「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

This light emitting element has an organic layer including at least a light emitting layer and contains the organic metallic compound containing the 4B group hetero atom.例文帳に追加

少なくとも発光層を含む有機層を有し、第4B族ヘテロ原子を含む有機金属化合物を含有する発光素子。 - 特許庁

A dielectric layer is provided between a first conductive plate and a second conductive plate of the capacitor, and the dielectric layer contains a group-17 element.例文帳に追加

キャパシタの第１の導電板と第２の導電板の間に誘電層を設け、その誘電層は１７族元素を含む。 - 特許庁

A P+ separating layer 3 for dividing the epitaxial layer 2 into a plurality of element regions is formed on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１には、エピタキシャル層２を複数の素子領域に分離するためのＰ＋分離層３が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises a light emitter, a first electrode layer, a second electrode layer, a pad electrode, and auxiliary electrode portions.例文帳に追加

半導体発光素子は、発光体と、第１電極層と、第２電極層と、パッド電極と、補助電極部と、を備える。 - 特許庁

The counter electrode has a common electrode layer and the liquid crystal layer is arranged between the active element array substrate and the counter substrate.例文帳に追加

対向基板は、共通電極層を有しており、液晶層は能動素子基板と対向基板との間に配置されている。 - 特許庁

The piezoelectric element 1 is provided with a seed layer 5 formed on a substrate, and the piezoelectric film 6 formed on the seed layer 5.例文帳に追加

基体上に形成されたシード層５と、シード層５上に形成された圧電体膜６とを備えてなる圧電素子１である。 - 特許庁

In this semiconductor laser element, an InGaAs/GaAsP superlattice layer of a distortion compensation structure is provided between a GaAs substrate and an underlying clad layer.例文帳に追加

半導体レーザ素子のＧａＡｓ基板と下部クラッド層との間に、歪補償構造のＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＰ超格子層を挿入する。 - 特許庁

A field oxide film 1, fuse element 3, layer insulation film 5, first metallic wiring 7 and layer insulation film 9 are sequentially formed (A).例文帳に追加

フィールド酸化膜１、ヒューズ素子３、層間絶縁膜５、第１メタル配線７及び層間絶縁膜９を順次形成する（Ａ）。 - 特許庁

A free layer 20 of this GMR element 1 includes an NiFe layer 21 containing between 65 and 72 atomic percent iron.例文帳に追加

ＧＭＲ素子１のフリー層２０が、鉄含有率が６５ａｔ％〜７２ａｔ％のＮｉＦｅ層２１を含むように構成する。 - 特許庁

This nitride semiconductor element includes: a nitride semiconductor lamination structure portion 2 including an n- type layer 3, and a p-type layer 4.例文帳に追加

窒化物半導体素子は、ｎ^-型層３およびｐ型層４を有する窒化物半導体積層構造部２を備えている。 - 特許庁

GLASS-CONTAINING RESIN COMPOSITION, GLASS-CONTAINING RESIN COMPOSITION ELEMENT, METHOD FOR FORMING DIELECTRIC LAYER, DIELECTRIC LAYER AND PLASMA DISPLAY PANEL例文帳に追加

ガラス含有樹脂組成物、ガラス含有樹脂組成物エレメント、誘電体層の形成方法、誘電体層、及び、プラズマディスプレイパネル - 特許庁

A gettering site layer is formed of a semiconductor containing a Group 18 element such as Ar, over a semiconductor layer of the SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の半導体層上に、Ａｒなど第１８族元素を含んだ半導体でなるゲッタリングサイト層を形成する。 - 特許庁

The vehicle display with a carrier layer 2 includes a graphic element 3.1, whereas an applique 3 is attached to the carrier layer 2.例文帳に追加

図形要素３．１を備え、キャリア層２を有する車両ディスプレイであって、このキャリア層２にはアップリケ３が取り付けられる。 - 特許庁

A light emitting element has contact sections 18 and 20 which are respectively provided correspondingly to an n-type layer 12 and a p-type layer 16.例文帳に追加

発光素子は、ｎ型層（１２）及びｐ型層（１６）のそれぞれに対応して設けられる接触部（１８，２０）を有する。 - 特許庁

The photoelectric conversion element layer 10 has a photosensitized material layer 11 installed on the light-receiving face, and is covered with a protective transparent substrate 12.例文帳に追加

光電変換素子層１０は、受光面に光増感材層１１が設けられ、保護用の透明基板１２が覆っている。 - 特許庁

The insulating film 7 includes a light-shielding layer 9 which covers the switching element Tr1 and is insulated from the wiring layer 11.例文帳に追加

また、上記絶縁膜７はスイッチング素子Ｔｒ１を覆い配線層１１とは絶縁された遮光層９を含んでいる。 - 特許庁

The laminate outer package 41 has an inner layer 42 and an outer layer 43, which is superimposed on the cylindrical face 20a of the battery element 20.例文帳に追加

ラミネート外装体４１は、電池素子２０の円筒面２０ａ上で重なる内層４２および外層４３を有する。 - 特許庁

To provide a light-reflecting element providing various colors even by a single light-reflecting element; and to provide a cylindrical body having a coated layer of the light-reflecting element.例文帳に追加

単一の光反射素子であっても、多様な色彩を呈することとなる光反射素子、及び、その光反射素子の塗装層を有する筒状体を提供する。 - 特許庁

This illuminator includes an apparatus substrate (element-attaching member) 2, an element part reflection layer 4, a semiconductor light-emitting element 11, a die bonding adhesive 16, a conductor 8 and a sealing member 22.例文帳に追加

照明装置は、装置基板（素子取付け部材）２、素子部反射層４、半導体発光素子１１、ダイボンド材１６、導体８、及び封止部材２２を具備する。 - 特許庁

The flat heater 1 is provided with the heating element 2, a support member 4 covering the periphery of the heating element 2 and an insulating layer 3 arranged between the heating element 2 and the support member 4.例文帳に追加

面状ヒーター１は、発熱体２と、発熱体２の周囲を覆う支持部材４と、発熱体２と支持部材４との間に配された絶縁層３とを備えている。 - 特許庁

To provide a method of precisely wiring an electronic element built in an electronic element built-in substrate and a land formed in an external layer of the electronic element built-in substrate.例文帳に追加

電子素子内蔵基板に内蔵された電子素子と、電子素子内蔵基板の外部層に形成されるランドとを精度良く配線可能な配線方法を提供する。 - 特許庁

To provide formation method of the wiring of a semiconductor element which can raise the reliability and mass-production of the element by removing fluorine left in a barrier metal layer in the element.例文帳に追加

障壁金属層に残留したフッ素を除去することにより、信頼性及び量産性を向上し得る半導体素子の配線形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an organic photoelectric conversion element wherein the orientation in a photoelectric conversion layer is highly controlled, and to provide an imaging element into which the organic photoelectric conversion element is integrated.例文帳に追加

光電変換層の配向を高度に制御した有機光電変換素子の製造方法、及び該有機光電変換素子を組み込んだ撮像素子を提供する。 - 特許庁

To improve energy conversion efficiency of a solar cell that is provided with a semiconductor film containing a Ib group element, a group IIIb element and a VIa group element as an optical absorption layer.例文帳に追加

Ｉｂ族元素、IIIｂ族元素及びVIａ族元素を含有する半導体膜を光吸収層として備えた太陽電池におけるエネルギー変換効率を向上させる。 - 特許庁

To simplify the manufacturing process of a nonlinear-resistor arrester element by discriminating the voltage-applied life of the element in oil, in a state in which the element is not affected by an insulating layer.例文帳に追加

非直線抵抗体避雷器素子の油中課電寿命を絶縁層の影響の無い状態で判定することにより、製造工程の簡略化を図る。 - 特許庁

To provide an inorganic EL element that can prevent the element from deteriorating due to oxidation of a light-emitting layer and that can simplify a manufacturing process, and to provide a method for manufacturing the inorganic EL element.例文帳に追加

発光層の酸化による劣化を生じ難くすることができ、かつ製造工程も簡素化することができる無機ＥＬ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, the adhesive layer for an optical element, the optical element having the same, and the image display device including them are manufactured from such an adhesive composition for an optical element.例文帳に追加

さらに、このような光学部材用粘着剤組成物から、光学部材用粘着剤層、これを有する光学部材、およびそれらを含む画像表示装置を製造する。 - 特許庁

As a result, the dissipation property of the element is improved to suppress temperature rise at the active layer 14 and hence improve the temperature characteristics of the element and improve the reliability of the element.例文帳に追加

その結果、素子の放熱性が向上するので、活性層１４での温度上昇が抑制され、素子の温度特性が向上し、素子の信頼性が向上する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electronic element capable of insulating a wiring short circuit of the electronic element having an organic insulation layer, and the electronic element.例文帳に追加

有機絶縁層を有する電子素子の配線短絡を簡素な工程により絶縁することが可能な電子素子の製造方法および電子素子を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate for manufacturing an element substrate to display high-quality images, in a liquid crystal element that uses an inorganic alignment layer, with high durability, and to provide a liquid crystal element.例文帳に追加

耐久性が高い無機配向膜を用いた液晶素子において、高品位な画像を表示する素子基板を作製するための基板及び液晶素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for arranging a circuit element and a method for manufacturing a display device, capable of easily realizing an equal arrangement of the circuit element and equal thickness of an element-holding layer.例文帳に追加

回路素子の等配列化及び素子保持層の均等厚化を容易に実現できる回路素子の配列方法及び表示装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To eliminate a discharge by static electricity generated by peeling when an element formation layer including a semiconductor element is peeled from a substrate used for manufacturing the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子を含む素子形成層を、半導体素子の作製時に用いた基板から剥離するときに、剥離によって発生した静電気による放電をなくす。 - 特許庁

In the semiconductor device 50, an element region including a semiconductor element and a voltage blocking region surrounding the element region are formed on a first semiconductor layer 2 of a first conductivity type.例文帳に追加

半導体装置５０は、第１導電型の第１半導体層２上に、半導体素子を含む素子領域と、素子領域を囲む電圧阻止領域とを備える。 - 特許庁

Between the laser element portion 10A and the LED element portion 10B, an ion implantation layer 10C is provided for current constriction to the laser element portion 10A.例文帳に追加

レーザ素子部１０ＡおよびＬＥＤ素子部１０Ｂの間には、イオン打ち込み層１０Ｃが設けられ、これによりレーザ素子部１０Ａへの電流狭窄がなされる。 - 特許庁

To control discharge due to static electricity produced by peeling when separating an element forming layer containing a semiconductor element from a substrate used in manufacturing the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子の作製時に用いた基板から、半導体素子を含む素子形成層を剥離するときに、剥離によって発生した静電気による放電を抑える。 - 特許庁

Further, the light emitting element can feed to the active layer region of the semiconductor laser element the optical energy corresponding to the bias current of the semiconductor laser element.例文帳に追加

且つ前記発光素子が前記半導体レーザ素子のバイアス電流相当の光エネルギーを前記半導体レーザ素子の活性層領域に供給が可能な発光素子となす。 - 特許庁

The semiconductor optical element 61 is provided with a substrate 7a, an InP semiconductor layer 1b, a first semiconductor optical element 47a and a second semiconductor optical element 47b.例文帳に追加

半導体光素子６１は、基板７ａと、ＩｎＰ半導体層１ｂと、第１の半導体光素子部４７ａと、第２の半導体光素子部４７ｂとを備える。 - 特許庁

The rare-earth magnet 1 comprises a magnet element assembly 2 containing a rare-earth element and a protection layer 4 formed on a surface of this magnet element assembly 2.例文帳に追加

好適な実施形態の希土類磁石１は、希土類元素を含有する磁石素体２と、この磁石素体２の表面上に形成された保護層４とを備える。 - 特許庁

To manufacture an optical element having excellent optical characteristics by removing a degeneration layer on the surface of the optical element without causing damage on the surface of the optical element.例文帳に追加

光学素子の表面の損傷を生じることなく、光学素子の表面の変質層を除去して良好な光学特性を有する光学素子を製造する。 - 特許庁

A protective layer 6 for inhibiting corrosion of the element assembly layers 4A and 4B is formed on an outer surface of the PTC element assembly 2 including the element assembly layers 4A and 4B.例文帳に追加

素体層４Ａ，４Ｂを含むＰＴＣ素体２の外表面には、素体層４Ａ，４Ｂの侵食を防止するための保護層６が形成されている。 - 特許庁

The electronic component 100 includes a ceramic element body 10 and a terminal electrode 20 on the ceramic element body 10, the terminal electrode 20 including, from the side of the ceramic element body 10, a base layer coming into contact with the ceramic element body 10 and containing nickel and glass, and a surface layer coming into contact with the base layer and containing tin.例文帳に追加

セラミック素体１０と、該セラミック素体１０上に端子電極２０とを備える電子部品１００であって、端子電極２０は、セラミック素体１０側から、セラミック素体１０に接しニッケル及びガラスを含む下地層と、該下地層に接しスズを含む表面層と、を有する電子部品１００。 - 特許庁

In one pixel P, at least a semiconductor layer 6 in an element forming area A1 where an active element 3 is formed, is formed of a transparent metal oxide, and a transparent metal oxide layer 16 is formed on the semiconductor layer 6 side of a non-element formation area A2 where no active element 3 is formed.例文帳に追加

一画素Ｐ内において、アクティブ素子３が形成されている素子形成領域Ａ１の少なくとも半導体層６を、透明な金属酸化物で形成し、アクティブ素子３が形成されていない非素子形成領域Ａ２の半導体層６側方に、透明な金属酸化物層１６を形成する。 - 特許庁

This ultrasonic wave transducer includes at least one transducer element 60, the transducer element 60 is provided with an acoustic matching layer 1 made of an inorganic material, a piezoelectric element 3, and a rear load member 4 and the acoustic matching layer 1 and the piezoelectric element 3 are mutually jointed via a joint layer 2 made of an inorganic conductive material.例文帳に追加

少なくとも１つのトランスデューサー素子を含み、該トランスデューサー素子は、無機材料からなる音響整合層、圧電素子、および背面負荷材を備え、音響整合層と圧電素子とは無機導電材料からなる接合層を介して互いに接合されていることを特徴とする超音波トランスデューサー。 - 特許庁

The semiconductor element 10 comprises a carbon fiber composite material layer 13 interposed between a semiconductor element 11 and a heat sink 12, and a heat transfer metal plate 14 interposed between the semiconductor element 11 and the carbon fiber composite material layer 13 and transmitting heat generated from the semiconductor element 11 to the entire surface of the carbon fiber composite material layer.例文帳に追加

半導体装置１０は、半導体素子１１とヒートシンク１２の間に炭素繊維複合材料層１３を設け、半導体素子１１と炭素繊維複合材料層１３との間に、半導体素子１１で生じた熱を炭素繊維複合材料層の全面に伝導する伝熱金属板１４を備えて形成される。 - 特許庁

The solid-state imaging element 1 having a photoelectric conversion element PD is formed in a semiconductor layer 11, and a single crystal layer 25 made of a material with a wider bandgap than the semiconductor layer 11 is formed at least on a region of the layer 11 where the photoelectric conversion element PD is formed.例文帳に追加

半導体層１１内に光電変換素子ＰＤが形成され、半導体層１１の、少なくとも光電変換素子ＰＤが形成された部分の上に、この半導体層１１よりもバンドギャップが広い材料から成る単結晶層２５が形成されている固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁