate 11, and the clad layer 1 is formed in the shape of a mesa stripe.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、GaAs(100)基板１１上に順次に積層されたSiクラッド層１３、活性層１４及びZnクラッド層１５を備え、Znクラッド層１５がメサストライプに形成されている。 - 特許庁

The TMR element 18 is constituted having a tunneling barrier layer 16 interposed as a nonmagnetic layer between an upper layer 17 and a lower layer 15 with vertical magnetic anisotropy.例文帳に追加

垂直磁気異方性を持つ上磁性層１７と下磁性層１５との間に、非磁性層であるトンネル障壁層１６を介在させてＴＭＲ素子１８が構成されている。 - 特許庁

After drying a formed coating layer, the layer is sintered at a prescribed temperature as long as a prescribed time, to thereby manufacture this gas detection element having a coating layer on the surface of the sensitive layer.例文帳に追加

形成されたコーティング層を乾燥後、所定温度で所定時間焼結すると前記感応層の表面に被覆層を有するガス検知素子を作製することができた。 - 特許庁

The metal layer 10 has a wiring layer 11 functioning as an electrode, and a heat dissipation layer 12 formed separately from the wiring layer 11 and dissipates heat generated from the light-emitting element 50.例文帳に追加

金属層１０は、電極として機能する配線層１１と、配線層１１と別体からなり発光素子５０で発生する熱を逃がすための放熱層１２とを有している。 - 特許庁

The organic EL element is formed by laminating an organic layer 5 having at least a hole injection layer (a hole injection transport layer) 5a and a light-emitting layer 5b between a positive electrode and a negative electrode.例文帳に追加

有機ＥＬ素子は、少なくとも正孔注入層（正孔注入輸送層）５ａ及び発光層５ｂを有する有機層５を陽極と陰極との間に積層形成してなる。 - 特許庁

The display element is provided with a half mirror layer 2 having light reflectivity and translucency, and a display layer 4 overlayed on one surface side 2b of the half mirror layer 2 with an insulation layer 3 interposed.例文帳に追加

表示素子は、光反射性および透光性を有するハーフミラー層２と、ハーフミラー層２の一方面側２ｂに絶縁層３を介して重ね合わされた表示層４とを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element including an n-type clad layer having characteristics required for an n-type clad layer or a p-type clad layer having characteristics required for a p-type clad layer.例文帳に追加

ｎ型クラッド層に要求される特性を有するｎ型クラッド層またはｐ型クラッド層に要求される特性を有するｐ型クラッド層を備えた半導体素子を提供する。 - 特許庁

An active layer 5 and a current constriction layer 9 composed of a semiconductor, to which an oxygen element is added, are formed between the p-type semiconductor layer 2 and the n-type semiconductor layer 4.例文帳に追加

ｐ型半導体層２とｎ型半導体層４との間には、活性層５と、酸素元素が添加された半導体からなる電流閉じ込め層９とが設けられている。 - 特許庁

The group III-V nitride semiconductor laser element 100 includes: an n-type substrate 101; a lower semiconductor layer; an active layer 106; an upper semiconductor layer; and a current blocking layer 115.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ素子１００は、ｎ型基板１０１と、下部半導体層と、活性層１０６と、上部半導体層と、電流阻止層１１５とを備えている。 - 特許庁

The fuse element including a first layer formed of an oxide or a nitride and a second layer that becomes high resistant by nitridation or oxidation, in which the first layer and the second layer are in contact with each other, is manufactured.例文帳に追加

酸化物又は窒化物からなる第１の層と、窒化又は酸化することにより高抵抗化する第２の層により、第１の層と第２の層が接するヒューズ素子を作製する。 - 特許庁

In a ferromagnetic tunnel junction element having a laminated structure constituted of ferromagnetic layer/insulating layer/ferromagnetic layer, surface roughness Ra in the insulating layer is set as 1,0 [nm] or less.例文帳に追加

強磁性層／絶縁層／強磁性層からなる積層構造をもつ強磁性トンネル接合素子に於いて、絶縁層に於ける表面粗さＲａが１．０〔ｎｍ〕以下となるようにする。 - 特許庁

The ion generating element 10 has a discharge electrode 1, a dielectric 2, an induction electrode 3, a surface protective layer 7 consisting of a primer layer 4 and a hard coat layer 5, and a rear surface protective layer 6.例文帳に追加

イオン発生素子１０は、放電電極１と、誘電体２と、誘導電極３と、プライマー層４及びハードコート層５からなる表面保護層７と、裏面保護層６とを有している。 - 特許庁

This electroluminescence element has a cathode layer 2, an electroluminescence material layer 3 comprising the electroluminescence material, an electron-transporting luminescent layer 4 and an anode layer 5.例文帳に追加

本発明のエレクトロルミネッセンス素子は、陽極層２と、上記のエレクトロルミネッセンス用材料よりなるエレクトロルミネッセンス用材料層３と、電子輸送発光層４と、陰極層５とを有する。 - 特許庁

The semiconductor optical amplifying element is equipped with a first conductivity-type lower clad layer, a second conductivity-type upper clad layer, an active layer, and a diffraction grating layer.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る半導体光増幅素子は、第１導電型の下部クラッド層、第２導電型の上部クラッド層、活性層、回折格子層を備えている。 - 特許庁

The electroluminescent element of the present invention includes an independent nanocrystal luminous layer in contact with a high polymer hole transporting layer between the high polymer hole transporting layer and an organic material electron transporting layer.例文帳に追加

本発明のエレクトロルミネッセンス素子は、高分子正孔輸送層と有機物電子輸送層との間に、前記高分子正孔輸送層に接触した独立のナノ結晶発光層を含む。 - 特許庁

A second antiferromagnetic layer 33 is formed on both the side edges C of the element of a free magnetic layer 28, and a ferromagnetic layer 34 is provided on the second antiferromagnetic layer 33.例文帳に追加

フリー磁性層２８の素子両側端部Ｃ上には第２反強磁性層３３が形成され、前記第２反強磁性層３３上に強磁性層３４が設けられている。 - 特許庁

To provide an oxidized layer constriction-type surface-emitting laser element that controls oxidization of a low refractive point layer of a Distributed Bragg Reflector (DBR) mirror near an active layer, thus reducing a stress strain produced on the active layer.例文帳に追加

酸化層狭窄型の面発光レーザ素子で、活性層近傍のＤＢＲミラーの低屈折率層の酸化を抑制し、活性層に生ずる応力歪みを低減する。 - 特許庁

Concretely, the display device includes the semiconductor element, and a light emitting element connected electrically to the semiconductor layer carried by the semiconductor element, and the semiconductor layer includes a region which can be regarded as the resistor provided between the semiconductor element and the light emitting element.例文帳に追加

具体的には、半導体素子と、前記半導体素子の有する半導体層と電気的に接続された発光素子と、を有する表示装置であり、前記半導体層には、前記半導体素子と前記発光素子との間に設けられた抵抗体とみなせる領域が含まれる。 - 特許庁

The hard carbon film is provided at least the surface layer of which contains 3-25 atomic% nitrogen and 4-22 atomic% of at least one kind of metal element selected from a group consisting of a group IIb element, a group IIIa element, a group IVa element, a group Va element, a group VIa element, a group VIIa element and a group VIII element.例文帳に追加

少なくとも表面層が、窒素を３〜２５原子％と、ＩＩｂ族元素、ＩＩＩａ族元素、ＩＶａ族元素、Ｖａ族元素、ＶＩａ族元素、ＶＩＩａ族元素及びＶＩＩＩ族元素から成る群より選ばれた少なくとも１種の金属元素を４〜２２原子％含有する硬質炭素膜。 - 特許庁

Further, a process forming the n-type diamond layer on the surface of the substrate and a process containing a transition metal element from a surface layer side of the n-type diamond layer to the surface layer part of the n-type diamond layer are included.例文帳に追加

また、基体の表面上にｎ型ダイヤモンド層を形成する工程と、前記ｎ型ダイヤモンド層の表層部に、該ｎ型ダイヤモンド層の表層側から遷移金属元素を含有させる工程と、を含むこと。 - 特許庁

The electrode layer 7 is provided with a 1st layer 7a arranged so as to overlap with a part of upper surface of the MR element 5 through a protecting layer and a second layer 7b arranged so as to partially overlap with this first layer 7a.例文帳に追加

電極層７は、保護層を介してＭＲ素子５の上面の一部に重なるように配置された第１層７ａと、この第１層７ａに部分的に重なるように配置された第２層７ｂとを有している。 - 特許庁

A soft magnetic bias gap layer 5, a soft magnetic bias layer 6, a separation layer 7, magneto-resistance effect layer 8 and a magneto- resistance effect gap layer are provided with a step part 1b formed in the track width direction of a MR element 1.例文帳に追加

軟磁性バイアスギャップ層５と、軟磁性バイアス層６と、分離層７と、磁気抵抗効果層８と、磁気抵抗効果ギャップ層９とに、ＭＲ素子１のトラック幅方向に形成された段差部１ｂを設ける。 - 特許庁

The organic light-emitting element includes a first electrode, positive-hole injection layer, positive-hole transportation layer, light-emitting layer, and a second electrode, wherein the thickness ratio of the positive-hole injection layer to the positive-hole transportation layer is between 1:1 and 1:10.例文帳に追加

有機発光素子は，第１電極，正孔注入層，正孔輸送層，発光層および第２電極を含み，正孔注入層と正孔輸送層の厚さ比が１：１〜１：１０であることを特徴とする。 - 特許庁

Heat generated from the semiconductor element 3 is efficiently transferred to the first heat transfer layer 4, the second heat transfer layer 5, and the third heat transfer layer 6 to be radiated to the exterior from the third heat transfer layer 6 exposed from the resin layer 7.例文帳に追加

半導体素子３で発生した熱は、第１伝熱層４、第２伝熱層５、第３伝熱層６へと効率的に伝熱され、樹脂層７から表出する第３伝熱層６から外部へと放熱される。 - 特許庁

The semiconductor element includes an undoped GaN layer 3, an Si film 31, an n-type GaN layer 4, an MQW active layer 5, and a p-type GaN layer 6 laminated in this order on an AlN buffer layer 2 formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１上に形成されたＡｌＮバッファ層２上にアンドープＧａＮ層３、Ｓｉ膜３１、ｎ型ＧａＮ層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層されている。 - 特許庁

In a manufacturing method for the near-field light generating element 16, first, a polishing stop layer is formed on a metal layer, and the polishing stop layer and the metal layer are etched so that the slope 16b is formed on the metal layer.例文帳に追加

近接場光発生素子１６の製造方法では、まず、金属層の上に研磨停止層を形成し、金属層に斜面１６ｂが形成されるように研磨停止層および金属層をエッチングする。 - 特許庁

The organic EL element is constructed by arranging an organic layer between an anode and a cathode, and the organic layer is constituted of a hole injecting layer, a hole transporting layer, and an electron transporting luminous layer successively from the anode side.例文帳に追加

有機ＥＬ素子は陽極と陰極との間に有機層が設けられて構成され、該有機層は陽極側から順に正孔注入層、正孔輸送層及び電子輸送性発光層で構成されている。 - 特許庁