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layer elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 18197件
The cathode active material layer 11 is provided on a side of the electrolytic layer 13 opposite to the organic EL element 20, and emits electrons toward the electrolytic layer 13.例文帳に追加
陰極活物質層11は、電解質層13における有機EL素子20側の反対面側に設けられ、電解質層13に電子を放出する。 - 特許庁
The cylinder is provided with an outer layer 9 and an inner layer 10 of copper alloys and a hardening element 11 precipitates in the outer layer surface and in its vicinity.例文帳に追加
円筒体は銅合金製の外層9と内層10とを備え、外層表面及びその近傍には硬化成分11が析出している。 - 特許庁
A piezoelectric material layer 22, which constitutes a piezoelectric element 20, a positive electrode layer 24A, and a negative electrode layer 24B are laminated along the face direction of a diaphragm 18.例文帳に追加
圧電素子20を構成する圧電体層22及び正電極層24A、負電極層24Bを振動板18の面方向に沿って積層する。 - 特許庁
The emitting element has at least a GaN layer of the n-type nitride semiconductor layer or the p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加
また、本発明の発光素子は、前記n型窒化物半導体層またはp型窒化物半導体層の少なくともは少なくともGaN層を有する。 - 特許庁
To provide a photoelectric conversion element having a diffusion preventing layer, which simultaneously realizes a good junction between a photoelectric conversion layer and the diffusion preventing layer and high light transmittance.例文帳に追加
光電変換層との間での良好な接合と、高い光透過率とを同時に実現する拡散防止層を有する光電変換素子を提供する。 - 特許庁
A semiconductor light-emitting element comprises a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, a light-emitting layer, first electrodes, second electrodes, and a supporting substrate.例文帳に追加
実施形態に係る半導体発光素子は、第1半導体層、第2半導体層、発光層、第1電極、第2電極及び支持基板、を備える。 - 特許庁
PHOTOSENSITIVE MATERIAL FOR FORMING DIFFUSE REFLECTION LAYER, PHOTOSENSITIVE ELEMENT, PRODUCTION OF DIFFUSE REFLECTION LAYER FOR REFLECTION TYPE LCD USING THESE AND DIFFUSE REFLECTION LAYER例文帳に追加
拡散反射層形成用感光材、感光性エレメント、これらを用いた反射型LCD用拡散反射層の製造法及び拡散反射層 - 特許庁
The first deflecting layer 22 or the second deflecting layer 24 is thermally expanded by heating, and the cantilever beam element 20 is deflected on the opposite side of the expanded deflecting layer.例文帳に追加
第1の偏向層22または第2の変更層24は加熱によって熱膨張し、片持ち梁要素20は膨張した偏向層の反対側で撓む。 - 特許庁
A semiconductor light-emitting element comprises a supporting substrate, a first electrode, a first-conductivity-type layer, a light-emitting layer, a second-conductivity-type layer, and a second electrode.例文帳に追加
半導体発光素子は、支持基板と、第1電極と、第1導電形層と、発光層と、第2導電形層と、第2電極と、を有する。 - 特許庁
To provide a light emitting element in which the oxidation of the Al component of an Al-containing compound semiconductor layer can be prevented effectively, furthermore, contact resistance between the element and an element substrate and, in addition, the forward voltage of the element can be reduced even when the compound semiconductor layer is disposed on the side of the surface of the element stuck to the element substrate.例文帳に追加
素子基板との貼り合わせ面側にAl含有化合物半導体層が配置される場合でも、該Al含有化合物半導体層のAl成分が酸化されることが効果的に防止され、ひいては素子基板との間の接触抵抗ひいては順方向電圧の低減が容易な発光素子を提供する。 - 特許庁
A 1st antenna element 151, a 2nd antenna element 152, and a 3rd antenna element 153 are arranged on the dielectric layer 147 in the wrist band 122, and a 4th antenna element 154, a 5th antenna element 155 and a 6th antenna element 156 are placed on the dielectric layer 148 in the other wrist band 123.例文帳に追加
一方のリストバンド122内には、誘電体層147上に第1アンテナ素子151、第2アンテナ素子152、第3アンテナ素子153が配置され、他方のリストバンド123内には、前記誘電体層148上に第4アンテナ素子154、第5アンテナ素子155、第6アンテナ素子156が配置されている。 - 特許庁
A method of manufacturing a magnetoresistance effect element including a magnetization free layer 28, a magnetization fixed layer 26, and a barrier layer 27 provided between the magnetization free layer 28 and the magnetization fixed layer 26, includes steps of: laminating a MgO layer, a Mg layer, and a ZnO layer to form the barrier layer 27; and heating the barrier layer in vacuum after the formation of the barrier layer.例文帳に追加
磁化自由層28と、磁化固定層26と、前記磁化自由層28と前記磁化固定層26との間に配置されたバリア層27とを備える磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記バリア層27として、MgO層/Mg層/ZnO層を成膜する工程と、前記バリア層を成膜した後、該バリア層を真空中において加熱する工程と、を有する。 - 特許庁
On the surface of the insulating layer 12 and the second vertical connection layer 15B, a storage layer 16 containing an ionizable metallic element such as Cu along with a chalcogenide element such as Te and an upper electrode 17 are laminated in this order, thus constituting a memory element 1.例文帳に追加
絶縁層12および第2縦接続層15Bの表面上に、Teなどのカルコゲナイド元素と共にCuなどイオン化可能な金属元素を含む記憶層16および上部電極17がこの順に積層され、記憶素子1を構成する。 - 特許庁
The hologram forming layer 42 may be any of a phase type diffraction optical element having a rugged structure 43 on the surface, a phase type diffraction optical element having an index distribution within a layer, and an amplitude type diffraction optical element having an index distribution in the layer.例文帳に追加
ホログラム形成層42が、表面に凹凸構造43を持った位相型回折光学素子、層内部の屈折率分布を持った位相型回折光学素子、層の透過率の分布を持った振幅型回折光学素子の何れでもよい。 - 特許庁
A light-emitting element 100 comprises an element body 60, provided with light-emitting layer 24 comprising a compound semiconductor layer, and an electrode 10 provided on the surface of the element body 60 for applying a light-emission drive voltage to the light-emitting layer 24.例文帳に追加
発光素子100は、化合物半導体層からなる発光層部24を有した素子本体部60と、発光層部24に発光駆動電圧を印加するために素子本体部60の表面に設けられた電極10とを有する。 - 特許庁
The reproducing head is provided with a GMR element 5, a lower shield layer 3 and an upper shield layer 8 for shielding the GMR element 5, the conductive layer 6 connected to the GMR element 5 and shield gap films 4a, 4b, 7a and 7b formed between the shield layers 3 and 8.例文帳に追加
再生ヘッドは、GMR素子5と、GMR素子5をシールドするための下部シールド層3および上部シールド層8と、GMR素子5に接続された導電層6と、シールド層3,8の間に形成されたシールドギャップ膜4a,4b,7a,7bを備えている。 - 特許庁
The bias magnetic field inductive layer 8D is disposed in a position shifted from the dummy element 20D and, by aligning the bias magnetic field inductive layer 8D with the dummy element 20D, the TMR element 20R and the bias magnetic field inductive layer 8R are aligned with each other.例文帳に追加
バイアス磁界誘導層8Dはダミー素子20Dからずれた位置に配置され、バイアス磁界誘導層8Dとダミー素子20Dとの位置合わせにより、TMR素子20Rとバイアス磁界誘導層8Rとの位置合わせが行われる。 - 特許庁
The impermeable layer may be constituted of a fiber layer containing an oil repelling agent and denser than the filter medium of the oil impregnated falter element.例文帳に追加
透過防止層は、撥油剤を含み、かつオイル含浸濾過材の濾過材より密な繊維層で構成してもよい。 - 特許庁
To provide an organic electroluminescence element assuring higher light emitting efficiency for reducing leak of energy to a peripheral layer other than the light emitting layer.例文帳に追加
発光層以外の周辺層へのエネルギー漏洩を低減でき、発光効率の高い有機EL素子を提供する。 - 特許庁
To provide an electro-optical device capable of enhancing the uniformity of the film thickness of a functional layer (for instance, a light-emitting layer) of an operation element.例文帳に追加
本発明の目的は、動作素子の機能層(例えば発光層)の膜厚の均一性を高めることにある。 - 特許庁
To provide an organic EL (Electro-Luminescence) element high in durability and high in adhesiveness of an interface between a hole transport layer and a luminescent layer.例文帳に追加
耐久性が高く、かつ、ホール輸送層と発光層との界面の密着性も高い有機EL素子を提供する。 - 特許庁
COMPOSITION, FILM USING THE SAME, CHARGE TRANSPORT LAYER, ORGANIC ELECTRIC FIELD LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR FORMING CHARGE TRANSPORT LAYER例文帳に追加
組成物、並びに、該組成物を用いた膜、電荷輸送層、有機電界発光素子、及び電荷輸送層の形成方法 - 特許庁
The optical element (b) is constituted by turning upside down an object formed by combining a resin layer 2 and a resin layer 3 in (a).例文帳に追加
(a)における樹脂層2と樹脂層3を組み合わせたものの上下を、そっくり反転したものが(b)となっている。 - 特許庁
To provide a high-performance semiconductor optical element by a method wherein an In1-x-yAlxGayAs or In1-xAlxAs mixed crystal layer is used for a current constricting layer.例文帳に追加
In_1-x-yAl_xGa_yAsあるいはIn_1-xAl_xAs混晶を電流狭窄層に用いることにより高性能の半導体素子を提供する。 - 特許庁
The solvent contained in the resin solution is volatilized to form a resin layer on the surface of the capacitor element (resin layer formation).例文帳に追加
樹脂溶液に含まれる溶剤を揮発させてコンデンサ素子の表面に樹脂層を形成する(樹脂層形成)。 - 特許庁
The ceramic package 10 for a light emitting element includes a ceramic substrate 11, a metallized layer 42, a metallic layer 43 or the like.例文帳に追加
本発明の発光素子用セラミックパッケージ10は、セラミック基板11、メタライズ層42、金属層43などを備える。 - 特許庁
To provide a multi-layer film optical element formed by joining substrates comprising same material mutually on both faces of a multi-layer film.例文帳に追加
多層膜の両面に互いに同一の材料より成る基板を接合した多層膜光学素子を提供する。 - 特許庁
The insulating layer 5 is stacked on the metal substrate 2 except at the element fitting portion 3, and the conductor 8 is provided on the layer 5.例文帳に追加
絶縁層5を金属基板2に素子取付け部3を除いて積層し、この層5上に導体8を設ける。 - 特許庁
In a thinning type IGBT element, an N-type hole stopper layer 19 is formed on a P-type float layer 18 of a dummy cell.例文帳に追加
間引き型のIGBT素子において、ダミーセルのP型のフロート層18にN型のホールストッパー層19を設ける。 - 特許庁
Charges accumulated in the photoelectric conversion element 25 are transferred to the second diffusion layer 60 through the first diffusion layer 55.例文帳に追加
光電変換素子25に蓄積された電荷は、第1拡散層55を通じて第2拡散層60へ転送される。 - 特許庁
The organic electroluminescent element is provided with an intermediate layer 18 between an upper electrode 17 and an organic layer 16 while contacting with the upper electrode 17.例文帳に追加
上部電極17と有機層16との間に、中間層18を上部電極17に接して設ける。 - 特許庁
A liquid crystal display element includes a first layer having two substrates and a liquid crystal layer formed between the two substrates.例文帳に追加
液晶表示素子は、二つの基板と、二つの基板間に形成された液晶層とを有する第一の層を備える。 - 特許庁
COMPOSITION FOR FORMING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD OF PRODUCING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT, AND SOLAR CELL例文帳に追加
p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池 - 特許庁
The organic electroluminescent element contains the compound in a layer contacting to the interface of an emitter layer or the interface of an anode side.例文帳に追加
発光層または発光層の陽極側界面に接する層に、この化合物を含む有機電界発光素子。 - 特許庁
Moreover, preferably, a cap layer is formed closer to the layer 3 than to the silicon oxide film doped with the group V element.例文帳に追加
また、好ましくは、V族元素が添加されたシリコン酸化膜とよりも半導体層3側にキャップ層を形成する。 - 特許庁
Each solar cell element 1 is sealed between the first transparent resin layer 6 and the second transparent resin layer 7.例文帳に追加
第1透過性樹脂層6と第2透過性樹脂層7との間に各太陽電池素子1が封止されている。 - 特許庁
An undoped polysilicon film is deposited after a gate insulating film is formed on a semiconductor layer in which a device-element isolation layer has been formed.例文帳に追加
素子分離層を形成した半導体層上にゲート絶縁膜を形成した後、アンドープポリシリコン膜を堆積する。 - 特許庁
A first bias layer 10 and a second bias layer 11 are disposed on both sides along a direction X of a first element part 9A.例文帳に追加
第1素子部9AのX方向の両側に第1バイアス層10及び第2バイアス層11が配置される。 - 特許庁
An electrode layer formed at the end of a ceramic heating element is coated with a heat resistant and acidproof protective layer of a silicone resin.例文帳に追加
セラミック発熱体の端部に形成された電極層をシリコン樹脂からなる耐熱、耐酸性の保護層で被覆する。 - 特許庁
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT FOR LAMINATING HEUSLAR MAGNETIC LAYER AND NON-MAGNETIC INTERMEDIATE LAYER IN BODY-CENTERED CUBIC STRUCTURE AND MAGNETIC HEAD例文帳に追加
ホイスラー磁性層と体心立方構造の非磁性中間層を積層した磁気抵抗効果素子および磁気ヘッド - 特許庁
COMPOSITION, FILM PREPARED USING THE COMPOSITION, CHARGE TRANSPORT LAYER, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, AND METHOD FOR FORMING CHARGE TRANSPORT LAYER例文帳に追加
組成物、並びに、該組成物を用いた膜、電荷輸送層、有機電界発光素子、及び電荷輸送層の形成方法 - 特許庁
A heat conducting layer is formed on a surface of the heat radiation element and a part of the heat conducting layer is exposed by the openings of the insulation cover.例文帳に追加
放熱素子の表面に導熱層を形成し、絶縁カバーの開口によって導熱層の一部を露出する。 - 特許庁
To provide a light emitting element wherein a luminous layer is formed without providing a partition for dividing each luminous layer.例文帳に追加
各発光層の区分けをするための隔壁を設けることなく発光層を形成した発光素子を提供する - 特許庁
The photoelectric conversion element includes: a conductive thin film; an organic photoelectric conversion film; a blocking layer; and a transparent conductive layer.例文帳に追加
導電性薄膜、有機光電変換膜、ブロッキング層及び透明導電性薄膜を含んでなる光電変換素子。 - 特許庁
The layer 5 is formed by doping an element such as cobalt and chromium and the thickness of the layer 5 is set to equal to or less than 0.5μm.例文帳に追加
損失層5の形成は、コバルト、クロムなどの元素をドープすることでなされ、その厚さは0.5μm以下とされる。 - 特許庁
On the etching stop layer 5, an upper part second clad layer 7 of a ridge type is formed along the element length direction.例文帳に追加
エッチングストップ層5の上には、リッジ形状の上部第2クラッド層7が素子の長さ方向に沿って形成されている。 - 特許庁
An independent layer is provided on each of the side arms of the metal frame, and a piezoelectric element is joined to the independent layer.例文帳に追加
また、独立層が、金属フレームの各サイドアームに装備されており、圧電素子が、この独立層に接合されている。 - 特許庁
An N+layer 13 for contact is formed on the N well layer 2 between the element separating and insulating film 3a and the same film 3b.例文帳に追加
素子分離絶縁膜3aと3bとの間のNウェル層2上にはコンタクト用のN+層13を形成する。 - 特許庁
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