「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor element has the nitride semiconductor layer 8 on the Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の上に窒化物半導体層８を備えた半導体素子である。 - 特許庁

The wavelength conversion element 11 has a wavelength conversion member 12 and a reflective layer 13.例文帳に追加

波長変換素子１１は、波長変換部材１２と、反射層１３とを有する。 - 特許庁

In the light emitting element, the thickness of the layer (B) may be 1 nm or greater and 5 nm or smaller.例文帳に追加

層（Ｂ）の膜厚が１ｎｍ以上５ｎｍ以下である上記の発光素子。 - 特許庁

A double wire type light-emitting element 2 where a semiconductor light-emitting layer is laminated on the back of the translucent element substrate, and the light emitted from the light-emitting layer is taken out is employed.例文帳に追加

発光素子２に、透光性の素子基板の裏面に半導体発光層を積層し、この発光層から放出された光を取出すダブルワイヤー型のものを使用する。 - 特許庁

SURFACE LIGHT SOURCE ELEMENT WITH POLARIZATION FUNCTIONAL LAYER, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

偏光機能層付き面光源素子およびこれを用いた液晶表示装置 - 特許庁

Otherwise, after the plurality of fabrics are laid on the element layer, the fabrics are impregnated with the organic resin to form the structures fixed to the element layer.例文帳に追加

或いは、素子層に繊維体を複数重ねた後、該繊維体に有機樹脂を含浸させることで、素子層に固着した上記構造体を形成することができる。 - 特許庁

To provide an undercoating layer for an inkjet recording element having a favorable adhesion between a support and an image receiving layer, and a printing method in which the element is employed.例文帳に追加

本発明の目的は、支持体と画像受容層との間での良好な接着性を有するインクジェット記録要素のための下塗り層を提供することである。 - 特許庁

To increase the tunnel current passing cross-sectional area of a tunnel magnetoresistive effect element while the element is constituted so that an insulating layer which becomes an insulating barrier layer may be formed before magnetic layers are formed.例文帳に追加

磁性層の形成に先立って絶縁障壁層となる絶縁層を形成することができる構成としつつ、トンネル電流の通過断面積の増大を図る。 - 特許庁

The electrode 14 is solid-phase joined with the P-type thermoelectric element 12 through a metallic layer 19 and solid-state joined with the N-type thermoelectric element 13 through a metallic layer 20.例文帳に追加

電極１４は、金属層１９を介してＰ型熱電素子１２と固相接合され、金属層２０を介してＮ型熱電素子１３と固相接合されている。 - 特許庁

The magnetoresistive effect device 5 has a first MR element 50, an insulation layer 55 formed on the first MR element 50, and a second MR element 6 stacked on the first MR element 50 via this insulation layer 55.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置５は、第１のＭＲ素子５０と、この第１のＭＲ素子５０の上に形成された絶縁層５５と、この絶縁層５５を介して第１のＭＲ素子５０の上に積層された第２のＭＲ素子６０とを備えている。 - 特許庁

A multipiece substrate includes a plurality of light emitting element housing parts 4, and each of the plurality of light emitting element housing parts 4 includes a gold-plated layer 9 electrically connected to the light emitting element 3, and a silver-plated layer 10 surrounding the light emitting element 3.例文帳に追加

多数個取り基板は、複数の発光素子収納部４を有しており、複数の発光素子収納部４の各々が、発光素子３に電気的に接続される金めっき層９と発光素子３を囲む銀めっき層１０とを含んでいる。 - 特許庁

A second element has: a second body region 31 which is formed in the element forming film adjacent to the first element; a second impurity diffusion layer 7; and a third impurity diffusion layer 9 which is formed in the element forming film and reaches the insulating film.例文帳に追加

第２の素子は、第１の素子に隣接し、素子形成膜に形成される第２のボディ領域３１と、第２の不純物拡散層７と、素子形成膜に形成され絶縁膜に到達した第３の不純物拡散層９とを有する。 - 特許庁

This invention relates to the electronic element having a PN junction formed by joining a first semiconductor layer and a second semiconductor layer together, and the method of manufacturing the electronic element, wherein the first semiconductor layer is a polycrystalline semiconductor layer formed of the rare earth iron oxide, and the second semiconductor layer is an organic semiconductor layer formed of an organic material.例文帳に追加

第１の半導体層と第２の半導体層とを接合させて形成したＰＮ接合を備えた電子素子及びその製造方法において、第１の半導体層を希土類鉄酸化物で形成した多結晶半導体層とし、第２の半導体層を有機材料で形成した有機半導体層とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the light-emitting material includes the steps of: forming a first layer containing a luminescence center element in a container; forming a second layer containing a host material in the container so as to cover the first layer; and performing heat treatment to the first layer and the second layer in the container, whereby the second layer is doped with the luminescence center element.例文帳に追加

容器内に、発光中心元素を含む第１の層を形成し、第１の層を覆うように、母体材料を含む第２の層を形成し、容器内の前記第１の層および第２の層に加熱処理を施すことによる、前記発光中心元素を第２の層に添加させる発光材料の製造方法である。 - 特許庁

The light emitting element includes a conductive support member, a second conductivity type semiconductor layer formed on the conductive support member, an active layer formed on the second conductivity type semiconductor layer, a first conductivity type semiconductor layer formed on the active layer, and a protection element formed on the first conductivity type semiconductor layer.例文帳に追加

本発明に従う発光素子は、伝導性支持部材と、上記伝導性支持部材の上に第２導電型半導体層と、上記第２導電型半導体層の上に活性層と、上記活性層の上に第１導電型半導体層と、上記第１導電型半導体層の上に保護素子と、を含む。 - 特許庁

A first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a third semiconductor layer are formed by forming a first element separation region 110a extending to an insulating layer, and a third element separation region 110b on a substrate 10 on which there are formed in order a support substrate 10a, the insulating layer 10b, and a semiconductor layer 10c.例文帳に追加

支持基板１０ａと絶縁層１０ｂと半導体層１０ｃとが順に形成された基板１０に、絶縁層に到達する第１素子分離領域１１０ａおよび第３素子分離領域１１０ｂを形成することで第１半導体層、第２半導体層および第３半導体層を形成する。 - 特許庁

The heat sink 10 comprise a mounting layer 11 on which a semiconductor element 10a is mounted, a thermal stress softening layer 15 of a three-layer structure including a first thermal stress softening layer 12, a second thermal stress softening layer 13 and a third thermal stress softening layer 14, and a heat radiating layer 16 for radiating outside heat generated by the semiconductor element 10a.例文帳に追加

本発明の多層ヒートシンク１０は、半導体素子１０ａを搭載する搭載層１１と、第１熱応力緩和層１２と第２熱応力緩和層１３と第３熱応力緩和層１４からなる３層構造の熱応力緩和層１５と、半導体素子１０ａが発生した熱を外部に放出する放熱層１６を備えている。 - 特許庁

At this time, it is preferable that a conductive layer 6' including a metal layer having a small work function is formed between the organic layer 3 and transparent protective layer 4, and it is preferable that the conductive layer 6' comprises a first conductive layer 6a as the metal layer having the small work function and a second conductive layer 6b at least containing an element that belongs to a group I or II of an element periodic law.例文帳に追加

このとき、有機層３と透明保護層４との間に、仕事関数の小さい金属層を含む導電層６’を形成することが好ましく、その導電層６’が、仕事関数の小さい金属層である第１導電層６ａと、元素周期律の１族又は２族に属する元素を少なくとも含む第２導電層６ｂとからなるように構成することが好ましい。 - 特許庁

The light-emitting element 100, a light-emitting element containing a nitride-based compound semiconductor, includes a light-emitting layer 5, a supporting substrate 1, a reflection layer 31 formed between the light-emitting layer 5 and the supporting substrate 1, and a protective layer 32 arranged adjacently to the reflection layer 31 and formed of a metal.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体を含む発光素子であって、発光層５と、支持基板１と、発光層５と支持基板１との間に形成された反射層３１と、反射層３１に隣接して配置され金属で形成されている保護層３２とを含む発光素子１００。 - 特許庁

The magnetic memory element 3 includes a fixed layer 19 whose magnetization direction is fixed, a storage layer 21 whose magnetization direction is variable and a tunnel insulating film 20 arranged between the fixed layer 19 and the storage layer 21, and the element inverts the magnetization direction of the storage layer 21 by electrons which are spin-polarized.例文帳に追加

磁気記憶素子３は、磁化方向が一定である固着層１９、磁化方向が可変である記憶層２１、および、固着層１９と記憶層２１との間に配置されたトンネル絶縁膜２０を有し、スピン偏極した電子により記憶層２１の磁化方向を反転させる。 - 特許庁

The ice-melting and snow-melting/ice and snow accretion prevention means is provided with a heating element 6 of three layer structure, the heating element laminating a buffer layer (S_iOx film), an ultraviolet absorbing layer (ZnO film) also serving as a heat generation layer, and a hard coat layer (SiO_xfilm) in order on a lens base body (polycarbonate).例文帳に追加

融氷融雪・着氷着雪防止手段は、レンズ基材（ポリカーボネート）上に順次バッファ層（ＳｉＯ_Ｘ膜）、発熱層を兼ねた紫外線吸収層（ＺｎＯ膜）、およびハードコート層（ＳｉＯ_Ｘ膜）を積層した３層構造の発熱体６を設けたことである。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises: a semiconductor substrate; a semiconductor light-emitting layer and a dielectric layer constituting a light-emitting element, formed above the semiconductor substrate; and a carbon nano-tube or a graphene layer formed above and on the semiconductor light-emitting layer and the dielectric layer.例文帳に追加

本発明による発光素子は、半導体基板上に、発光素子を構成する半導体発光層および誘電体層、カーボンナノチューブ乃至はグラフェン層が形成され、前記半導体及び誘電体層上にはカーボンナノチューブ乃至はグラフェン層が形成されていることを特徴とするものである。 - 特許庁

The second adhesive layer 9 in the double-layer structure has a first layer that is disposed at a side of the first semiconductor element 5 and softened or melted at a temperature in adhesion, and a second layer that is disposed at a side of the second semiconductor element 8 and holds a layer form at a temperature in adhesion.例文帳に追加

2層構造の第２の接着剤層９は、第１の半導体素子５側に配置されて接着時温度で軟化または溶融する第１の層と、第２の半導体素子８側に配置されて接着時温度で層形状を維持する第２の層とを有している。 - 特許庁

With a phosphorescent luminous element having at least an electrode, a luminous layer containing a host material and a phosphorescent material, and a hole block layer, a high-efficiency and long-life luminous element is realized by providing a layer made of the host material on an interface of the luminous layer and the hole block layer.例文帳に追加

少なくとも電極と、ホスト材料と燐光材料とを含む発光層と、正孔ブロック層とを有する燐光発光素子において、発光層と正孔ブロック層の界面に、前記ホスト材料からなる層を設けることにより、高効率で長寿命の発光素子を実現することができる。 - 特許庁

The magnetoresistance effect device is provided with a first shielding layer 3 and a second shield layer 8 arranged separating by the prescribed interval, a MR element 5 arranged between the first shielding layer 3 and a second shielding layer 8, and a substrate 4 arranged between first shielding layer 3 and a MR element 5.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置は、所定の間隔を開けて配置された第１のシールド層３および第２のシールド層８と、第１のシールド層３と第２のシールド層８との間に配置されたＭＲ素子５と、第１のシールド層３とＭＲ素子５との間に配置された下地層４とを備えている。 - 特許庁

In the manufacturing method of a semiconductor device, an island-form semiconductor layer 4 and a second insulating layer 7 surrounding the semiconductor layer are formed on a first insulating layer 3, and a resistance element 13 comprising a conductive film (e.g., a polycrystal silicon resistance element) is so disposed that it overlaps in a planar way with the top surface of the semiconductor layer.例文帳に追加

第１の絶縁膜３上に、島状の半導体層４及び前記半導体層を囲む第２の絶縁膜７を形成し、前記半導体層の上面と平面的に重なるようにして導電膜からなる抵抗素子１３（例えばポリシリコン抵抗素子）を配置する。 - 特許庁

The transparent moisture barrier film is formed by sequentially laminating a silicon oxynitride layer (1) on a resin substrate and further a silicon oxynitride layer (2) on the layer (1), wherein an element concentration ratio of O/(O+N) in the silicon oxynitride layer (1) is smaller than an element concentration ratio of O/(O+N) in the silicon oxynitride layer (2).例文帳に追加

樹脂基材上に窒化酸化珪素層 、さらにその上に窒化酸化珪素層 の順に積層し構成された透明水蒸気バリアフィルムにおいて、窒化酸化珪素層 の元素濃度比O/(O+N)が窒化酸化珪素層 の元素濃度比O/(O+N)よりも小さいことを特徴とする透明水蒸気バリアフィルム。 - 特許庁

The organic electroluminescent element has a pair of electrodes and an organic light-emitting layer disposed between the electrodes on a substrate; in the element, a layer containing the anthracene compound is disposed as the organic light-emitting layer and/or as a layer disposed between the organic light-emitting layer and the electrode.例文帳に追加

基板上に、一対の電極と、両極間に設けられた有機発光層とを有する有機電界発光素子において、有機発光層として、および／または該有機発光層と電極との間に設ける層として、このアントラセン系化合物を含む層を有する有機電界発光素子。 - 特許庁

The magnetic resistance element 4 includes a fixed ferromagnetic layer 1, a free ferromagnetic layer 3 and a nonmagnetic layer 2 provided between the fixed ferromagnetic layer 1 and the free ferromagnetic layer 3, so as to store data in the free ferromagnetic layer 3.例文帳に追加

磁気抵抗素子４は、固定強磁性層１と、自由強磁性層３と、固定強磁性層１と自由強磁性層３との間に介設された非磁性層２とを備えており、自由強磁性層３にデータを記憶するように構成されている。 - 特許庁

The substrate for mounting an element thereon includes: an insulation resin layer 10; a wiring layer 20 formed on one-side main surface of the insulation resin layer 10; and projection electrodes 30 electrically connected to the wiring layer 20 and projecting toward the insulation resin layer 10 from the wiring layer 20.例文帳に追加

絶縁樹脂層１０と、絶縁樹脂層１０の一方の主表面に設けられた配線層２０と、配線層２０と電気的に接続され、配線層２０から絶縁樹脂層１０側に突出している突起電極３０と、を備える。 - 特許庁

The optical element comprises: an SOI (Silicon on Insulator) substrate 20 comprising a support silicon layer 30, a BOX layer 40 and an SOI layer 50, layered in this order; a grating coupler 54 formed in the SOI layer; and an overclad layer 60 formed on the SOI layer.例文帳に追加

支持シリコン層３０、ＢＯＸ層４０及びＳＯＩ層５０がこの順に積層されたＳＯＩ基板２０と、ＳＯＩ層に形成されたグレーティングカプラ５４と、ＳＯＩ層上に形成されたオーバークラッド層６０とを備えて構成される。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 1 has a structure in which a reflection layer 3, an n-type cladding layer 4, a first light-emitting layer 5, a second light-emitting layer 6, a p-type cladding layer 7, and a p-type window layer 8 are sequentially laminated on a substrate 2 made of n-type GaAs.例文帳に追加

半導体発光素子１は、ｎ型ＧａＡｓからなる基板２上に反射層３と、ｎ型クラッド層４と、第１発光層５と、第２発光層６と、ｐ型クラッド層７と、ｐ型ウインドウ層８とが順に積層されている。 - 特許庁

A color filter layer and a light-emitting element are provided over the oxide insulating layer in the pixel portion, and a conductive layer overlapping with a gate electrode layer and the oxide semiconductor layer is provided over the oxide insulating layer in the thin film transistor for the driving circuit.例文帳に追加

画素部において酸化物絶縁層上にカラーフィルタ層と発光素子が設けられ、駆動回路用薄膜トランジスタにおいて、酸化物絶縁層上にゲート電極層及び酸化物半導体層と重なる導電層が設けられる。 - 特許庁

The semiconductor optical element 1 includes a first DBR reflection layer 4 provided on a semiconductor substrate 3 and having a first semiconductor layer and a second semiconductor layer alternately stacked, a first clad layer 5, an active layer 7, and a second clad layer 10.例文帳に追加

半導体光素子１は、半導体基板３上に設けられ第１半導体層及び第２半導体層が交互に積層された第１ＤＢＲ反射層４と、第１クラッド層５と、活性層７と、第２クラッド層１０とを備える。 - 特許庁

This manufacturing method of a semiconductor element includes processes of: forming an optical guide layer on a substrate; forming a cap layer on the optical guide layer; and forming openings in partial parts of the optical guide layer and the cap layer to form a diffraction grating from the part of the optical guide layer.例文帳に追加

基板上に光ガイド層を形成する工程と、該光ガイド層上にキャップ層を形成する工程と、該光ガイド層の一部が該回折格子を形成するように該光ガイド層と該キャップ層の一部に開口部を形成する工程とを備える。 - 特許庁

The light emitting element 1 has an emission layer part where a p-type clad layer 2, an active layer 33 and an n-type clad layer 34 are formed sequentially in this order and the p-type clad layer 2 comprises a p-type MgxZn1-xO layer (0<x≤1).例文帳に追加

発光素子１は、ｐ型クラッド層２、活性層３３及びｎ型クラッド層３４がこの順序にて積層された発光層部を有し、かつｐ型クラッド層２がｐ型Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（ただし、０＜ｘ≦１）層からなる。 - 特許庁

The heating device has an inner layer 50 of a sidewall, a middle layer 60 of the sidewall and an outer layer 70 of the sidewall, at least the inner layer 50 of the sidewall and the middle layer 60 of the sidewall have electrical conductivity, and the inner layer 50 of the sidewall holds a heating element 20.例文帳に追加

この加熱装置は、側壁内層５０、側壁中層６０及び側壁外層７０を有し、少なくとも側壁内層５０及び側壁中層６０が導電性を有し、側壁内層５０は発熱体２０を保持する。 - 特許庁

The method for manufacturing an organic EL element has a pasting process of pasting by overlapping, heating, and pressurizing an organic layer including a light-emitting layer and a cathode electrode layer, or an organic layer including a light-emitting layer and an anode electrode layer, and further, electric current is applied at the time of the heating and pressurizing.例文帳に追加

発光層を含む有機物層と陰電極層、または、発光層を含む有機物層と陽電極層とを重ね合わせ、加熱・加圧して貼り合わせを行う貼り合わせ工程を有し、上記加熱・加圧時にさらに通電を行う。 - 特許庁

A method of manufacturing the MR element 5 includes a step of forming a magnetization fixed layer 22 on an underlying layer 21, a step of forming a tunnel barrier layer 23 on the magnetization fixed layer 22, and a step of forming the free layer 24 on the tunnel barrier layer 23.例文帳に追加

ＭＲ素子５の製造方法は、下地層２１の上に磁化固定層２２を形成する工程と、磁化固定層２２の上にトンネルバリア層２３を形成する工程と、トンネルバリア層２３の上に自由層２４を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

A photoelectric conversion element (an MIS type PD section) and a switch TFT section are laminated in the order of a first electrode layer of the same member, an insulating layer 305, a semiconductor layer 306, an ohmic contact layer 307, a second electrode layer, and a third electrode layer.例文帳に追加

光電変換素子（ＭＩＳ型ＰＤ部）及びスイッチＴＦＴ部を、夫々同一部材の第１の電極層、絶縁層３０５、半導体層３０６、オーミックコンタクト層３０７、第２の電極層、第３の電極層の順で積層する。 - 特許庁

In a spin implantation magnetization reversal element with a ferromagnetic fixed layer, separating layer, and a ferromagnetic free layer, a ferromagnetic fixed layer area adjacent to the separating layer is larger than a ferromagnetic free layer area adjacent to the separating area.例文帳に追加

強磁性固定層、分離層および強磁性フリー層備えたスピン注入磁化反転素子において、強磁性固定層が分離層に接している面積が、強磁性フリー層が分離層に接している面積よりも大きいことを特徴とする。 - 特許庁

A photoelectric conversion device comprises: a light-transmitting photoelectric conversion element including an n-type semiconductor layer, an intrinsic semiconductor layer, and a p-type semiconductor layer; a voltage conversion element which overlaps with the photoelectric conversion element and which has an oxide semiconductor film in a channel formation region; and a conductive element which electrically connects the photoelectric conversion element and the voltage conversion element.例文帳に追加

透光性を有し、ｎ型半導体層、真性半導体層、及びｐ型半導体層を有する光電変換素子と、当該光電変換素子と重畳し、酸化物半導体膜をチャネル形成領域に有する電圧変換素子と、当該光電変換素子及び電圧変換素子を電気的に接続する導電素子とを有する光電変換装置に関する。 - 特許庁

The photo-function element, organic EL element and organic EL display device comprise at least one or more layers of photoconductive layer 3 and luminous layer 2 between a negative electrode and a positive electrode, and have a thyristor property by the above photoconductive layer 3 and luminous layer 2.例文帳に追加

陰極と陽極の間に少なくとも１層以上の光導電層３と発光層２を有し、前記光導電層３と発光層２によりサイリスタ特性を有する光機能素子、有機ＥＬ素子、有機ＥＬ表示装置とした。 - 特許庁

Between the electrode layer 4 of the piezoelectric element 15 and the ceramic board 2, a piezoelectric layer 3, which serves as a compound layer which is of the same component as or whose main component is the same as that of the piezoelectric layer 5, is interposed; and the piezoelectric element 15 and the ceramic board 2 can be jointed together by baking.例文帳に追加

圧電素子１５の電極層４とセラミックス基板２との間には、圧電層５と同一成分、又は主成分が同一の化合物層としての圧電層３を介在させ、圧電素子１５とセラミックス基板２を焼成により接合できる。 - 特許庁

The halogen element can be formed by being included in a gate insulating layer and/or an insulating layer disposed in contact with the oxide semiconductor layer or may be attached to the oxide semiconductor layer by plasma treatment under a halogen element-containing gas atmosphere.例文帳に追加

ハロゲン元素は酸化物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層及び／又は絶縁層に含ませて形成することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物半導体層に付着させてもよい。 - 特許庁